T4001N50TOH [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 8200A I(T)RMS, 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1 Element;型号: | T4001N50TOH |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 8200A I(T)RMS, 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1 Element 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4001N
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / M aximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM 4800
5200
5000 V
5350 V
repetiti ve peak forward off-state and reverse voltages
Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung Tvj = 0°C... Tvj max
VDRM,VRRM 4950
5350
5150 V
5500 V
repetiti ve peak forward off-state and revers e voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maxi mum RMS on-stat e current
ITRMSM
ITAVM
8200 A
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
TC = 85 °C
TC = 60 °C
3880 A
5220 A
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
105000 A
100000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
55000 10³ A²s
50000 10³ A²s
Kritische Str omsteilheit
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
300 A/µs
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuc hstabe / 5th letter H
2000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = Tvj max , iT = 6000A
Tvj = Tvj max
v
typ.
1,67 V
1,8 V
T
max.
on-state voltage
Schleus ens pannung
threshold voltage
V(TO)
rT
typ.
0,83 V
0,93 V
max.
Ersatzwi derstand
slope resistanc e
Tvj = Tvj max
typ. 0,140 mΩ
max. 0,145 mΩ
Durchlaßkennlinie
Tvj = Tvj max
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
0,25
0,0000921
0,0499
0,00565
1,192
on-state c haracteristic
vT = A + B iT + C Ln (iT + 1) + D
iT
max.
0,0000226
-0,1375
0,02157
Zündstr om
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
350 mA
Zünds pannung
gate trigger voltage
max.
3,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse c urrent
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
tgd
900 mA
2 µs
Zündverzug
gate controlled delaytime
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
C. Schneider
date of publication: 2005-04-15
prepar ed by:
revision:
4
approved by: J. Przybilla
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4001N
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuc hstabe / 4th letter O
typ.
550 µs
28 mAs
Sperr verzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
Qr
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
max.
Rückstr omspitze
peak reverse r ecover y c urrent
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
IRM
max.
600
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJ C
max. 0,0048
max. 0,0045
max. 0,0082
max. 0,0100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Kathode / c athode, DC
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
Übergangs-Wärmewi derstand
RthCH
max.
°C/W
°C/W
125 °C
thermal resistance, case to heatsink
0,001
einseitig / single-sided
max. 0,002
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebs temperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
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page 3
Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft
clampi ng force
F
90...130 kN
Steueransc hlüss e
control terminals
DIN 46244
f = 50 Hz
Gate
Kathode /Cathode
A 4, 8x0, 8
A 6, 3x0, 8
Gewicht
weight
G
typ.
4300 g
Kriechstrecke
creepage distance
49 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 4001N
Phase Control Thyristor
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4001N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W] 0,00206
0,0016
0,27
0,00076
0,026
0,00007
0,0047
0,00038
0,01079
0,00046
0,0119
beidseitig
two-sided
1,6
τn [s]
Rthn [°C/W]
0,0047
11, 2
0,00188
1,0565
0,00131
0,09265
0,00124
0,1124
anodenseitg
anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,00674 0,00168
8,35 1,242
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
Analytische Funktion / Analytical function:
=
−
1 e
ZthJC
R
Σ
thn
n=1
0,012
0,01
c
a
0,008
0,006
0,004
d
0,002
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z th JC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 4001N
Phase Control Thyristor
90 0 0
80 0 0
70 0 0
60 0 0
50 0 0
40 0 0
30 0 0
20 0 0
10 0 0
typ .
m a x.
0
0
0, 5
1
1 ,5
2
2, 5
v T [V ]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 4001N
Phase Control Thyristor
30
20
10
5
c
b
a
-40°C
+25°C
2
vG [V]
+125°C
1
0,5
0,2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000 10000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (i G) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM =f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 4001N
Phase Control Thyristor
60
50
40
30
20
10
0
0
5
1 0
1 5
2 0
25
30
3 5
-d i/d t [A /µ s ]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 4001N
Phase Control Thyristor
16 0 0
14 0 0
12 0 0
10 0 0
8 0 0
6 0 0
4 0 0
2 0 0
0
0
5
10
1 5
2 0
25
3 0
3 5
-d i/ dt [A /µ s ]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4001N
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-
-
-
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-
-
-
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BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Seite/page
9/9
相关型号:
T4002-0.02M-TL
HCMOS Output Clock Oscillator, 0.02MHz Min, 100MHz Max, 0.02MHz Nom, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, 4 PIN
CTS
T4002-100M-TL
HCMOS Output Clock Oscillator, 0.02MHz Min, 100MHz Max, 100MHz Nom, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, 4 PIN
CTS
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