TD111F04KEC [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 400V V(RRM);
| 型号： | TD111F04KEC |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 400V V(RRM) |
| 文件： | 总7页 (文件大小：260K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 111 F
screwing depth
max. 12
fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
G2
K2
K1
G1
15
25
25
13,3 5
80
94
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK Febr. 1997
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and
tvj = -40°C...tvj max
tvj = -40°C...tvj max
tvj = +25°C...tvj max
VDRM, VRRM
VDSM= VDRM
200 400 600 800
V
Spitzensperrspannung
reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
VRSM= VRRM
ITRMSM
+ 100
200
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
111
A
tc = 76°C
128
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
3000
2600
45000
A
A
A2s
i2dt-value
i2dt
ò
ò
tvj = tvj max, tp = 10 ms
33800
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
critical rate of rise of off-state voltage
vD
67%, VDRM, fo = 50 Hz
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
160 A/µs
£
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
1)
2)
Kritische Spannungssteilheit
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
50
500
500
50 V/µs
500 V/µs
50 V/µs
500 V/µs
1000
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
tvj = tvj max, iT = 350 A
tvj = tvj max
vT
max. 1,95
V
VT(TO)
rT
1,2
1,4
V
tvj = tvj max
m
W
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max. 150
max. 2
mA
V
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
mA
V
mA
A
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
W
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
W
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tgd
tq
max. 1,4
C: max. 12
D: max. 15
D: max. 20
3
µs
µs
µs
µs
kV
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
=180° el,sinus: pro Modul/per module R
pro Zweig/per arm
max. 0,115 °C/W
max. 0,23 °C/W
max. 0,107 °C/W
max. 0,214 °C/W
max. 0,03 °C/W
max. 0,06 °C/W
Q
thJC
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
RthCK
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische mounting torque
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
AIN
6
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
M2
G
Nm
Nm
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
6
weight
typ. 430
14
g
mm
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Maßbild
creepage distance
vibration resistance
outline
f = 50 Hz
5 . 9,81
1
m/s²
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
2)
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei VRRM
800 V und DD 121 S bei VRRM 1000 V
£
£
For data of the diode refer to DD 122 S at VRRM
800 V and DD 121 S at VRRM 1000 V
£
£
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
eupec
GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 111 F
4000
3000
400
300
t
= 60°C
C
f
[kHz]
50...2kHz
0
Parameter: f [kHz]
0
[A]
TM
i
1
3
i
TM
200
2
6
3
[A]
1000
800
600
150
10
400
2
1
0,4
0,1 50 Hz
3
0,25
6
100
80
10
200
6
60
50
100
80
40
60
t
= 60°C
c
10
30
300
40
4000
3000
TT 111 F3/1
TT 111 F12/4
t
= 80°C
f
0
[kHz]
50...1kHz
C
50...400Hz
2
Parameter: f [kHz]
0
[A]
TM
3
1
200
150
i
i
TM
[A]
1000
800
600
6
2
10
3
100
80
400
1
50 Hz
2
0,4
0,25
0,1
3
6
10
200
60
50
100
80
10
6
40
60
t
= 80°C
c
30
40 TT 111 F4/2
3
300 TT 111 F13/5
t
= 100°C
C
2
[A]
200
Parameter: f [kHz]
0
[A]
i
TM
i
TM
3
10
f
[kHz]
50 Hz
0,4 3
50...1kHz
0
8
6
150
2
4
2
100
80
1
6
3
2
1
0,4
0,1 50 Hz
0,25
6
10
2
60
50
10
2
10
8
6
40
6
10
3
t
=100°C
6
4
c
30
5
3
40 6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
1 0
8
10
20
40
60
80 100
ms
TT 111 F14/6
+ di /dt [A/µs]
T
-
t
p
TT 111 F5/3
Bild / Fig. 1, 2, 3
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit für ei
Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehäusetemperatur
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
C
DRM
DM
DRM
Vorwärts-Sperrspannung V
£ 0,67 V
;
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,
q
DM
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
D
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______
Ausschaltverlustleistung:
Betrieb mit antiparalleler Diode oder
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 600 V/µs
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v
£ 50 V.
0
R
R
RM
dv /dt £ 500 V/µs und Anstieg auf v
RM
_ _ _ _ _
und Anstieg auf v
£ 0,67 V
= 0,67 V .
RM
RRM;
R
RRM
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten
0
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,
R
Anstieg auf V
RM
£ 50 V.
C
forward off-state voltage v
£ 0.67 V
,
DRM
DM
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,
q
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
C,
forward off-state voltage v
£ 0,67 V ,
DM
DRM
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
q
_______
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.
D
Operation with inverse paralleled diod or
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v
£ 50 V.
= 0.67 V
R
RM
RM
_ _ _ _ _
Turn-of losses:
dv /dt £ 500 V/µs rising up to v
.
RRM
R
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 600V/µs
0
R
and rise up to v
RM
£ 0.67 V
;
RRM
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for
0
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to
R
v
RM
£ 50 V.
i
i
RC-Glied/RC network:
RC-Glied/RC network:
-di /dt
T
i
.
.
v
i
TM
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
DM [V]
TM
R
C
R
t
t
C
£ 0,15µF
C £ 0,22µF
+di/dt
_
T
t
p
C
2
_
1
f0
_
1
f0
T=
T=
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
i
G
G
a
a
TT 111 F
3
2
3
2
± di /dt = 25 A/µs
T
± di /dt = 25 A/µs
T
W
W
W
= 10 Ws
= 10 Ws
= 10 Ws
4
6
6
6
10
10
10
1
2
600mWs 1Ws
400
2
4
6
6
6
0,6
tot
W
[Ws]
0,4
tot
i
200
100
i
TM
0,2
0,1
TM
3
3
1 0
10
[A]
8
6
8
6
[A]
60
40
4
4
0,06
0,04
2
2
2
2
20
10
0,03
0,025
10
1 0
8
6
8
6
0,02
6mWs
4
4
3
3 TT 111 F9/10
TT 111 F6/7
3
3
2
± di /dt = 50 A/µs
T
± di /dt = 25 A/µs
4
1
2
600mWs
0,6
1Ws
2
4
T
tot
2
W
[Ws]
400
200
0,4
tot
i
i
TM
TM
3
3
1 0
10
0,2
0,1
0,06
0,04
[A]
[A]
8
6
8
6
100
4
4
60
40
2
2
2
2
20
1 0
10
10
8
6
8
6
0,03
6 mWs
0,025
4
4
3 TT 111 F7/8
3 TT 111 F10/11
3
3
± di /dt = 100 A/µs
T
± di /dt = 100 A/µs
4
1Ws
2
4
1
2
tot
T
W
600mWs
2
2
[Ws]
0,6
tot
i
i
TM
TM
400
3
0,4
3
10
1 0
[A]
[A]
8
8
200
6
6
0,2
100
4
0,15
4
60
40
0,1
2
2
0,08
20
2
0,06
2
10
1 0
8
8
0,05
10
6
6
6 mWs
0,04
4
4
3
3
40 60
100
200
µs
6
1 0
400 600
1
2
4
t
40 6 0
100
200
µs
6
10
400 600
1
2
4
ms
m s
t
TT 111 F11/12
w
w
TT 111 F8/9
Bild / Fig. 7, 8, 9
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
tot
tot
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
DRM
,
RRM
£ 50V,
£ 0,67V
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 500 V/µs.
R
R
Diagram for the determination of the total energy
trapezoidal current pulse for one arm at:
W
for
a
Diagram for the determination of the total energy
trapezoidal current pulse for one arm at:
W
for a
tot
tot
given rate of rise of on-state current di /dt,
given rate of rise of on-state current di /dt,
T
T
DRM
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
RM
,
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
RM
,
DM
DRM
DM
maximum reverse voltage v
£ 50 V,
maximum reverse voltage v
£ 0.67 V
,
RRM
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 500 V/µs.
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM
TM
-di /dt
-di /dt
T
di /dt
T
di /dt
T
T
t
t
t
t
w
w
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
RC-Glied/RC network:
Steuergenerator/Pulse generator:
i = 0,6 A, t = 1µs
G
RC-Glied/RC network:
.
.
vDM [V]
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
G
a
a
C
£ 0,22µF
C £ 0,22µF
TT 111 F
10000
6000
3000
P
+ PT [kW]
TT
40
0,6
2
1
4
6
10
W
[Ws]
tot
0,4
0,2
20
10
i
TM
1000
[A]
600
i
T
2000
[A]
1000
6
4
0,1
2
1
0,06
0,04
600
400
400
0,6
0,4
0,02
0,01
200
100
200
0,2
0,1
6
mWs
60
40
100
60
0,06
0,04
4
3
2
mWs
20
10
0,02
40
30
40
6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
10
4
1
2
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1ms
t [µs]
m s
TT 111 F1/13
t
TT 111 F2/14
p
Bild / Fig. 13
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen
tot
leistung (P + P ) je Zweig.
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
TT
T
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P + P ).
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal
tot
on-state current pulse for one arm.
TT
T
Lastkreis/load circuit:
i
RC-Glied/RC network:
T
.
v
v
£ 0,67 V
R
C
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
DM
RM
DRM
i
TM
£
50 V
C
£ 0,15µF
dv /dt £ 100 V/µs
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
G
a
30
20
100
60
t
v
gd
10
8
G
20
c
[µs]
[V]
b
6
a
10
4
2
6
4
2
1
0,8
0,6
a
b
1
0,6
0,4
0,4
0,2
0,1
0,2
0,1
600
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
A
A
i
i
T 72 F15 / T102 F/15
T 72 F16 / T 102 F/16
G
G
Bild / Fig. 15
Bild / Fig. 16
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v = 6V.
Zündverzug/Gate controlled delay time t ,
gd
D
Gate characteristic and peak power dissipation at v = 6V.
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.
a vj
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
D
Parameter:
a
b
c
__________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
[ms]
10
1
0,5
g
__________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
__________________________________________________________
i
TM = 500 A
120
[µAs]
Q
r
100
80
60
40
20
100 A
50 A
20 A
10 A
5 A
150
- di /dt [A/µs]
0
50
100
200
TT 111 F 02...08
T
Bild / Fig. 18
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)
r
t
= t
, v = 0,5 V
, v
= 0,8 V
vj
vj max
R
RRM RM
RRM
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
/
TM
Recovert charge Q = f(di/dt)
r
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
, v
= 0,8 V
RRM RM
Parameter: on-state current I
TM
TT 111 F
0,400
0,360
0,400
0,360
[°C/W]
Z
thJC
0
Z
q
[°C/W]
0
thJC
q
0,280
0,280
0,240
0,200
0,240
0,200
q =
30°
0,160
0,120
0,080
0,160
0,120
0,080
q =
60°
90°
30°
60°
120°
180°
90°
120°
180°
0,040
0
0,040
0
DC
-3
2
-2
0
1
1
2
-1
-2
-1
6 8 10
0
6 10
8
10
6 8
10
6 8
2
4
10
2
4 6 810
2
4
6 810
2
4
2
4
3
4
6 10
8
2
3 4 6 8 10
2
3
4
6 810
10
2
4
2
3
TT 106 F16/19
TT 101 F15.1/18
t [s]
t [s]
Bild / Fig. 18
Bild / Fig. 19
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
(th)JC
Transient thermal impedance, junction zo case, per arm Z
(th)JC
, junction to case.
.
Transient thermal impedance per arm Z
(th)JC
(th)JC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,0095
0,025
0,076
0,086
0,073 0,0305
0,412 2,45
thn
t
[s]
0,00089 0,0078
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
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Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
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Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
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those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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相关型号：
TD111F04KEL
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F04KEM
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F04KEM-A
Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 400V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F04KEM-K
Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 400V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F06KCB
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F06KCB-A
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F06KCM
Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 600V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F06KCM-A
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD111F06KCM-K
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD111F06KDC
Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 600V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F06KDC-A
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD111F06KDL
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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