T1190N18TOF(VT) [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier,;
| 型号： | T1190N18TOF(VT) |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, |
| 文件： | 总10页 (文件大小：284K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1190N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1400
1600 V
1800 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1200
1400
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
non-repetitivepeak forward off-state voltage
1300
1500
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
2800 A
1190 A
1760 A
2770 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMS
25500 A
22500 A
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
3250 10³ A²s
2530 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
200 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
2,05 V
1,06 V
Tvj = Tvj max, iT = 5,4 kA
Tvj = Tvj max, iT = 1,0 kA
vT
0,90 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,190 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
300 A ≤ iT ≤ 6000 A
A=
7,528E-01
B=
C=
D=
1,682E-04
-1,035E-02
6,509E-03
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
max.
500 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 2500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
150 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2008-09-18
prepared by:
revision:
2.0
approved by: M.Leifeld
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IFBIP D AEC, 2008-09-18, H.Sandmann
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1190N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
240 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0230 °C/W
max. 0,0210 °C/W
max. 0,0395 °C/W
max. 0,0375 °C/W
max. 0,0500 °C/W
max. 0,0480 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,0035
0,0070
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
16...32 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
600 g
Kriechstrecke
20 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1190N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1190N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00113
0,00210
0,00650
0,00291
0,00614
0,00260
0,00843
0,00229
0,04560
0,00370
0,07650
0,00623
0,12600
0,00703
0,23000
0,00783
0,37400
0,00460
0,57000
0,00845
1,13400
0,02240
6,66000
0,03330
7,83000
beidseitig
two-sided
0,00189
Rthn [°C/W] 0,00066
0,00138
Rthn [°C/W] 0,00127
0,00201
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1190N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00292
0,00489
0,00637
0,00845
0,01154
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00209
0,00298
0,00220
0,00294
0,00214
0,00305
0,00489
0,00312
0,00492
0,00309
0,00435
0,00630
0,00433
0,00639
0,00439
0,00642
0,00827
0,00625
0,00845
0,00645
0,01002
0,01131
0,00973
0,01148
0,01000
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
Tvj = Tvj max
0
0,8
1
1,2
1,4
VT [V]
1,6
1,8
2
2,2
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1190N
Phase Control Thyristor
3500
3000
180°
120°
90°
0°
180°
60°
0
2500
θ = 30°
2000
1500
1000
500
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
800
60°
90°
1200
120°
180°
20
0
200
400
600
1000
1400
1600
1800
2000
I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1190N
Phase Control Thyristor
5000
DC
4000
180°
0°
0
180°
120°
3000
2000
1000
0
90°
60°
θ = 30°
0
500
1000
1500
ITAV [A]
2000
2500
3000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
1000
60°
90°
120°
180°
DC
20
0
500
1500
I TAV [A]
2000
2500
3000
7/10
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1190N
Phase Control Thyristor
100
c
10
1
b
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
10000
1000
100
iTM
=
2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1190N
Phase Control Thyristor
25
20
15
10
5
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1190N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei
Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
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notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
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相关型号：
T1190N18TOFVTHOSA1
Silicon Controlled RectifierWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T1190N18TOFVTXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 2770A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T1190NL
TELECOMMUNICATIONS PRODUCTSWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PULSE
T11X
RESISTOR, TRIMMER, CERMET, 1 TURN(S), 0.5 W, 20 ohm - 5000000 ohmWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X2.2K+-5%SBO80E3
Potentiometer, Cermet, 0.5W, 2200ohm, 350V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4935,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X202MLB28
RES,TAPPED,CERMET,2K OHMS,350WVDC,20% +/-TOL,-100,100PPM TC,4935 CASEWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X220K+-5%SBO80E3
Potentiometer, Cermet, 0.5W, 220000ohm, 350V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4935,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X2K+-20%SBO80E3
Potentiometer, Cermet, 0.5W, 2000ohm, 350V, 20% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4935,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X2K+-5%SBO80E3
Potentiometer, Cermet, 0.5W, 2000ohm, 350V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4935,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X407K
Square Modular Cermet TrimmersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X475MAB28
RES,TAPPED,CERMET,4.7M OHMS,350WVDC,20% +/-TOL,-100,100PPM TC,4935 CASEWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T11X500K+-10%SBO80E3
Potentiometer, Cermet, 0.5W, 500000ohm, 350V, 10% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 4935,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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