T560N16TOFHOSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 1260A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element;
| 型号： | T560N16TOFHOSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 1260A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T560N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
PeriodischeVorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
1200
1400
1600 V
1800 V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
1200
1400
1600 V
1800 V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1300
1500
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
809 A
559 A
800 A
1260 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
TC = 85 °C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
ITRMS
8000 A
6900 A
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
320 10³ A²s
238 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
120 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
1,92 V
1,08 V
Tvj = Tvj max, iT = 1600 A
Tvj = Tvj max, iT = 300 A
vT
0,8 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,6 mΩ
100 A ≤ iT ≤ 2800 A
A=
9,385E-01
B=
C=
D=
3,384E-04
-5,551E-02
2,001E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
200 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
2 V
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,2 V
Haltestrom
holding current
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
50 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2009-12-07
prepared by:
revision:
3.1
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-12-07, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T560N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,044 °C/W
0,042 °C/W
0,067 °C/W
0,065 °C/W
0,121 °C/W
0,119 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,0075
0,0150
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
5...10 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
110
g
Kriechstrecke
creepage distance
6
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T560N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T560N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
[°C/W] 0,0013834
Cooling
Rthn
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,00383
0,00027
Rthn [°C/W] 0,00383
0,00027
0,00657
0,00221
0,00657
0,00221
0,00657
0,00221
0,019
0,075
0,019
0,075
0,019
0,075
0,01
0,31
0,01
0,51
0,01
1,81
0,0026
1,4900
0,0256
2,4900
0,0796
3,0900
beidseitig
two-sided
0,00027
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T560N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,01169
0,02180
0,03066
0,04578
0,07995
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00182
0,01167
0,00180
0,01168
0,00180
0,00508
0,02177
0,00505
0,02178
0,00504
0,01005
0,03063
0,01002
0,03064
0,01002
0,01942
0,04574
0,01938
0,04575
0,01938
0,04343
0,07992
0,04340
0,07994
0,04342
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
Tvj = Tvj max
0
0,5
1
1,5
VT [V]
2
2,5
3
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T560N
Phase Control Thyristor
900
800
180°
120°
700
600
500
400
300
200
100
0
0°
180°
90°
0
60°
θ = 30°
0
100
200
300
ITAV [A]
400
500
600
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
60
40
θ = 30°
200
60°sin
300
90°sin
400
120°sin
180°sin
500
0°
180°
0
20
0
100
600
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T560N
Phase Control Thyristor
1200
DC
1000
0°
180°
0
180°
800
600
400
200
0
120°
90°
60°
θ = 30°
0
100
200
300
400
500
TAV [A]
600
700
800
900
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
200
120°
DC
60°
300
90°
180°
600
20
0
100
400
500
TAV [A]
700
800
900
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T560N
Phase Control Thyristor
100
10
1
d
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms d – 150W / 0,1ms
10000
1000
100
iTM
=
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T560N
Phase Control Thyristor
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T560N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
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Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei
Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
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相关型号：
T560N16TOFXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1260A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T560N18TOF
Silicon Controlled Rectifier, 1260A I(T)RMS, 559000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T560N18TOFHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1260A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T560N18TOFXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1260A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T5621-0.0016M
HCMOS Output Clock Oscillator, 0.0016MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, LCC-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5621-100M
HCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, LCC-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5621-150M
Oscillator,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5621-40M
HCMOS Output Clock Oscillator, 40MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, LCC-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5621-FREQ
HCMOS Output Clock Oscillator, 0.016MHz Min, 100MHz Max, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, LCC-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5622-0.016M
Oscillator,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5622-150M
Oscillator,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
T5623-0.0016M
HCMOS Output Clock Oscillator, 0.0016MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, LCC-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
CTS
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