T501N70TOH [INFINEON]

T501N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 76mm，高度 26mm。;


型号：	T501N70TOH
厂家：	Infineon
描述：	T501N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 76mm，高度 26mm。
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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Key Parameters

enndaten

V_DRM/ V_RRM

6000V … 7000V

I_TAVM

640A (T_C=85°C)

13500A

1,3V

I_TSM

v_T0

r_T

1,35mΩ

17,0K/kW

15 … 24kN

76mm

R_thJC

Clamping Force

Max. Diameter

Contact Diameter

Height

50mm

26mm

For type designation please refer to actual shortform

catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale

Features



Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten

Temperaturbereich



Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature

range



Hohe DC Sperrstabilität



High DC blocking stability

High surge current capability

High case non-rupture current

High di/dt capability

Hohe Stoßstrombelastbarkeit

Hoher Gehäusebruchstrom

Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit

Typische Anwendungen

Typical Applications



Mittelspannungssanftanlasser

Statische Kompensation SVC

Gleichrichter für Antriebsapplikationen

Lastgeführte Umrichter



Medium Voltage Softstarter

Static Var Compensation SVC

Rectifier for Drives Applications

Load Commutating Inverter

Crowbar Applications

Kurzschließer-Applikationen

content of customer DMX code

DMX code

digit

DMX code

digit quantity

serial number

1..7

8..16

SP material number

datecode (production day)

datecode (production year)

datecode (production month)

vT class

17..18

19..20

21..22

23..26

27..30

www.ifbip.com

support@infineon-bip.com

QR class

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Date of Publication: 2011-05-02

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_DRM,V_RRM

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_C= 85 °C

6000 V

6500 V

7000 V

1000 A

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Elektrische Eigenschaften

repetitive peak forward off-state and reverse voltage

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TAVM

640 A

770 A

Dauergrenzstrom

T_C= 85 °C

T_C= 70 °C

T_C= 55 °C

average on-state current

890 A

I_TSM

I²t

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

13500 A

13000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

910 10³ A²s

845 10³ A²s

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

2000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter H

critical rate of rise of off-state voltage

Charakteristische Werte / characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000A

T_vj= T_{vj max}

v_T

typ.

Max.

2,55 V

2,65 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

typ.

max.

1,25 V

1,3 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

typ.

Max.

1,3 mΩ

1,35 mΩ

-0,0927

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

100A  i_F 1200A

T_vj= T_{vj max}

typ.

0,000967

0,1815

0,01334

-0,0921

0,001

v_T A  B  i_T C  Ln(i_T 1)  D  i_T

max.

0,1841

0,0149

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

350 mA

Zündstrom

gate trigger current

max.

2,5 V

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

max.

20 mA

10 mA

0,4 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

max.

350 mA

3 A

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

T_vj= T_{vj max}

I_L

Einraststrom

latching current

i_D, i_R

200 mA

2 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

t_gd

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

gate controlled delay time

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Charakteristische Werte / characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

600

t_q

typ.

µs

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

Mechanische Eigenschaften

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

T_vj= T_{vj max}

Q_r

max.

7,2 mAs

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I_RM

210

T_vj= T_{vj max}

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

max.

18,5 K/kW

17,0 K/kW

30,5 K/kW

38,5 K/kW

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

max.

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

R_thCH

Übergangs-Wärmewiderstand

max.

5,0 K/kW

thermal resistance, case to heatsink

10,0

K/kW

125 °C

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

15...24 kN

Anpresskraft

clamping force

Steueranschlüsse

control terminals

DIN 46244

Gate

Kathode /Cathode

A 2,8x0,8

A 4,8x0,8

typ.

550 g

Gewicht

weight

25 mm

50 m/s²

Kriechstrecke

creepage distance

f = 50 Hz

Schwingfestigkeit

vibration resistance

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Maßbild

1: Anode/anode

2: Kathode/cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

cathode (control terminal)

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

Durchlasskennlinie

Pos. n

R_thn[K/kW]

τ_n[s]

8,48

0,676

19,2

4,13

28,1

4,13

2,43

0,132

2,3

3,04

0,062

2,8

2,72

0,33

beidseitig

two-sided

0,0134

3,66

0,0019

2,54

R_thn[K/kW]

τ_n[s]

anodenseitig

anode-sided

0,4

0,154

4,87

0,126

0,0607

2,37

0,0101

2,1

R_thn[K/kW]

τ_n[s]

1,06

0,45

kathodenseitig

cathode-sided

0,0374

0,0091

n_max

-t

_n





Analytische Funktion / analytical function:

Z_thJC

R_thn1 e



n=1

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z _thJC= f(t) for DC

a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling

b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling

c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

1400

Durchlassverluste

1200

1000

800

600

400

200

typ.

max.

0,5

1,5

2,5

3,5

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Steuerkennlinie

-40ꢀC

+25ꢀC

+125ꢀC

Zündverzug

0,5

0,2

2000

5000 10000

100

200

500

1000

i_G[mA]

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 12 V /

gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

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technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

-di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

600

500

400

300

200

100

-di/dt [A/µs]

Rückstromspitze / peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

10 11 12 13 14 15 16 17

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_T(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.

Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_T(OV)Mas a number of a sequence of sinusoidal half waves

at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

I_T(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_vjmax

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T501N

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der

Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei

Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please

notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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T501N70TOH [INFINEON]

相关型号：

T501N70TOHXPSA1

T502-010.00M

T502-010.0M

T502-010.24M

T502-012.50M

T502-012.5M

T502-012.80M

T502-012.8M

T502-013.50M

T502-013.5M

T502-019.2M

T502-019.44M