T860N36TOFVTXPSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 1960A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,;
| 型号： | T860N36TOFVTXPSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 1960A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T860N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
3000 V
3200 V
3600 V
3000 V
3200 V
3600 V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
PeriodischeVorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
3100 V
3300 V
3700 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
2000 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
860 A
TC = 85 °C
1240 A
1960 A
Dauergrenzstrom
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMS
18000 A
17000 A
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
1620 10³ A²s
1445 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
80 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
max.
3,15 V
1,08 V
0,50 mΩ
Tvj = Tvj max, iT = 3800 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
V(TO)
rT
Tvj = Tvj max
Durchlasskennlinie
200 A ≤ iT ≤ 4300 A
Tvj = Tvj max
A=
-3,194E-01
on-state characteristic
B=
C=
D=
7,011E-04
3,262E-01
-3,051E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
VGT
IGD
max.
2 V
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
IH
max.
0,25 V
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
500 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
IL
max. 2500 mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
250 mA
5 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2009-03-17
prepared by:
revision:
2.0
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T860N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ. 300...400 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0215 °C/W
max. 0,0200 °C/W
max. 0,0365 °C/W
max. 0,0350 °C/W
max. 0,0485 °C/W
max. 0,0470 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,0035
0,0070
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
20...45 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
540 g
Kriechstrecke
20 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T860N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T860N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W]
0,0006
0,0014
0,00205
0,01020
0,00214
0,01230
0,002
0,00094
0,07770
0,00544
0,17400
0,00551
0,17000
0,00464
0,17700
0,00637
1,00000
0,0117
0,0075
1,0500
0,0116
5,8000
0,0127
10,200
0,00427
5,10000
0,0087
44,000
0,0143
53,500
beidseitig
two-sided
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,00075
0,00164
Rthn [°C/W] 0,00079
0,00170
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
0,012
1,7000
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
1000
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T860N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00176
0,00287
0,00373
0,00500
0,00711
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00121
0,00177
0,00120
0,00178
0,00120
0,00172
0,00292
0,00173
0,00294
0,00174
0,00242
0,00383
0,00248
0,00387
0,00251
0,00361
0,00515
0,00376
0,00522
0,00381
0,00597
0,00728
0,00618
0,00736
0,00626
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
5.000
4.500
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
Tvj = Tvj max
0
1
1,5
2
2,5
3
3,5
VT [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T860N
Phase Control Thyristor
4000
3500
180°
120°
90°
3000
0°
180°
60°
0
θ = 30°
2500
2000
1500
1000
500
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
20
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T860N
Phase Control Thyristor
4500
4000
DC
180°
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0°
180°
120°
0
90°
60°
θ = 30°
0
0
500
1000
1500
2000
2500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
θ = 30°
500
60°
90° 120°
1000
180°
1500
DC
20
0
2000
2500
I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T860N
Phase Control Thyristor
10
c
b
a
1
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
10000
iTM = 2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
1000
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T860N
Phase Control Thyristor
18
16
14
12
10
8
0-50V
0,33 VRRM
6
0,67 VRRM
4
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T860N
Phase Control Thyristor
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