T1258N06TOFHOSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier;
| 型号： | T1258N06TOFHOSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier |
| 文件： | 总10页 (文件大小：268K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1258N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
200 V
400 V
600 V
200 V
400 V
600 V
250 V
450 V
650 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
2500 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
1258 A
1600 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 67 °C
23000 A
20000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
2650 10³ A²s
2000 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
120 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
max.
max.
1,50 V
1,15 V
Tvj = Tvj max , iT = 4,5 kA
Tvj = Tvj max , iT = 1 kA
vT
1,00 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,10 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
500 A ≤ iT ≤ 6000 A
A=
B=
C=
D=
1,132E+00
5,833E-05
-3,109E-02
5,426E-03
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
1,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
80 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2006-09-06
prepared by:
revision:
1
approved by: J.Przybilla
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1258N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
200
µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
0,033 °C/W
0,030 °C/W
0,059 °C/W
0,056 °C/W
0,068 °C/W
0,065 °C/W
thermal resistance, junction to case
max.
max.
max.
max.
max.
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,005
0,010
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
140 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+140 °C
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
12...24 kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
f = 50 Hz
Gate
Kathode / cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
160 g
Kriechstrecke
creepage distance
17 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1258N
Phase Control Thyristor
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
4: Gate
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1258N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00160
0,00260
0,00340
0,00260
0,00340
0,00260
0,00340
0,00240
0,01270
0,00240
0,01270
0,00240
0,01270
0,01230
0,07220
0,01230
0,07220
0,01230
0,07220
0,01110
0,52300
0,03710
2,30000
0,04610
1,87000
beidseitig
two-sided
0,00064
Rthn [°C/W] 0,00160
0,00064
Rthn [°C/W] 0,00160
0,00064
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
catode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1258N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00579
0,00992
0,01324
0,01857
0,02959
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00289
0,00577
0,00286
0,00581
0,00291
0,00453
0,00989
0,00450
0,00994
0,00454
0,00680
0,01320
0,00676
0,01326
0,00682
0,01093
0,01853
0,01088
0,01860
0,01095
0,02142
0,02955
0,02138
0,02963
0,02146
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
Tvj = Tvj max
0
1
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
VT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1258N
Phase Control Thyristor
2400
180°
120°
2000
90°
0°
180°
0
60°
1600
θ = 30°
1200
800
400
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
1200
120°
1400
180°
20
0
200
400
600
800
1000
TAV [A]
1600
1800
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1258N
Phase Control Thyristor
3500
3000
DC
180°
0°
0
2500
180°
120°
90°
60°
2000
1500
1000
500
0
θ = 30°
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
DC
20
0
500
1000
1500
TAV [A]
2000
2500
3000
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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N
Netz-Thyristor
T1258N
Phase Control Thyristor
100
10
1
d
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms d – 150W / 0,1ms
10000
1000
100
iTM
=
2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1258N
Phase Control Thyristor
25
20
15
10
5
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusodial half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1258N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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