T1590N22TOFVTXPSA1 [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,;
T1590N22TOFVTXPSA1
型号: T1590N22TOFVTXPSA1
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,

栅 栅极
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1590N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
2200  
2400  
2600 V  
2800 V  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max  
VDRM,VRRM  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
2200  
2400  
2600 V  
2800 V  
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung  
Tvj = -40°C... Tvj max  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VDSM  
non-repetitive peak forward off-state voltage  
2300  
2500  
2700 V  
2900 V  
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
3200 A  
1590 A  
2290 A  
3600 A  
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
Durchlaßstrom-Effektivwert  
RMS on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
TC = 85 °C  
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM  
ITRMS  
32000 A  
28000 A  
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
Stossstrom-Grenzwert  
surge current  
ITSM  
5120 10³ A²s  
3920 10³ A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
DIN IEC 60747-6  
f = 50 Hz, iGM = 1,6A,  
diG/dt = 1,6 A/µs  
150 A/µs  
Kritische Stromsteilheit  
(diT/dt)cr  
critical rate of rise of on-state current  
1000 V/µs  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
(dvD/dt)cr  
5.Kennbuchstabe / 5th letter F  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlassspannung  
on-state voltage  
max.  
max.  
2,45 V  
1,38 V  
Tvj = Tvj max , iT = 5 kA  
Tvj = Tvj max , iT = 1 kA  
vT  
1,10 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Durchlasskennlinie  
on-state characteristic  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
rT  
0,237 mΩ  
500 A iT 8000 A  
A=  
1,819E+00  
B=  
C=  
D=  
2,508E-05  
-2,208E-01  
3,371E-02  
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D  
iT  
Zündstrom  
Tvj = 25 °C, vD = 12V  
Tvj = 25 °C, vD = 12V  
IGT  
max.  
300 mA  
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
VGT  
IGD  
max.  
3 V  
Tvj = Tvj max , vD = 12V  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
max.  
max.  
10 mA  
5 mA  
Nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
VGD  
IH  
max.  
0,25 V  
Haltestrom  
holding current  
Tvj = 25°C, vD = 12V  
max.  
300 mA  
Einraststrom  
latching current  
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK 10 Ω  
IL  
max. 1500 mA  
iGM = 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs,  
tg = 20 µs  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse current  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
tgd  
max.  
max.  
250 mA  
3 µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
DIN IEC 60747-6  
Tvj = 25 °C, iGM = 1,6 A,  
diG/dt = 1,6 A/µs  
H.Sandmann  
date of publication: 2009-03-11  
prepared by:  
revision:  
2.0  
approved by: M.Leifeld  
Seite/page  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1590N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
typ.  
400 µs  
Freiwerdezeit  
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM  
tq  
circuit commutated turn-off time  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
4.Kennbuchstabe / 4th letter O  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, θ = 180°sin  
Anode / anode, DC  
RthJC  
Innerer Wärmewiderstand  
max. 0,0125 °C/W  
max. 0,0117 °C/W  
max. 0,0232 °C/W  
max. 0,0225 °C/W  
max. 0,0250 °C/W  
max. 0,0245 °C/W  
thermal resistance, junction to case  
Kathode / cathode, θ = 180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sides  
Übergangs-Wärmewiderstand  
RthCH  
0,003  
0,006  
max.  
max.  
°C/W  
°C/W  
thermal resistance, case to heatsink  
einseitig / single-sides  
125 °C  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
-40...+125 °C  
-40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Anpresskraft  
clamping force  
F
30...65 kN  
Steueranschlüsse  
control terminals  
Gate (flat)  
Gate (round, based on AMP 60598)  
Kathode / cathode  
A 2,8x0,5 mm  
Ø 1,5 mm  
A 4,8x0,5 mm  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
900 g  
Kriechstrecke  
25 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1590N  
Phase Control Thyristor  
1: Anode / Anode  
2: Kathode / Cathode  
4: Gate  
4 5  
1
2
5: Hilfskathode/  
Auxiliary Cathode  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1590N  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Kühlung /  
Pos. n  
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling  
Rthn [°C/W] 0,00003  
0,00057  
0,00298  
0,0006  
0,0023  
0,0006  
0,0030  
0,00091  
0,01350  
0,00105  
0,02400  
0,00205  
0,05700  
0,00274  
0,13400  
0,0076  
0,00424  
0,44900  
0,0085  
1,9000  
0,009  
0,0032  
2,0500  
0,00472  
6,10000  
0,00477  
6,10000  
beidseitig  
two-sided  
0,00029  
Rthn [°C/W] 0,00004  
0,00029  
Rthn [°C/W] 0,00004  
0,00029  
τn [s]  
anodenseitig  
anode-sided  
0,3100  
τn [s]  
0,00805  
0,38000  
kathodenseitig  
cathode-sided  
2,050  
τn [s]  
nmax  
-t  
τn  
=
ZthJC  
Rthn 1 e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
0,030  
0,025  
0,020  
0,015  
0,010  
0,005  
0,000  
c
a
b
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC  
thJC = f(t)  
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
Seite/page  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1590N  
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ  
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ  
Zth Θ rec / Zth Θ sin  
Kühlung / Cooling  
Θ = 180°  
Θ = 120°  
Θ = 90°  
Θ = 60°  
Θ = 30°  
Zth Θ rec  
0,00105  
0,00000  
0,00218  
0,00281  
0,00376  
[°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
Zth Θ sin  
0,00080  
0,00098  
0,00064  
0,00090  
0,00066  
0,00112  
0,00166  
0,00096  
0,00149  
0,00094  
0,00154  
0,00220  
0,00140  
0,00193  
0,00132  
0,00214  
0,00298  
0,00212  
0,00253  
0,00188  
0,00315  
0,00422  
0,00345  
0,00345  
0,00285  
[°C/W]  
Zth Θ rec  
[°C/W]  
anodenseitig  
anode-sided  
Zth Θ sin  
[°C/W]  
Zth Θ rec  
[°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
Zth Θ sin  
[°C/W]  
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec  
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin  
9.000  
8.000  
7.000  
6.000  
5.000  
4.000  
3.000  
2.000  
1.000  
Tvj = Tvj max  
0
1,1  
1,3  
1,5  
1,7  
1,9  
VT [V]  
2,1  
2,3  
2,5  
2,7  
2,9  
3,1  
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)  
Tvj = Tvj max  
Seite/page  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1590N  
Phase Control Thyristor  
6000  
180°  
120°  
0°  
180°  
0
90°  
4000  
60°  
θ = 30°  
2000  
0
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
ITAV [A]  
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV  
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current  
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ  
140  
120  
100  
80  
0°  
180°  
0
60  
40  
θ = 30°  
60°  
90°  
1500  
120°  
180°  
2000  
20  
0
500  
1000  
2500  
I
TAV [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV  
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ  
Seite/page  
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A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1590N  
Phase Control Thyristor  
8000  
180°  
0°  
DC  
0
6000  
180°  
120°  
90°  
60°  
4000  
2000  
0
θ = 30°  
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
3500  
ITAV [A]  
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV  
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current  
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ  
140  
120  
100  
80  
180°  
0°  
0
60  
40  
θ = 30°  
60°  
90°  
1500  
120°  
2000  
180°  
DC  
20  
0
500  
1000  
2500  
3000  
3500  
I
TAV [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV  
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ  
Seite/page  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1590N  
Phase Control Thyristor  
100  
c
10  
1
b
a
0,1  
10  
iG [mA]  
100  
1000  
10000  
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V  
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :  
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms  
100000  
10000  
1000  
iTM  
=
4000A  
2000A  
1000A  
500A  
200A  
100A  
-di/dt [A/µs]  
1
10  
100  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)  
Tvj= Tvjmax, vR 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM  
Seite/page  
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IFBIP D AEC / 2009-03-11, H.Sandmann  
A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1590N  
Phase Control Thyristor  
30  
20  
10  
0
0-50V  
0,33 VRRM  
0,67 VRRM  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen  
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus  
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM  
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of  
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM  
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax  
Seite/page  
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A 09/09  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1590N  
Phase Control Thyristor  
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A 09/09  

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T10A1
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T15A3

T10A1
EDAL

T15B1

T10A1
EDAL

T15B2

T10A1
EDAL