TD131N16KOC [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;
| 型号： | TD131N16KOC |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 |
| 文件： | 总13页 (文件大小：453K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
TT131N
TD131N
DT131N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1200
1300
1400 V
1600 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1400 V
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1500 V
1700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
220 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
131 A
140 A
Dauergrenzstrom
TC = 85°C
TC = 81°C
ITAVM
average on-state current
3600 A
3200 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
ITSM
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
64800 A²s
51200 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter C
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
500 V/µs
1000 V/µs
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
1,48 V
0,85 V
1,5 mΩ
150 mA
1,4 V
max.
Tvj = Tvj max , iT = 350 A
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
max.
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
max.
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
5,0 mA
2,5 mA
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
max.
max.
0,2 V
200 mA
620 mA
25 mA
3 µs
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
holding current
Einraststrom
IL
latching current
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
tgd
gate controlled delay time
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
C.Drilling
date of publication:
revision:
15.05.02
2
prepared by:
approved by: J. Novotny
A 04/02
1/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT131N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
180 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
3,0
3,6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,115 °C/W
0,230 °C/W
0,107 °C/W
0,214 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
0,03
0,06
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
thermal resistance, case to heatsink
125
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
-40...+125 °C
-40...+130 °C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
6
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
400 g
Kriechstrecke
14 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50 Hz
file-No.
vibration resistance
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
A 04/02
2/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
1
2
3
1
2
3
1
2
3
5 4
5 4
7 6
7 6
DT
TT
TD
A 04/02
3/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,00956
0,00089
0,02496
0,00775
0,07634
0,08564
0,07262
0,41155
0,03052
2,44825
nmax
– t
τn
=
ZthJC
Rthn 1 - e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM14 (60W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,011
3,77
0,205
38,5
1,684
1290
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM 14 Lü4650N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,011
3,77
0,205
38,5
0,424
325
nmax
τ
n
=
ZthCA
Rthn 1 - e – t
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
A 04/02
4/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
Θ =
30°
0,300
60°
90°
120
180°
0°
180°
0
0,200
0,100
0,000
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000
Θ =
30°
60°
90°
180°
0°
0
120°
180°
DC
t [s]
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
A 04/02
5/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
200
120°
180°
90°
0°
180°
60°
150
100
50
0
Θ = 30°
0
ITAV [A]
0
50
100
150
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
300
250
200
150
100
50
DC
180°
0°
0
180°
120°
90°
60°
Θ = 30°
0
ITAV [A]
0
50
100
150
200
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
A 04/02
6/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
180°
Θ = 30°
60°
90°
120°
40
20
0
50
100
150
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
)
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
DC
60° 90°
100
120°
180°
150
Θ = 30°
20
0
50
200
I
TAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
A 04/02
7/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
800
0,08
RthCA [°C/W]
0,05
ID
B2
700
600
500
400
300
200
100
0
+
0,10
0,12
R-Last
R-load
~
L-Last
L-load
0,15
-
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
0
20
40
60
T
80
100
120
0
50
100
150
200
250
300
I D [A]
A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,05 0,04
0,06
0,08
+
1000
800
600
400
200
0
3~
-
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
1,00
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
ID [A]
250
300
350
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
A 04/02
8/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
400
0,15 0,12 0,10
W1C
~
R thCA [°C/W]
IRMS
0,20
300
200
100
0
0,25
0,30
~
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,50
2,00
3,00
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
I RMS [A]
200
250
300
TA [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
1200
1000
800
600
400
200
0
W3C
~
R thCA [°C/W]
0,04
0,06
~
~
~
~
0,08
IRMS
0,10
0,12
~
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
1,00
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
250
300
T
A [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
A 04/02
9/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
d
c
b
a
0,1
iG [mA]
1
10
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40 W/10ms b - 60 W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150W/0,1ms
1000
100
10
1
a
b
0,1
iGM [mA]
10
100
1000
10000
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
A 04/02
10/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
10000
iFM = 500A
200A
100A
1000
50A
20A
100
1
-di/dt [A/µs]
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
2.500
2.000
1.500
1.000
500
a
TA = 35 °C
b
TA = 45 °C
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C Luftselbstkühlung / Natural air cooling
A 04/02
11/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT131N
Phase Control Thyristor Module
1.400
1.200
1.000
800
I TAV (vor)
=
0 A
10 A
15 A
20 A
25 A
30 A
600
400
200
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM14 (60W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
1.400
I TAV (vor)
=
0 A
1.200
1.000
800
600
400
200
0
30 A
45 A
55 A
65 A
70 A
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM 14 Lü4650N Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
A 04/02
12/12
BIP AC 15.05.2002; Drilling
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相关型号：
TD131N16KOF
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