T879N16 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier,;型号: | T879N16 |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 879 N 12 ...18
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1)
V
V
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM , VRRM
1200
1600
1400
1800
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
VDSM
1200
1600
1400
1800
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMSM on-state current
ITRSMSM
1750
A
TC = 85 °C
TC = 68 °C
Dauergrenzstrom
ITAVM
879
A
A
average on-state current
1115
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
17500
15500
A
A
*103
*103
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
1530
A²s
A²s
1200
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(diT/dt)cr
200
A/µs
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
Kritische Spannungssteilheit
(dvD/dt)cr
1000
V/µs
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iT = 3600 A
Durchlaßspannung
on-state voltage
vT
max.
1,95
0,85
0,27
V
Tvj = Tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
VT(TO)
V
mW
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
slope resistance
rT
Tvj = Tvj max
Durchlaßkennlinie
A= 1,04647
on-state voltage
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x Ö iT
B=2,313E-04
C=-5,398E-02
D= 8,494E-03
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Zündstrom
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
250
2,2
mA
V
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 6 V
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
max.
max.
10
5
mA
mA
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM
Nicht zündene Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
max.
max.
0,25
mV
mA
mA
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 W
Haltestrom
300
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 5 W
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Einraststrom
IL
1500
latching current
Tvj = Tvj max
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
iD, iR
max.
max.
100
4
mA
µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
tgd
Tvj = 25°C
gate controlled delay time
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
1) 1800 V Spannungsklasse auf Anfrage / Voltage class on demand
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 879 N 12 ...18
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
Freiwerdezeit
tq
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
circuit commutatet turn-off time
typ.
250
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Ž=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Ž=180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
thermal resitance, junction to case
max. 0,0320
max. 0,0300
max. 0,0537
max. 0,0511
max. 0,0816
max. 0,0732
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Kathode / cathode, Ž=180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resitance, case to heatsink
max. 0,0050
max. 0,0100
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
125
-40...125
-40...150
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
10,5 ...21 kN
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
280
25
C
g
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
humidity classification
Schwingfestigkeit
50
m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 879 N 12 ...18
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
Zn. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 879 N 12...18
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlung
cooling
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
beidseitig
two-sided
0,000134 0,001636
0,000183 0,00166
0,00195
0,00937
0,00968
0,119
0,0168
0,939
t [s]
n
Rthn [°C/W]
anodenseitig
anode-sided
0,000455 0,003885
0,000251 0,00243
0,00331
0,0544
0,0138
0,138
0,02965
1,14
t [s]
n
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
0,000708 0,007242
0,00032 0,00387
0,0137
0,0232
0,02665
0,138
0,0249
0,9
t [s]
n
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = S Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))
n=1
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 879 N 12 ...18
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 2
Seite/page 5
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相关型号:
T879N16TOF
Silicon Controlled Rectifier, 1750A I(T)RMS, 1115000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T879N18
Silicon Controlled Rectifier,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T879N18TOF
Silicon Controlled Rectifier, 1750A I(T)RMS, 1115000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T87C5101
8-bit Low pin count Microcontrollers, 0-66 MHzWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TEMIC
T87C5101
8-bit Low Pin Count MicrocontrollersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T87C5101-3ZSCL
Microcontroller, 8-Bit, OTPROM, 8051 CPU, 40MHz, CMOS, PDIP24, DIP-24Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T87C5101-3ZSIL
Microcontroller, 8-Bit, OTPROM, 8051 CPU, 40MHz, CMOS, PDIP24, DIP-24Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T87C5101-CZSEL
Microcontroller, 8-Bit, UVPROM, 40MHz, CMOS, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TEMIC
T87C5101-ICFCL
8-bit Low Pin Count MicrocontrollersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T87C5101-ICFCV
8-bit Low Pin Count MicrocontrollersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T87C5101-ICFIL
8-bit Low Pin Count MicrocontrollersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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ATMEL
T87C5101-ICUCL
8-bit Low Pin Count MicrocontrollersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
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