T659N26TOF [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element;


型号：	T659N26TOF
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element 栅栅极
文件：	总4页 (文件大小：180K)
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European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

T 659 N

ø36

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

plug 4,8 x 0,8

plug

2,8 x 0,8

SDB-MA 22.11.1996

T 659 N

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte

Electrical properties

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and

t_vj= -40°C...t_{vj max}

t_vj= +25°C...t_{vj max}

V_DRM, V_RRM

V_DSM

2200 2400 2600 V

2300 2500 2700 V

Spitzensperrspannung

reverse voltages

non-repetitive peak forward off-state

voltage

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

I_TRMSM

I_TAVM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Dauergrenzstrom

RMS on-state current

1500 A

659 A

t_c= 85°C

average on-state current

t_c= 56°C

955 A

t_vj= 25°C, t_p= 10 ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10 ms

t_vj= 25°C, t_p= 10 ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10 ms

DIN IEC 747-6, f= 50 Hz,

v_L=10 V, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

Grenzlastintegral

surge current

13000 A

11500 A

A²s

845000

I²t-value

I²t

A²s

660000

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

Kritische Stromsteilheit

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of on-state current

critical rate of rise of off-state voltage

150 A/µs

t_vj= t_{vj max}, v_D=0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe/5th letter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte

Durchlaßspannung

Schleusenspannung

Ersatzwiderstand

Characteristic values

on-state voltage

threshold voltage

t_vj= t_{vj max}, i_T= 2850 A

v_T

max. 2,53 V

1 V

0,5

t_vj= t_{vj max}

V_T(TO)

r_T

t_vj= t_{vj max}

slope resistance

t_vj= 25 °C, v_D= 6 V

I_GT

Zündstrom

gate trigger current

gate trigger voltage

gate non-trigger current

max. 250 mA

max. 2,2 V

_vj= 25 °C, v_D= 6 V

t_vj= t_{vj max}, v_D= 6 V

_vj= t_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GT

I_GD

Zündspannung

Nicht zündender Steuerstrom

max. 10 mA

max. 5 mA

t_vj= t_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

Nicht zündende Steuerspannung

Haltestrom

gate non-trigger voltage

holding current

max. 0,25 V

max. 300 mA

max. 1500 mA

t_vj= 25 °C, v_D= 6 V, R_A= 5 W

t_vj= 25 °C,v_D= 6 V, R_GK³ 10 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

t_vj= t_{vj max,}v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6, t_vj=25°C, i_GM=1A,

I_L

Einraststrom

latching current

i_D, i_R

t_gd

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

Zündverzug

forward off-state and reverse currents

gate controlled delay time

max. 100 mA

max. 4 µs

di_G/dt=1A/µs

t_vj=t_{vj max}, i_TM=i_TAVM, v_RM=100 V, v_DM=0,67

t_q

Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off time

v_DRM, dv_D/dt=20V/µs,-di_T/dt=10A/µs,

4.Kennbuchstabe/4th letter O

typ. 300 µs

Thermische Eigenschaften

Innerer Wärmewiderstand

Thermal properties

thermal resistance, junction to case

R_thJC

Kühlfläche/cooling surface

beidseitig/two-sided, Q =180° sin

beidseitig/two-sided, DC

Anode/anode, Q =180° sin

Anode/anode, DC

max.

0,033 °C/W

0,03 °C/W

0,0537 °C/W

0,0511 °C/W

0,0816 °C/W

0,0732 °C/W

Kathode/cathode, Q =180° sin

Kathode/cathode, DC

R_thCK

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche/cooling surface

beidseitig/two-sided

max.

0,005 °C/W

0,01 °C/W

einseitig/single-sided

t_{vj max}

t_{c op}

t_stg

Höchstzul.Sperrschichttemperatur

Betriebstemperatur

max. junction temperature

operating temperature

storage temperature

125 °C

-40...+125 °C

-40...+140 °C

Lagertemperatur

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Anpreßkraft

clamping force

weight

10,5...21 kN

typ. 280 g

25 mm

Gewicht

Kriechstrecke

Feuchteklasse

Schwingfestigkeit

creepage distance

humidity classification

vibration resistance

DIN 40040

f = 50 Hz

50 m/s²

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den

zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in

combination with the belonging technical notes.

4000

3500

3000

10⁴

Q_r

i_T

[A]

2500

[µAs]

10³

2000

1500

1000

500

10²

10⁰

10¹

10²

0,5

1,5

2,5

3,5

v_T[V]

-di/dt [A/µs]

T 659 N / 1

T 659 N / 2

Bild / Fig. 1

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic

Bild / Fig. 2

Sperrverzögerungsladung / Recovered Q = f(-di/dt)

= f(v )

= t

= f(v ) £ 0,5 V

= 0,8 V

vj max,

RRM

= 125 °C

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i

10³

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

thJC

pro Zweig für DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z

per arm for DC

thJC

Beidseitig / Two-sided

10²

Pos. n

[°C/W]

t_gd

[µs]

0,000134 0,001636 0,00195 0,00968 0,01680

thn

0,000183 0,00166 0,00937 0,119

0,939

[s]

10¹

Anodenseitig / Anode-sided

Pos. n

[°C/W]

0,02965

1,14

0,000455 0,003885 0,00331 0,0138

thn

10⁰

0,000251 0,00243 0,0544

0,183

[s]

Kathodenseitig / Cathode-sided

Pos. n

[°C/W]

10^-1

10⁰

10¹

10²

0,000708 0,007242 0,0137

0,00032 0,00387 0,0232

0,02665 0,0249

0,138 0,9

thn

i_G[A]

[s]

Bild / Fig. 3

Zündverzug / Gate controlled delay time t = f(i

Analytische Funktion / Analytical function:

)

max

= 25°C, di /dt = i /1µs

t _n

)

(1-e

thn

a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic

b - typischer Verlauf / typical characteristic

thJC

n=1

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