T1503N80TOH PR [INFINEON]

T1503N 光触发晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 150mm，高度 40mm。;


型号：	T1503N80TOH PR
厂家：	Infineon
描述：	T1503N 光触发晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 150mm，高度 40mm。
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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Key Parameters

enndaten

V_BO/ V_RRM

7500V / 8000V

I_TAVM

1770A (T_C=85°C)

57000A

I_TSM

v_T0

1,24V

r_T

0,44mΩ

R_thJC

6,0K/kW

63 … 91kN

151,5mm

100mm

Clamping Force

Max. Diameter

Contact Diameter

Height

40mm

For type designation please refer to actual shortform

catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale

Features



Direkt lichtgezündeter Thyristor mit integrierter

Schutzfunktion



Light triggered thyristor with internal Break over Diode

Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten

Temperaturbereich

Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature

range



Hohe DC Sperrstabilität



High DC blocking stability

High case non-rupture current

High di/dt capability

Hoher Gehäusebruchstrom

Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit

Typische Anwendungen

Typical Applications



Hochspannungs-Gleichstrom- Übertragung HGÜ

Statische Kompensation SVC



High Voltage Direct Current Transmission HVDC

Static Var Compensation SVC

Rectifier for Drives Applications

Load Commutating Inverter

Gleichrichter für Antriebsapplikationen

Lastgeführte Umrichter

Kurzschließer-Applikationen

Crowbar Applications

4.1

content of customer DMX code

DMX code

digit

1..7

8..16

17..18

19..20

21..22

23..26

27..30

DMX code

digit quantity

serial number

SP material number

datecode (production day)

datecode (production year)

datecode (production month)

vT class

www.ifbip.com

support@infineon-bip.com

QR class

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Revision: 8.0

Date of Publication: 2011-05-02

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

V_RRM

7500 V

8000 V

Elektrische^T^vE^j^{= -}i⁴g^0°e^C..n^{. T}^vs^{j m}c^axhaften

repetitive peak and reverse voltage

Durchlaßstrom-Effektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 85 °C

I_TRMSM

I_TAVM

2770 A

T_C= 85 °C

T_C= 70 °C

T_C= 55 °C

1770 A

2190 A

2560 A

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

I_TSM

60000 A

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

58000 A

Grenzlastintegral

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

I²t

18000 10³ A²s

16820 10³ A²s

300 A/µs

I²t-value

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, P_LM= 40mW, t_rise= 0,5µs

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter H

2000 V/µs

Charakteristische Werte / characteristic values

Schutzzündspannung (statisch)

T_vj= 25°C … T_{vj max}

Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K

V_BO

min. 7500 V

protective break over voltage

für Tvj = 0°C..25°C

Typical de-rating factor of 0,16%/K is

applicable for T_vj= 0°C..25°C

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_T= 4000A, v_D= 150V

v_T

typ.

max.

typ.

2,8 V

3,0 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

1,20 V

1,24 V

0,4 mΩ

0,44 mΩ

max.

T_vj= T_{vj max}

typ.

max.

0,616

T_vj= T_{vj max}

typ.

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

400A  i_F 5000A

0,000219

0,0342

0,0161

v_T A  B  i_T C  Ln(i_T 1)  D  i_T

-0,0864

0,000343

0,2021

max.

0,000614

minimale Zündlichtleistung

minimum gate trigger light power

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 150V

T_vj= 25°C

P_LM

I_H

max.

40 mW

max.

100 mA

1 A

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 150V,

I_L

latching current

P_LM= 40mW, t_rise= 0,5µs

Rückwärts-Sperrstrom

reverse blocking current

Zündverzug

T_vj= T_{vj max}

i_R

600 mA

5 µs

v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, vD = 1000V ,

P_LM= 40mW, t_rise= 0,5µs

t_gd

gate controlled delay time

date of publication: 2011-05-02

prepared by: TM

approved by: JP

revision:

8.0

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Charakteristische Werte / characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

Freiwerdezeit

t_q

typ.

550

µs

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

circuit commutated turn-off time

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

Mechanische Eigenschaften

T_vj= T_{vj max}

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

max.

15 mAs

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

T_vj= T_{vj max}

Rückstromspitze

I_RM

350

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

peak reverse recovery current

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

R_thJC

max.

6,3 K/kW

6,0 K/kW

10,6 K/kW

13,8 K/kW

thermal resistance, junction to case

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

R_thCH

Übergangs-Wärmewiderstand

max.

1,5 K/kW

3,0 K/kW

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

120 °C

-40...+120 °C

-40...+150 °C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 4

page 4

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

63...91 kN

clamping force

Gewicht

typ.

3200 g

weight

Kriechstrecke

49 mm

50 m/s²

creepage distance

Schwingfestigkeit

f = 50 Hz

vibration resistance

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Maßbild

1: Anode/anode

2: Kathode/cathode

4.1: Gate

4.1

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

Durchlasskennlinie

Pos. n

R_thn[K/kW]

τ_n[s]

2,38

2,02

1,10

0,500

0,0122

0,81

beidseitig

two-sided

2,06

0,301

0,43

0,0674

2,48

0,26

0,00761

6,62

R_thn[K/kW]

τ_n[s]

anodenseitig

anode-sided

11,600

10,20

9,6200

0,946

2,24

0,21900

0,92

0,03100

0,44

R_thn[K/kW]

τ_n[s]

kathodenseitig

cathode-sided

0,2680

0,0532

0,0107

n_max

-t

_n





Analytische Funktion / analytical function:

Z_thJC

R_thn1 e



n=1

0,001

0,01

0,1

100

t[s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z _thJC= f(t) for DC

a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling

b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling

c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

6000

5000

4000

3000

2000

1000

Durchlassverluste

typ.

max.

0,5

1,5

2,5

3,5

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Steuerkennlinie

Zündverzug

-di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

900

800

700

600

500

400

300

200

100

-di/dt [A/µs]

Rückstromspitze / peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_T(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.

Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_T(OV)Mas a number of a sequence of sinusoidal half waves

at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

I_T(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_vjmax

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1503N

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der

Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

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insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei

Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

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T1503N80TOH PR [INFINEON]

相关型号：

T1503NH

T1503NH80TOH

T1503NH80TOHMOLIHOSA1

T1509N

T1509N12TOF

T1509N14TOF

T1509N16TOF

T1509N18TOFHOSA1

T150AB-LC

T150BB-LC

T150CB-LC

T151-100