TD162N14KOC-A [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;
| 型号： | TD162N14KOC-A |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 栅 栅极 |
| 文件： | 总13页 (文件大小：410K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
TT162N
TD162N
DT162N
TT162N...-K
TD162N...-A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1200
1300
1400 V
1600 V
VDRM,VRRM
1400 V
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1500 V
1700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
260 A
162 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
TC = 85°C
5200 A
4400 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
135000 A²s
97000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
i
GM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter C
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
500 V/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
1,41 V
0,85 V
0,95 mΩ
150 mA
2 V
Tvj = Tvj max , iT = 500 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
V(TO)
rT
Tvj = Tvj max
max.
max.
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
10 mA
5 mA
0,25 V
max.
max.
max.
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
200 mA
800 mA
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
30 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6Tvj = 25 °C,
i
GM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
C.Drilling
date of publication: 04.07.02
prepared by:
revision:
1
approved by: J.Novotny
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
1/12
A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT162N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
200 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
2,5
3,0
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,100 °C/W
0,200 °C/W
0,096 °C/W
0,192 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
0,03
0,06
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
125
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
6
6
Nm
Nm
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
typ. 310 g
G
Kriechstrecke
15 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
1
1
2
2
3
3
1
2
2
3
3
1
2
3
5 4
5 4
7 6
7 6
DT
TT
TD
1
7 6
4 5
5 4
TT-K
TD-A
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0094
0,0014
0,0224
0,0253
0,0586
0,267
0,102
1,68
nmax
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC
1 - e– t
ꢀ R
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
0,013
4
4
5
6
7
1,71
1200
0,135
14
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,515
354
0,119
13,6
0,026
2,41
nmax
ꢀR
n=1
1 - e – t
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
0,300
Θ=
30°
0,250
0,200
0,150
0,100
0,050
0,000
60°
0°
180°
0
90°
120°
180°
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,300
0,250
0,200
0,150
0,100
0,050
0,000
Θ=
30°
60°
90°
120°
180°
DC
180°
0°
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
250
180°
200
150
100
50
0°
180°
120°
0
90°
60°
ꢀ
= 30°
0
100 ITAV [A]
120
0
20
40
60
80
140
160
180
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
300
DC
250
200
150
100
50
180°
0°
0
180°
120°
90°
60°
ꢀ
= 30°
0
ITAV [A]
0
50
100
150
200
250
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
ꢀ
= 30°
60°
90°
180°
120°
140
20
0
20
40
60
80
100
120
TAVM [A]
160
180
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
)
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
ꢀ
DC
90°
= 30°
60°
120°
150
180°
20
0
50
100
200
250
I
TAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
800
ID
RthCA [°C/W]
B2
0,08
0,10
0,12
0,06 0,05
+
~
600
400
200
0
R-Last
R-load
0,15
L-Last
L-load
-
0,20
0,25
0,30
0,60
0,80
1,00
1,50
0
50
100
150
200
250
300
350
0
20
40
60
80
100
120
T
A [°C]
I D [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
1200
1000
800
600
400
200
0
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,05 0,04
0,06
0,08
+
3~
-
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
250
ID [A]
300
350
400
450
T
A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
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A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
450
W1C
0,15
0,20
0,12 0,10
R thCA [°C/W]
~
IRMS
400
350
300
250
200
150
100
50
~
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,50
2,00
3,00
0
0
100
200
300
400
0
20
40
60
A [°C]
80
100
120
I
RMS [A]
T
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
1200
1000
800
600
400
200
0
W3C
R thCA [°C/W]
0,06
~
~
~
~
~
0,05 0,04
IRMS
0,08
~
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
0
50
100
150
RMS [A]
200
250
300
350
0
20
40
60
80
100
120
I
T A [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
9/12
A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
1000
100
10
a
b
1
0,1
i
GM [mA]
10
100
1000
10000
10/12
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
10000
iTM = 500A
200A
100A
1000
50A
20A
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
a
TA = 35 °C
TA = 45°C
b
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
11/12
A513MT
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT162N
Phase Control Thyristor Module
2.000
1.500
1.000
500
I TAV (vor)
0 A
=
15 A
22 A
28 A
35 A
40 A
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (45W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
I TAV (vor)
=
2.000
0 A
30 A
50 A
65 A
80 A
90 A
1.500
1.000
500
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N)
Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
12/12
A513MT
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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相关型号：
TD162N14KOF
Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 162000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD162N16KOC
Silicon Controlled Rectifier, 162000mA I(T), 1600V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD162N16KOC-A
暂无描述Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD162N16KOF
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor ModuleWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD162N16KOF-A
暂无描述Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD162N16KOFHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD1644ALFIHP-4
Tuner module for digital terrestrial (OFDM) applicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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NXP
TD1644ALFIVP-4
Tuner module for digital terrestrial (OFDM) applicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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NXP
TD17010000J0G
Barrier Strip Terminal BlockWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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AMPHENOL
TD17012200J0G
Barrier Strip Terminal BlockWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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AMPHENOL
TD17013000J0G
Barrier Strip Terminal BlockWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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AMPHENOL
TD17013100J0G
Barrier Strip Terminal BlockWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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AMPHENOL
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