SPLLL90 [INFINEON]
Optoelectronic Device, PLASTIC PACKAGE-3;
| 型号： | SPLLL90 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Optoelectronic Device, PLASTIC PACKAGE-3 光电 |
| 文件： | 总5页 (文件大小：67K) |
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Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe
Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage
SPL LLxx
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
Features
• Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse
• Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur
Impulsansteuerung
• InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte
Quantenfilmstruktur
• Low cost, small size plastic package
• Integrated FET and capacitors for pulse control
• Strained InAlGaAs/GaAs QW-structures
• High power large-optical-cavity laser structure
• High-speed operation (< 30 ns pulse width)
• Low supply voltage (< 15 V)
• Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“
(LOC) Struktur
• Schneller Betrieb (< 30 ns Impulsbreite)
• Niedrige Versorgungsspannung (< 15 V)
Applications
• Range finding
• Security, surveillance
• Illumination, ignition
• Testing and measurement
Anwendungen
• Entfernungsmessung
• Sicherheit, Überwachung
• Beleuchtung, Zündung
• Test- und Messsysteme
Safety advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile human eye. Products which incorporate these
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- devices have to follow the safety precautions
Strahlung, die gefährlich für das menschliche given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
2001-02-26
1
SPL LLxx
Typ
Type
Wellenlänge1)
Wavelength
Bestellnummer
Ordering Code
SPL LL85
850 nm
905 nm
Q62702-P3558
on request
SPL LL90
1)
Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm und weitere Ausgangsleistungen (vgl. SPL PL90_x) sind
auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths in the range of 780 nm … 980 nm and other power levels (cf. SPL PL90_x) are available on
request.
Grenzwerte (TA = 25 C)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Spitzenausgangsleistung
Peak output power
850 nm Ppeak
905 nm Ppeak
–
–
12
16
W
W
Gate-Spannung
Gate voltage
Vg
– 14
+ 14
V
Tastverhältnis
Duty cycle
–
0.1
%
C
C
C
d.c.
Top
Tstg
Ts
Betriebstemperatur
Operating temperature
- 40
- 40
–
+ 85
+ 100
+ 260
Lagertemperatur
Storage temperature
Löttemperatur (tmax = 10 s)
Soldering temperature (tmax = 10 s)
2001-02-26
2
SPL LLxx
Optische Kennwerte (TA = 25 C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlänge1)
Emission wavelength1)
850 nm
905 nm
840
895
850
905
870
915
nm
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)1)
Spectral width (FWHM)1)
–
4
–
nm
Versorgungsspannung (Ladespannung)1) 850 nm VC
7
9
9
12
15
15
V
V
Supply voltage (charge voltage) 1)
905 nm VC
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)2)
Rise and fall time (10% … 90%)2)
tr,
tf
–
–
14
20
–
–
ns
ns
Pulsbreite (Halbwertsbreite)2)
Pulse width (FWHM)2)
tp
25
30
40
ns
Austrittsöffnung
Aperture size
w h
–
200
2
–
m2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)1)
Beam divergence (FWHM)1)
–
14° 30° –
Grad
deg.
||
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
/ T
–
0.25
160
5
–
nm/K
K/W
V
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
Rth
–
–
Einschaltspannung
Switch on voltage
VG on
VG off
4.5
– 14
14
1
Ausschaltspannung
Switch off voltage
1)
0
V
Betriebsbedingungen: Ppeak = 12 / 16 W, tpulse = 30 ns, f = 25 kHz
Operating conditions: Ppeak = 12 / 16 W, tpulse = 30 ns, f = 25 kHz
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300 pF)
2)
des internen Transistors geladen wird.
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal
transistor.
2001-02-26
3
SPL LLxx
Optical Power
opt = f(VC), Vg = 5 V, tpulse = 30 ns,
Spectrum
VC = 9 V, tpls = 30 ns
P
Duty Cycle = 0.01%
SPL LL85
SPL LL85
OHW00917
OHW00919
14
W
100
%
P
Ιrel
opt
12
10
8
80
60
40
20
0
6
4
2
0
840 842 844 846 848 850
nm 854
6
7
8
9
10 11 12 13 14 V 16
λ
VC
2001-02-26
4
SPL LLxx
Maßzeichnung
Package Outlines
±0.1 (0.004)
±0.1 (0.004)
4.9 (0.193)
2.3 (0.091)
±0.15 (0.006)
1.4 (0.055)
±0.25 (0.010)
1.5 (0.059)
Laser Diode
1
2
3
±0.1 (0.004)
0 (0.000)
Surface
not flat
±0.1 (0.004)
0 (0.000)
0 (0.000)
±0.1 (0.004)
±0.1 (0.004)
0 (0.000)
VC
2
1
FET
G
D
S
Trigger
VG
C
C
Laser diode
±0.05 (0.002)
0.5 (0.020)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
3
GND
spacing 2.54 (0.100)
GWOY6034
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
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5
相关型号：
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