T2180N18TOF VT [INFINEON]

Phase Control Thyristor 1800 V, 2180 A with 100 mm diameter and a height of 26 mm assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings. The T2600N prime disc is specially optimized for UPS-Bypass applications and offers the highest current capability in the market. ;


型号：	T2180N18TOF VT
厂家：	Infineon
描述：	Phase Control Thyristor 1800 V, 2180 A with 100 mm diameter and a height of 26 mm assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings. The T2600N prime disc is specially optimized for UPS-Bypass applications and offers the highest current capability in the market.
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2180N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1400

1600 V

1800 V

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

4460

2180 A

3220 A

5050 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

44000 A

38000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

9680 10³ A²s

7220 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,75 V

1,11 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

v_T

0,90 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,106 mΩ

500A ≤ i_T≤ 10500 A

8,097E-01

7,834E-05

-3,932E-03

3,960E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

max.

2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

0,25 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4 µs

forward off-state and reverse current

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-12

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2180N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

typ.

250 µs

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

Mechanische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

max. 0,0125 °C/W

max. 0,0117 °C/W

max. 0,0232 °C/W

max. 0,0225 °C/W

max. 0,0250 °C/W

max. 0,0245 °C/W

thermal resistance, junction to case

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sides

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

0,003

0,006

max.

°C/W

thermal resistance, case to heatsink

einseitig / single-sides

125 °C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

clamping force

30...65 kN

Steueranschlüsse

control terminals

Gate (flat)

Gate (round, based on AMP 60598)

Kathode / cathode

A 2,8x0,5 mm

Ø 1,5 mm

A 4,8x0,5 mm

Gewicht

weight

typ.

900 g

Kriechstrecke

25 mm

50 m/s²

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T2180N

Phase Control Thyristor

Massbild

1: Anode / Anode

2: Kathode / Cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

Auxiliary Cathode

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2180N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJCfor DC

R,t – Werte

Diagramme

Kühlung /

Diagramme

Pos. n

Tra¹ns. Wärmewid. beid⁴seitig

Cooling

R_thn[°C/W] 0,00003

0,00057

0,00298

0,0006

0,0023

0,0006

0,0030

0,00091

0,01350

0,00105

0,02400

0,00205

0,05700

0,00274

0,13400

0,0076

0,00425

0,44900

0,0085

1,9000

0,009

0,00319

2,05000

0,00472

6,10000

0,00477

6,10000

beidseitig

two-sided

0,00029

R_thn[°C/W] 0,00004

0,00029

R_thn[°C/W] 0,00004

0,00029

τ_n[s]

anodenseitig

anode-sided

0,3100

τ_n[s]

0,00805

0,38000

kathodenseitig

cathode-sided

1,570

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

−

Z_thJC

R_thn1 e

Analytische Funktion / Analytical function:

n=1

0,030

0,025

0,020

0,015

0,010

0,005

0,000

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

_thJC= f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2180N

Erhöhung des Z_{th DC}bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ

Durchlasskennlinie

∆Z_{th Θ rec}/ ∆Z_{th Θ sin}

Kühlung / Cooling

Θ = 180°

Θ = 120°

Θ = 90°

Θ = 60°

Θ = 30°

∆Z_{th Θ rec}

0,00105

0,00170

0,00218

0,00281

0,00376

[°C/W]

beidseitig

two-sided

∆Z_{th Θ sin}

0,00080

0,00098

0,00064

0,00091

0,00067

0,00112

0,00166

0,00096

0,00150

0,00095

0,00154

0,00220

0,00140

0,00194

0,00133

0,00214

0,00298

0,00212

0,00254

0,00189

0,00315

0,00422

0,00345

0,00346

0,00286

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ sin}

12.000

10.000

8.000

6.000

4.000

2.000

T_vj= T_{vj max}

0,9

1,1

1,2

1,3

1,4

V_T[V]

1,5

1,6

1,7

1,8

1,9

2,1

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T2180N

Phase Control Thyristor

6000

Durchlassverluste

180°

120°

0°

90°

4000

60°

θ = 30°

2000

500

1000

1500

2000

2500

3000

_TAV[A]

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_TAV= f(I_TAV

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

)

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

100

0°

180°

θ = 30°

1000

60°

90°

120°

2500

180°

500

1500

I _TAV[A]

2000

3000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAV

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T2180N

Phase Control Thyristor

8000

0°

180°

6000

180°

120°

90°

60°

4000

2000

θ = 30°

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

I_TAV[A]

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_TAV= f(I_TAV

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

)

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

100

0°

180°

θ = 30°

1500

60°

2000

90°

120°

180°

3000

500

1000

2500

_TAV[A]

3500

4000

4500

5000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAV

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T2180N

Phase Control Thyristor

100

Steuerkennlinie

0,1

i_G[mA]

100

1000

10000

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 12 V

Gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms

Zündverzug

100000

10000

1000

i_TM= 4000A

2000A

1000A

500A

200A

100A

-di/dt [A/µs]

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, V_RM= 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlassstrom / On-state current i_TM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T2180N

Phase Control Thyristor

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_T(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_T(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

_T(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_vjmax

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T2180N

Phase Control Thyristor

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der

Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei

Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical

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data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is

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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

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are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

contact the sales office, which is responsible for you.

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notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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T218N1000TOF

T218N10TOF

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T218N1200TOC

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T218N12TOF

T218N1400TOC