T2563NH75TOH [INFINEON]

Photo SCR, 7500V V(DRM),;
T2563NH75TOH
型号: T2563NH75TOH
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Photo SCR, 7500V V(DRM),

光电
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T2563NH  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
7500  
7700  
8000 V  
8200 V  
5600 A  
Tvj = -40°C... Tvj max  
VRRM  
PeriodischeRückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak and reverse voltages  
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltages  
Tvj = 0°C... Tvj max  
VRRM  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
2520 A  
3570 A  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 85 °C  
TC = 60 °C  
93000 A  
90000 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
ITSM  
43250 10³ A²s  
40500 10³ A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
Tvj = 50°C, VD VBO, iT 10kA,  
5000 A/µs  
Nicht periodische kritische Stromsteilheit  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
P
LM = 40mW, trise = 0,5µs  
non periodical critical rate of rise of on-state current  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
5.Kennbuchstabe / 5th letter H  
2000 V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Schutzzündspannung (statisch)  
Protective break over voltage  
min. 7500 V  
Tvj = 25°C … Tvj max  
Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K  
für Tvj = 0°C..25°C  
VBO  
Typical de-rating factor of 0,16%/K is  
applicable for Tvj = 0°C..25°C  
typ.  
2,75 V  
2,95 V  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max , iT = 5000A, vD = 200V  
vT  
max.  
typ.  
1,12 V  
1,20 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
rT  
max.  
typ. 0,326 m  
max. 0,350 mΩ  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
typ.  
A
B
C
D
A
B
C
D
1,2357  
Durchlaßkennlinie on-state characteristic  
Tvj = Tvj max  
-2,89E-05  
-0,1322  
0,03946  
1,2406  
-2,253E-05  
-0,1232  
0,04056  
vT = A + B iT + C Ln(iT + 1) + D  
iT  
max.  
40  
mW  
minimale Zündlichtleistung  
Tvj = 25°C, vD = 200V  
Tvj = 25°C  
PLM  
IH  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
minimum gate trigger light power  
Haltestrom  
holding current  
100 mA  
1 A  
Einraststrom  
latching current  
Tvj = 25°C, vD = 200V,  
PLM = 40mW, trise = 0,5µs  
IL  
Rückwärts-Sperrstrom  
reverse blocking current  
Tvj = Tvj max  
vR = VRRM  
iR  
900 mA  
5 µs  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
DIN IEC 60747-6  
tgd  
Tvj = 25 °C, vD = 1000V ,  
P
LM = 40mW, trise = 0,5µs  
C. Schneider  
date of publication: 2005-09-12  
revision: 10  
prepared by:  
approved by: J. Przybilla  
BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller  
Seite /page  
1/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T2563NH  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Freiwerdezeit  
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM  
tq  
circuit commutated turn-off time  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
4.Kennbuchstabe / 4th letter O  
typ.  
550 µs  
22 mAs  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
Tvj = Tvj max  
Qr  
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs  
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM  
max.  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
Tvj = Tvj max  
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs  
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM  
IRM  
max.  
400  
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, DC  
RthJC  
max. 0,0048 °C/W  
max. 0,0045 °C/W  
max. 0,0082 °C/W  
max. 0,0100 °C/W  
Kathode / cathode, DC  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
0,001  
0,002  
max.  
max.  
°C/W  
°C/W  
einseitig / single-sided  
120 °C  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
-40...+120 °C  
-40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Anpresskraft  
clamping force  
F
90...130 kN  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
4000 g  
Kriechstrecke  
49 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
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2/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T2563NH  
Phase Control Thyristor  
4.1  
1: Anode/Anode  
2: Kathode/Cathode  
4.1: Gate  
1
2
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3/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T2563NH  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
0,00206  
1,6  
0,0016  
0,27  
0,00076  
0,026  
0,00008  
0,0054  
0,00038  
0,01079  
0,00046  
0,0119  
Rthn [°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
τn [s]  
0,00467  
11,128  
0,00666  
8,2498  
0,00184  
1,0396  
0,00164  
1,2122  
0,00131  
0,09265  
0,00124  
0,1124  
Rthn [°C/W]  
anodenseitg  
anode-sided  
τn [s]  
Rthn [°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
τn [s]  
nmax  
-t  
τn  
Analytische Funktion / Analytical function:  
=
ZthJC  
Rthn 1 e  
Σ
n=1  
0,012  
0,01  
c
a
0,008  
0,006  
0,004  
0,002  
0
d
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC  
d : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
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4/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T2563NH  
Phase Control Thyristor  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
typ.  
m ax  
0
0
0,5  
1
1,5  
2
2,5  
3
3,5  
4
vT [V]  
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)  
Tvj = Tvj max  
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5/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T2563NH  
Phase Control Thyristor  
4 5  
4 0  
3 5  
3 0  
2 5  
2 0  
1 5  
1 0  
5
0
0
5
1 0  
1 5  
2 0  
2 5  
3 0  
3 5  
-d i/d t [A /µs ]  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM  
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Seite /page  
6/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T2563NH  
Phase Control Thyristor  
1 0 0 0  
9 0 0  
8 0 0  
7 0 0  
6 0 0  
5 0 0  
4 0 0  
3 0 0  
2 0 0  
1 0 0  
0
0
5
1 0  
1 5  
2 0  
2 5  
3 0  
3 5  
-d i/d t [A /µs ]  
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)  
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM  
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7/8  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T2563NH  
Phase Control Thyristor  
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HMSEMI

T25D128ABEPT

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T25D128ABIGT

3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI
HMSEMI

T25D128ABIPR

3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI
HMSEMI

T25D128ABIPT

3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI
HMSEMI

T25D128ADEGT

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HMSEMI

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HMSEMI

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HMSEMI

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