T178N12TOF(VT) [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier,;
| 型号： | T178N12TOF(VT) |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, |
| 文件： | 总10页 (文件大小：264K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T178N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1400
1600 V
1800 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1400
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1300
1500
1700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
VRSM
1900 V
300 A
ITRMSM
178 A
190 A
Dauergrenzstrom
TC = 85 °C
TC = 81 °C
ITAVM
ITSM
average on-state current
3000 A
2600 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
45 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
34 10³ A²s
DIN IEC 60747-6
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 0,75 A,
diG/dt = 0,75 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
max.
max.
1,90 V
1,18 V
Tvj = Tvj max , iT = 600 A
Tvj = Tvj max , iT = 150 A
vT
0,92 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
1,5 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
40 A ≤ iT ≤ 900 A
A=
B=
C=
D=
6,846E-01
2,008E-03
1,048E-01
-2,637E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
150 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
200 mA
800 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 0,75 A, diG/dt = 0,75 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
25 mA
4,5 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 0,75 A,
diG/dt = 0,75 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2007-08-31
prepared by:
revision:
1
approved by: J.Przybilla
A 513 MT / 11.08.86, Bösterling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T178N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
180
µs
Freiwerdezeit
tq
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
circuit commutated turn-off time
v
RM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 /µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,141 °C/W
0,133 °C/W
0,224 °C/W
0,216 °C/W
0,344 °C/W
0,336 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,015
0,030
max.
max.
°C/W
°C/W
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
2,5...5 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
Kathode / cathode
A 2,8x0,8
A 2,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
70
g
Kriechstrecke
17 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T178N
Phase Control Thyristor
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
4: Gate
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T178N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00694
0,01310
0,00909
0,02460
0,01320
0,02770
0,01430
0,0230
0,0281
0,0215
0,0640
0,0220
0,1230
0,0335
0,1340
0,0799
0,4120
0,0947
0,4730
0,0552
0,5290
0,0683
1,8800
0,1150
2,1700
0,00126
2,27000
0,01415
10,8000
0,06876
10,0000
beidseitig
two-sided
0,00073
Rthn [°C/W] 0,00755
0,00081
Rthn [°C/W] 0,00784
0,00086
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T178N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,01932
0,03175
0,04176
0,05867
0,09599
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00969
0,01928
0,00951
0,01934
0,00951
0,01429
0,03177
0,01414
0,03191
0,01420
0,02058
0,04208
0,02070
0,04246
0,02098
0,03297
0,05950
0,03393
0,06018
0,03468
0,06824
0,09709
0,07059
0,09784
0,07197
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
1.000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
Tvj = Tvj max
0
0,9
1,1
1,3
1,5
1,7
1,9
2,1
2,3
2,5
VT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T178N
Phase Control Thyristor
350
300
180°
120°
90°
0°
180°
0
250
60°
θ = 30°
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
200
20
0
50
100
150
250
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T178N
Phase Control Thyristor
500
DC
400
180°
0°
0
180°
120°
300
200
100
0
90°
60°
θ = 30°
0
50
100
150
200
250
300
350
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
θ = 30°
100
60°
90°
120°
180°
200
DC
20
0
50
150
250
300
350
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
A 513 MT / 11.08.86, Bösterling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T178N
Phase Control Thyristor
100
c
10
1
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
10000
1000
100
iTM = 500A
200A
100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
A 513 MT / 11.08.86, Bösterling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T178N
Phase Control Thyristor
3
2,5
2
1,5
1
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
A 513 MT / 11.08.86, Bösterling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T178N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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相关型号：
T178N16TOF
Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 190000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
INFINEON
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