T4021N52TOH [INFINEON]
T4021N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 172mm,高度 35mm。;型号: | T4021N52TOH |
厂家: | Infineon |
描述: | T4021N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 172mm,高度 35mm。 栅 栅极 |
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
Key Parameters
VDRM / VRRM
4800V … 5350V
ITAVM
3880A (TC=85°C)
105000A
0,93V
ITSM
vT0
rT
0,145mΩ
4,3K/kW
90 … 130kN
172mm
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
115mm
35mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
High di/dt capability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
Typische Anwendungen
Typical Applications
Statische Kompensation SVC
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Static Var Compensation SVC
Rectifier for Drives Applications
Medium Voltage Drives
Lastgeführte Umrichter
Load Commutating Inverter
Crowbar Applications
Kurzschließer-Applikationen
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
QR class
Revision: 6.0
Seite/page: 1/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VDRM,VRRM
Tvj = -40°C... Tvj max
4800 V
5000 V
5200 V
5350 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
ITRMSM
6100 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
ITAVM
3880 A
4720 A
Dauergrenzstrom
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
average on-state current
5460 A
ITSM
I²t
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
105000 A
100000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
55000 10³ A²s
50000 10³ A²s
300 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
2000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 6000A
Tvj = Tvj max
vT
typ.
Max.
1,67 V
1,8 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
typ.
max.
0,83 V
0,93 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
typ.
0,14 mΩ
Max. 0,145 mΩ
A
B
C
D
A
B
C
D
0,25
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
600A iF 7000A
Tvj = Tvj max
typ.
0,000092
0,0499
0,00565
1,192
max.
vT A B iT C Ln(iT 1) D iT
0,000023
-0,1375
0,02157
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
350 mA
Zündstrom
gate trigger current
max.
3,5 V
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12 V
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
Einraststrom
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
latching current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
900 mA
2 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
gate controlled delay time
date of publication: 2011-05-02
prepared by: TM
approved by: JP
revision:
6.0
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
550
tq
typ.
µs
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max.
max.
28 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
600
A
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
max.
4,5 K/kW
4,3 K/kW
7,8 K/kW
9,6 K/kW
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max.
max.
max.
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Übergangs-Wärmewiderstand
max.
max.
1,0 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
2,0
K/kW
125 °C
Tvj max
Tc op
Tstg
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
F
90...130 kN
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
G
typ.
4000 g
Gewicht
weight
49 mm
50 m/s²
Kriechstrecke
creepage distance
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
Revision: 6.0
Seite/page: 4/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
/
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
Rthn [K/kW]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
1,65
1,88
5,05
5,86
6,85
7,87
1,71
0,29
1,81
0,31
1,81
0,31
0,67
0,054
0,67
0,054
0,67
0,054
0,26
0,008
0,26
0,008
0,26
0,008
0,01
beidseitig
two-sided
0,0025
0,01
Rthn [K/kW]
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
0,0025
0,01
Rthn [K/kW]
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
0,0025
nmax
-t
n
Analytische Funktion / analytical function:
ZthJC
Rthn 1 e
n=1
12
10
8
ci
ai
6
4
bi
2
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
typ.
max.
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
30
20
10
c
5
b
a
-40ꢀC
2
1
+25ꢀC
+125ꢀC
0,5
0,2
2000
5000 10000
20
50
100
200
500
1000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V /
gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
Revision: 6.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 6.0
Seite/page: 8/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 6.0
Seite/page: 9/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
120
100
80
60
40
20
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Revision: 6.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4021N
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相关型号:
T4021N52TOHHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element
INFINEON
T4021N52TOHXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
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