T1590N22TOFVTXPSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,;型号: | T1590N22TOFVTXPSA1 |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1590N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
2200
2400
2600 V
2800 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2200
2400
2600 V
2800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
2300
2500
2700 V
2900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
3200 A
1590 A
2290 A
3600 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
TC = 85 °C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
ITRMS
32000 A
28000 A
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
5120 10³ A²s
3920 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1,6A,
diG/dt = 1,6 A/µs
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
2,45 V
1,38 V
Tvj = Tvj max , iT = 5 kA
Tvj = Tvj max , iT = 1 kA
vT
1,10 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,237 mΩ
500 A ≤ iT ≤ 8000 A
A=
1,819E+00
B=
C=
D=
2,508E-05
-2,208E-01
3,371E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
300 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
VGT
IGD
max.
3 V
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
IH
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
IL
max. 1500 mA
iGM = 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
250 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1,6 A,
diG/dt = 1,6 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2009-03-11
prepared by:
revision:
2.0
approved by: M.Leifeld
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann
A 09/09
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1590N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
400 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0125 °C/W
max. 0,0117 °C/W
max. 0,0232 °C/W
max. 0,0225 °C/W
max. 0,0250 °C/W
max. 0,0245 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,003
0,006
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
30...65 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
25 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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A 09/09
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1590N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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A 09/09
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1590N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00003
0,00057
0,00298
0,0006
0,0023
0,0006
0,0030
0,00091
0,01350
0,00105
0,02400
0,00205
0,05700
0,00274
0,13400
0,0076
0,00424
0,44900
0,0085
1,9000
0,009
0,0032
2,0500
0,00472
6,10000
0,00477
6,10000
beidseitig
two-sided
0,00029
Rthn [°C/W] 0,00004
0,00029
Rthn [°C/W] 0,00004
0,00029
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
0,3100
τn [s]
0,00805
0,38000
kathodenseitig
cathode-sided
2,050
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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A 09/09
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1590N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00105
0,00000
0,00218
0,00281
0,00376
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00080
0,00098
0,00064
0,00090
0,00066
0,00112
0,00166
0,00096
0,00149
0,00094
0,00154
0,00220
0,00140
0,00193
0,00132
0,00214
0,00298
0,00212
0,00253
0,00188
0,00315
0,00422
0,00345
0,00345
0,00285
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
9.000
8.000
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
Tvj = Tvj max
0
1,1
1,3
1,5
1,7
1,9
VT [V]
2,1
2,3
2,5
2,7
2,9
3,1
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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A 09/09
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1590N
Phase Control Thyristor
6000
180°
120°
0°
180°
0
90°
4000
60°
θ = 30°
2000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
1500
120°
180°
2000
20
0
500
1000
2500
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1590N
Phase Control Thyristor
8000
180°
0°
DC
0
6000
180°
120°
90°
60°
4000
2000
0
θ = 30°
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
1500
120°
2000
180°
DC
20
0
500
1000
2500
3000
3500
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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A 09/09
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1590N
Phase Control Thyristor
100
c
10
1
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
100000
10000
1000
iTM
=
4000A
2000A
1000A
500A
200A
100A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1590N
Phase Control Thyristor
30
20
10
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Seite/page
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1590N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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T1590N24TOFVTXPSA1
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T1590N26TOFVTXPSA1
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T1590N28TOF
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INFINEON
T1590N28TOFVTXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
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