T201N70TOH PR [INFINEON]
T201N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度 26mm。;
| 型号： | T201N70TOH PR |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | T201N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度 26mm。 |
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
Key Parameters
VDRM / VRRM
6000V … 7000V
ITAVM
245A (TC=85°C)
4700A
ITSM
vT0
1,29V
rT
4,22mΩ
40,0K/kW
7 … 12kN
58,5mm
34mm
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
26mm
For type designation please refer to actual
shortform catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
High di/dt capability
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungssanftanlasser
Statische Kompensation SVC
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Lastgeführte Umrichter
Medium Voltage Softstarter
Static Var Compensation SVC
Rectifier for Drives Applications
Load Commutating Inverter
Crowbar Applications
Kurzschließer-Applikationen
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
QR class
Revision: 7.0
Seite/page: 1/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VDRM,VRRM
Tvj = -40°C... Tvj max
TC = 85 °C
6000 V
6500 V
7000 V
385 A
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
ITRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITAVM
245 A
295 A
Dauergrenzstrom
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
average on-state current
340 A
ITSM
I²t
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
4700 A
4200 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
110,5 10³ A²s
88,2 10³ A²s
300 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
2000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 500A
Tvj = Tvj max
vT
typ.
Max.
3,25 V
3,4 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
typ.
max.
1,24 V
1,29 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
Max.
4,02 mΩ
4,22 mΩ
A
B
C
D
A
B
C
D
0,02009
0,002673
0,2013
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
50A iF 600A
Tvj = Tvj max
typ.
0,02847
-0,457
0,003951
0,4384
vT A B iT C Ln(iT 1) D iT
max.
-0,03762
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
350 mA
Zündstrom
gate trigger current
2,5 V
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
max.
max.
max.
20 mA
10 mA
0,4 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12 V
max.
max.
max.
max.
350 mA
3 A
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
IL
Einraststrom
latching current
iD, iR
100 mA
2 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
tgd
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
gate controlled delay time
date of publication: 2011-05-02
prepared by: TM
approved by: JP
revision:
7.0
Revision: 7.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
600
tq
typ.
µs
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max.
max.
3,5 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
130
A
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
max.
43,0 K/kW
40,0 K/kW
72,0 K/kW
90,0 K/kW
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max.
max.
max.
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Übergangs-Wärmewiderstand
max.
max.
6,0 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
12,0
K/kW
125 °C
Tvj max
Tc op
Tstg
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
F
7...12 kN
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,4
G
typ.
250 g
Gewicht
weight
25 mm
50 m/s²
Kriechstrecke
creepage distance
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Revision: 7.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
Revision: 7.0
Seite/page: 4/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
/
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
Rthn [K/kW]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
14,6
1,4
12,6
0,2
7,2
5
0,6
beidseitig
two-sided
0,063
7,2
0,01
5
0,002
0,6
Rthn [K/kW]
τn [s]
46,6
4,5
12,6
0,2
anodenseitig
anode-sided
0,063
7,2
0,01
5
0,002
0,6
Rthn [K/kW]
τn [s]
64,6
6,2
12,6
0,2
kathodenseitig
cathode-sided
0,063
0,01
0,002
nmax
-t
n
Analytische Funktion / analytical function:
ZthJC
Rthn 1 e
n=1
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ci
ai
bi
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Revision: 7.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
700
600
500
400
300
200
100
0
typ.
max.
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
Revision: 7.0
Seite/page: 6/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
30
20
10
c
5
b
a
-40ꢀC
2
1
+25ꢀC
+125ꢀC
0,5
0,2
2000
5000 10000
20
50
100
200
500
1000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V /
gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
Revision: 7.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 7.0
Seite/page: 8/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
350
300
250
200
150
100
50
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 7.0
Seite/page: 9/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
4,5
4
3,5
3
2,5
2
0-50V
0,33 VRRM
1,5
1
0,67 VRRM
0,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Revision: 7.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T201N
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相关型号：
T201N70TOHXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 7000V V(DRM), 7000V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
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