T731N44TOH [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element;型号: | T731N44TOH |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element 栅 栅极 |
文件: | 总9页 (文件大小:192K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 731N
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / M aximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM 3800
4200
4000 V
4400 V
V
repetiti ve peak forward off-state and reverse voltages
Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung Tvj = 0°C... Tvj max
VDRM,VRRM 3900
4300
4100 V
4500 V
V
repetiti ve peak forward off-state and revers e voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maxi mum RMS on-stat e current
ITRMSM
ITAVM
2010 A
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
TC = 85 °C
TC = 60 °C
930 A
1280 A
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
18000 A
16000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
1620 10³ A²s
1280 10³ A²s
Kritische Str omsteilheit
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
300 A/µs
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuc hstabe / 5th letter H
2000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = Tvj max , iT = 1200A
Tvj = Tvj max
v
typ.
1,6 V
T
max.
1,75 V
on-state voltage
Schleus ens pannung
threshold voltage
V(TO)
rT
typ.
1 V
max.
1,1 V
Ersatzwi derstand
slope resistanc e
Tvj = Tvj max
typ.
0,5 mΩ
max. 0,542 mΩ
Durchlaßkennlinie
Tvj = Tvj max
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
-0,0955
0,00035
0,1592
0,004219
-0,0926
0,000391
0,1754
on-state c haracteristic
vT = A + B iT + C Ln (iT + 1) + D
iT
max.
0,003759
max.
Zündstr om
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
350 mA
Zünds pannung
gate trigger voltage
max.
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse c urrent
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
tgd
200 mA
2 µs
Zündverzug
gate controlled delaytime
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
C. Schneider
date of publication: 2005-04-15
prepar ed by:
revision:
5
approved by: J. Przybilla
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
1/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 731N
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuc hstabe / 4th letter O
typ.
500 µs
Sperr verzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
Qr
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
max.
5,5 mAs
Rückstr omspitze
peak reverse r ecover y c urrent
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
IRM
max.
175
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJ C
max. 0,0185
max. 0,017
max. 0,0305
max. 0,0385
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Kathode / c athode, DC
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
Übergangs-Wärmewi derstand
RthCH
max.
°C/W
°C/W
125 °C
thermal resistance, case to heatsink
0,005
einseitig / single-sided
max. 0,01
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebs temperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft
clampi ng force
F
15...24 kN
Steueransc hlüss e
control terminals
DIN 46244
f = 50 Hz
Gate
Kathode /Cathode
A 2, 8x0, 8
A 4, 8x0, 8
Gewicht
weight
G
typ.
550 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
2/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 731N
Phase Control Thyristor
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
3/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 731N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W] 0,00848 0,00243
0,00304
0,062
0,00272
0,0134
0,00366
0,0607
0,00237
0,0374
0,00033
0,0019
0,00254
0,0101
0,0021
0,0091
beidseitig
two-sided
0,676
0,0192
4,13
0,132
0,0023
0,4
τn [s]
Rthn [°C/W]
0,0028
0,154
anodenseitg
anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,02810 0,00106
4,13 0,45
0,00487
0,126
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
Analytische Funktion / Analytical function:
=
−
1 e
ZthJC
R
Σ
thn
n=1
0,05
0,045
0,04
0,035
0,03
0,025
0,02
0,015
0,01
0,005
0
c
a
d
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z th JC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
4/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 731N
Phase Control Thyristor
2500
2000
1500
1000
500
typ
max.
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vT [V ]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
5/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 731N
Phase Control Thyristor
30
20
10
5
c
b
a
-40°C
+25°C
2
vG [V]
+125°C
1
0,5
0,2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000 10000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (i G) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM =f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
6/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 731N
Phase Control Thyristor
12
10
8
6
4
2
0
0
5
1 0
15
2 0
2 5
3 0
35
-di /dt [A / µs ]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
7/9
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T 731N
Phase Control Thyristor
45 0
40 0
35 0
30 0
25 0
20 0
15 0
10 0
5 0
0
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
- di/ dt [A / µs ]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller
Seite/page
8/9
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments
will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect
to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
相关型号:
T731N44TOHXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明