T3800N18TOF VT [INFINEON]
直径111 mm、高度26 mm的1800 V、3800 A 相位控制晶闸管，采用高度可靠、坚固且密封式的陶瓷封装。该T3800N Prime Disc专为UPS-旁路应用而优化，电流能力为市场最高水平。;
| 型号： | T3800N18TOF VT |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 直径111 mm、高度26 mm的1800 V、3800 A 相位控制晶闸管，采用高度可靠、坚固且密封式的陶瓷封装。该T3800N Prime Disc专为UPS-旁路应用而优化，电流能力为市场最高水平。 |
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
Key Parameters
VDRM / VRRM
1600V - 1800V
ITAVM
3800A (TC=85 °C)
ITSM
67000A
0,80V
VT0
rT
0,080mΩ
7,8K/kW
42...95kN
111 mm
75 mm
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
26,5 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
High surge current capability
Industial standard package
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Industrie-Standard-Gehäuse
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser
Soft starter
Mittelspannungsumrichter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Medium voltage converters
Rectifier for drives applications
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
serial number
SP material number
1..7
7
9
2
2
2
4
4
4 5
8..16
1
2
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
QR class (optional)
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of publication: 2022-05-09
Seite/page 1/10
Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1600 V
1800 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
VDSM
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
TC = 85°C
non-repetitive peak forward off-state voltage
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
5970
A
Durchlassstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMS
3800 A
Dauergrenzstrom
TC = 85°C
ITAVM
average on-state current
5170 A
8120 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55°C, θ = 180°sin, tP = 10ms
ITAVM
ITRMS
ITSM
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
67000 A
60000 A
57000 A
22445 10³ A²s
18000 10³ A²s
16245 10³ A²s
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = 125°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = 125°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
200 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max
max
1,28 V
0,80 V
0,08 mΩ
Tvj = Tvj max, iT = 6kA
Tvj = Tvj max
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
Durchlasskennlinie
400A ≤ iT ≤ 7600A
Tvj = Tvj max
A=
6,028E-01
on-state characteristic
B=
C=
D=
3,721E-05
-3,117E-03
6,284E-03
vT A B iT C ln(iT 1) D iT
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12V
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
0,25 V
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
300 mA
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs,
tg = 20 µs
IL
max. 1500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
tgd
max.
max.
500 mA
4 µs
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25°C, iGM = 1A,
diG/dt = 1A/µs
HR
date of publication: 2022-05-09
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3.2
approved by: MS
Date of publication: 2022-05-09
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Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
8,5 K /kW
7,8 K/kW
15,2 K/kW
14,6 K/kW
18,3 K/kW
16,9 K/kW
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
2,5
5,0
max.
max.
K/kW
K/kW
135 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+135 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
F
42...95 kN
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
1200 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
vibration resistance
Date of publication: 2022-05-09
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Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
Date of publication: 2022-05-09
Seite/page 4/10
Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
0
1
Rthn [K/kW]
3,38
2,8
1,23
0,39
0,03
0
beidseitig
two-sided
1,0914
6,68
0,2068
4,34
0,0152
1,30
0,00392
1,90
0,00006
0,37
1
0,01
0,00001
0
n [s]
Rthn [K/kW]
anodenseitig
anode-sided
1,54000
5,10
0,34700
8,02
0,13500
3,02
0,00951
0,73
0,00182
0,03
n [s]
Rthn [K/kW]
kathodenseitig
cathode-sided
1,110
0,135
0,0215
0,00341
0,00004
1
n [s]
nmax
-t
n
Rthn 1 e
ZthJC
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
18
16
14
12
10
8
c
a
b
6
4
2
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Date of publication: 2022-05-09
Seite/page 5/10
Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ sin / ΔZth Θ rec
ΔZth Θ sin180°
ΔZth Θ rec 180°
ΔZth Θ rec 120°
ΔZth Θ rec 90°
ΔZth Θ rec 60°
ΔZth Θ rec 30°
Kühlung / Cooling
[K/kW]
[K/kW]
0,837
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
beidseitig
two-sided
0,693
1,118
1,441
1,304
2,279
2,615
1,612
2,885
3,219
2,007
3,719
3,987
2,592
4,922
5,057
anodenseitig
anode-sided
1,425
1,696
kathodenseitig
cathode-sided
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
8.000
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
Tvj = Tvj max
0
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
VT [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
Date of publication: 2022-05-09
Seite/page 6/10
Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
100
10
1
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
100000
10000
1000
iTM
=
5000A
2000A
1000A
500A
200A
100A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
Date of publication: 2022-05-09
Seite/page 7/10
Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
10000
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
DC
rec
180°
sin
180°
rec
120°
rec
90°
rec
60°
θ =
rec 30°
0
1000
2000
3000
4000
ITAV [A]
5000
6000
7000
8000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
60
40
θ =
rec 30°
rec
60°
rec
90°
rec
120°
rec
180°
sin
180°
DC
20
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
Date of publication: 2022-05-09
Seite/page 8/10
Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
60
50
40
30
20
10
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Date of publication: 2022-05-09
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Revision: 3.2
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T3800N
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-
-
-
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den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
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-
-
-
to perform joint Risk and Quality Assessments;
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and that we may make delivery depended on the realization of any such
measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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