T1060N65TOFXPSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 1650A I(T)RMS, 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element,;
| 型号： | T1060N65TOFXPSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 1650A I(T)RMS, 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element, 栅 栅极 |
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Key Parameters
VDRM / VRRM
6500 V
ITAVM
1053 A (TC=85°C)
22500 A
ITSM
vT0
1,35 V
rT
0,72 mΩ
11 K/kW
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
27…45 kN
100 mm
65 mm
26,5 mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
Hermeticaly sealed ceramic package
High surge current capability
High di/dt turn on capability
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungssanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Medium Voltage Softstarter
Rectifier for Drives Applications
Medium voltage converters
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
QR class
Date of Publication: 2013-11-22
Revision: 2.2
Seite/page: 1/11
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VDRM,VRRM
Tvj = 25°C... Tvj max
6500 V
1650 A
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reEversleevkoltatgreische Eigenschaften ITRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
ITAVM
1053 A
1284 A
1487 A
Dauergrenzstrom
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
average on-state current
ITSM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
22500 A
22500 A
I²t
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
2531 10³ A²s
2531 10³ A²s
300 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
max.
max.
max.
2,43 V
1,35 V
0,72 mΩ
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1500 A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
300 A iF 5300 A
Tvj = Tvj max
max.
A
B
C
D
1,736901
0,00042
-0,154737
0,031817
vT A B iT C Ln(iT 1) D iT
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
350 mA
Zündstrom
gate trigger current
max.
2,5 V
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12 V
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
Einraststrom
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
latching current
Tvj = Tvj max
iD, iR
500 mA
3 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
tgd
Zündverzug
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
gate controlled delay time
date of publication: 2013-11-22
prepared by: HS
approved by: JP
revision:
2.2
Date of Publication: 2013-11-22
Revision: 2.2
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
1000
tq
typ.
µs
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Thermische Eigenschaften
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Mechanische Eigenschaften
Tvj = Tvj max
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
max.
10,5 mAs
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM ≤ 0,8VRRM
R = 24 Ω; C = 2,4 µF
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
max.
Fehler
A
Tvj = Tvj max
iTM =1000 A, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 100 V
!
Keine
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
max.
11,8 K/kW
11,0 K/kW
20,8 K/kW
20,0 K/kW
29,9 K/kW
24,5 K/kW
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode /anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
max.
max.
max.
max.
max.
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Übergangs-Wärmewiderstand
max.
max.
3,0 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
6,0
K/kW
125 °C
Tvj max
Tc op
Tstg
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
-40…+125 °C
-40…+150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
F
27…45 kN
Anpresskraft
clamping force
mm
mm
mm
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode /Cathode
A 4,8x0,5
Ø 1,5
A 2,8x0,5
G
typ.
900 G
Gewicht
weight
25 mm
50 m/s²
Kriechstrecke
creepage distance
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Maßbild
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
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Revision: 2.2
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
/
R,t – Werte
R
Pos. n
Rthn [K/kW]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
R,T-Werte
2,494
1,65
11,494
2,8
4,25
0,449
4,25
0,439
9
2,74
0,134
2,74
0,134
8,05
0,38
0,912
0,0135
0,912
0,0135
2,05
0,57
0,034
beidseitig
two-sided
0,00298
0,57
0,00029
0,034
Rthn [K/kW]
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
0,00298
0,6
0,00029
0,035
Rthn [K/kW]
τn [s]
4,765
6,1
kathodenseitig
cathode-sided
1,57
0,057
0,003
0,00029
nmax
-t
n
Rthn 1 e
Analytische Funktion / analytical function:
ZthJC
n=1
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Diagramm
Diagram
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V /
gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
iTM = ITAVM, Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
R = 24 Ω; C = 2,4 µF
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=100 V, iTM = 1000 A
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
25
20
15
10
5
Ta bei Sinus
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Date of Publication: 2013-11-22
Revision: 2.2
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1060N
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