T600F12TKM [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier;


型号：	T600F12TKM
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier
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Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 600 F 12...13

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM, V_RRM

1200

1300

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

1200

1300

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

1300

1400

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

1500

T_C= 85 °C

T_C= 47 °C

Dauergrenzstrom

I_TAVM

600

960

average on-state current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

11.300

10.000

A²s*10³

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

638

500

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

f=50 Hz, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

(di_T/dt)_cr

200

A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of off-state voltage

5. Kennbuchstabe / 5th letter B

5. Kennbuchstabe / 5th letter C

5. Kennbuchstabe / 5th letter L

5. Kennbuchstabe / 5th letter M

V/µs

500

1000

500 V/µs

50 V/µs

500 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

Durchlaßspannung

on-state voltage

v_T

max. 1,66

1,15

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_T(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

0,42

T_vj= 25°C, v_D=12 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

Zündstrom

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max. 250

max. 2,2

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

max. 10

max. 5

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max. 0,25

max. 250

max. 1000

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_A= 10 W

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK>= 10 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

Einraststrom

I_L

latching current

T_vj= T_{vj max}

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

i_D, i_R

max. 100

max. 1,5

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).

2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t_q./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,

see parameters t_q.

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Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 600 F 12...13

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_TM=I_TAVM

v_RM=100V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = siehe 5. Kennbuchstabe

-diT/dt = 20 A/µs

Freiwerdezeit

t_q

circuit commutatet turn-off time

4. Kennbuchstabe

max. 40

max. 30

max. 25

max. 20

µs

4. Kennbuchstabe

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided, q=180°sin

thermal resitance, junction to case

max. 0,038

max. 0,036

°C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, q=180°sin

max. 0,0675 °C/W

Anode / anode, DC

max. 0,065

max. 0,082

max. 0,080

°C/W

Kathode / cathode, q=180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thJK

thermal resitance, case to heatsink

max. 0,005

max. 0,010

°C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

125

°C

Betriebstemperatur

T_{c op}

-40...125

-40...150

°C

operating temperature

Lagertemperatur

T_stg

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

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case, see appendix

Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate

Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft

9...18

clamping force

Gewicht

weight

typ. 250

Kriechstrecke

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

f = 50Hz

humidity classification

Schwingfestigkeit

m/s²

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 600 F 12...13

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Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 600 F 12...13

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical ementes of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Kühlung

cooling

Pos.n

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

0,00308 0,00451 0,0111 0,01215

0,00114 0,0145 0,0716 0,463

0,005

2,8

t [s]

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

0,00315 0,00565 0,0131 0,0186

0,00116 0,0169 0,1 0,69

0,0128 0,0117

t [s]

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

0,00315 0,00565 0,0131 0,0186

0,00116 0,0169 0,1 0,69

0,0195

0,02

t [s]

n _max

Analytische Funktion / analytical function : Z_thJC= å R_thn( 1 - EXP ( - t / t_n))

n=1

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Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 600 F 12...13

4.000

3.500

3.000

2.500

2.000

1.500

1.000

500

0,5

1,5

2,5

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther

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T600F12TKM [INFINEON]

相关型号：

T600F13TKC

T600F13TKL

T60100-1C

T60100-2C

T60100-3C

T602-006.40M

T602-009.72M

T602-010.00M

T602-010.0M

T602-010.24M

T602-012.80M

T602-012.8M