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T599F13TFM [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 600000mA I(T), 1200V V(DRM);
T599F13TFM
型号： T599F13TFM
厂家： Infineon    Infineon
描述：

Silicon Controlled Rectifier, 600000mA I(T), 1200V V(DRM)

栅 栅极
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Technische Information / Technical Information  
Schneller Thyristor  
F
Fast Thyristor  
T 599 F 12...13  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
VDRM , VRRM  
1200  
1300  
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
VDSM  
1200  
1300  
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
1300  
1400  
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMSM on-state current  
ITRSMSM  
1500  
A
TC = 85 °C  
TC = 47 °C  
Dauergrenzstrom  
ITAVM  
599  
960  
A
A
average on-state current  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
ITSM  
11.300  
10.000  
A
A
A²s*103  
A²s*103  
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
638  
500  
Kritische Stromsteilheit  
DIN IEC 747-6  
f=50 Hz, iGM = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
(diT/dt)cr  
200  
A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
(dvD/dt)cr  
1)  
50  
2)  
critical rate of rise of off-state voltage  
5. Kennbuchstabe / 5th letter B  
5. Kennbuchstabe / 5th letter C  
5. Kennbuchstabe / 5th letter L  
5. Kennbuchstabe / 5th letter M  
50  
V/µs  
500  
500  
1000  
500 V/µs  
50 V/µs  
500 V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iT = 1000 A  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
vT  
max. 1,66  
1,15  
V
Tvj = Tvj max  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
VT(TO)  
V
mW  
Tvj = Tvj max  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
rT  
0,42  
Tvj = 25°C, vD =12 V  
Tvj = 25°C, vD = 12V  
Zündstrom  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max. 250  
max. 2,2  
mA  
V
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 12 V  
Nicht zündener Steuerstrom  
gate non-trigger current  
max. 10  
max. 5  
mA  
mA  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündene Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
max. 0,25  
max. 250  
max. 1000  
V
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RA = 10 W  
Haltestrom  
mA  
mA  
holding current  
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK>= 10 W  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
tg = 20 µs  
Einraststrom  
IL  
latching current  
Tvj = Tvj max  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
iD, iR  
max. 100  
max. 1,5  
mA  
µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
tgd  
Tvj = 25°C  
gate controlled delay time  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).  
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für tq ./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,  
see parameters tq.  
SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther  
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Technische Information / Technical Information  
Schneller Thyristor  
F
Fast Thyristor  
T 599 F 12...13  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM  
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = siehe 5. Kennbuchstabe  
-diT/dt = 20 A/µs  
Freiwerdezeit  
tq  
circuit commutatet turn-off time  
4. Kennbuchstabe  
K
G
F
max. 40  
max. 30  
max. 25  
max. 20  
µs  
µs  
µs  
µs  
4. Kennbuchstabe  
4. Kennbuchstabe  
4. Kennbuchstabe  
E
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
RthJC  
beidseitig / two-sided, q=180°sin  
thermal resitance, junction to case  
max. 0,038  
max. 0,036  
°C/W  
°C/W  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, q=180°sin  
max. 0,0675 °C/W  
Anode / anode, DC  
max. 0,065  
max. 0,082  
max. 0,080  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Kathode / cathode, q=180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Übergangs- Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
RthJK  
thermal resitance, case to heatsink  
max. 0,005  
max. 0,010  
°C/W  
°C/W  
einseitig / single-sided  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
max. junction temperature  
Tvj max  
125  
°C  
Betriebstemperatur  
Tc op  
-40...125  
-40...150  
°C  
°C  
operating temperature  
Lagertemperatur  
Tstg  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
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case, see appendix  
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate  
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate  
Anpreßkraft  
F
9...18  
kN  
g
clamping force  
Gewicht  
weight  
G
typ. 280  
Kriechstrecke  
25  
C
mm  
creepage distance  
Feuchteklasse  
DIN 40040  
f = 50Hz  
humidity classification  
Schwingfestigkeit  
50  
m/s²  
vibration resistance  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt  
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but  
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.  
SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther  
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Technische Information / Technical Information  
Schneller Thyristor  
F
Fast Thyristor  
T 599 F 12...13  
SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther  
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Technische Information / Technical Information  
Schneller Thyristor  
Fast Thyristor  
F
T 599 F 12...13  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC  
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC  
Kühlung  
cooling  
Pos.n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
0,00308 0,00451 0,0111 0,01215  
0,00114 0,0145 0,0716 0,463  
0,005  
2,8  
t [s]  
n
Rthn [°C/W]  
anodenseitig  
anode-sided  
0,00315 0,00565 0,0131 0,0186  
0,00116 0,0169 0,1 0,69  
0,0128 0,0117  
t [s]  
n
5
36  
Rthn [°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
0,00315 0,00565 0,0131 0,0186  
0,00116 0,0169 0,1 0,69  
0,0195  
5
0,02  
36  
t [s]  
n
n max  
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = å Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))  
n=1  
SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther  
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Technische Information / Technical Information  
Schneller Thyristor  
Fast Thyristor  
F
T 599 F 12...13  
4.000  
3.500  
3.000  
2.500  
2.000  
1.500  
1.000  
500  
0
0,5  
1
1,5  
2
2,5  
3
vT [V]  
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iT = f(vT)  
Tvj = Tvj max  
SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther  
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相关型号：

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T599F13TGC

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T599F13TGL

 Silicon Controlled Rectifier, 600000mA I(T), 1200V V(DRM)
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T599F13TKL

 Silicon Controlled Rectifier, 600000mA I(T), 1300V V(DRM)
INFINEON

T599F13TKM

 Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element,
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T5B-1-102/EA/SVB

 ISOLATOR FLUSH 63A 2 POLE
ETC

T5B-1-102/V/SVB

 ISOLATOR INT＇LOCK 63A 2 POLE
ETC

T5B-1-8200/EA/SVB

 ISOLATOR FLUSH 63A 1 POLE
ETC

T5B-1-8200/V/SVB

 ISOLATOR INT＇LOCK 63A 1 POLE
ETC

T5B-4-15164/S/SVB-SOND(FARN537792)

 ISOLATOR 6P 63A
ETC

T5CL8

 T5CL8
TOSHIBA

T5L1.2

 Step-down DC-DC Converter IC
TOSHIBA
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