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TD170N12KOFHPSA1

更新时间：2024-09-18 15:10:35

品牌：INFINEON

描述：Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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概述
规格参数
数据手册

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TD170N12KOFHPSA1 概述

Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 可控硅整流器

TD170N12KOFHPSA1 规格参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.68
其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大直流栅极触发电流：	200 mA
JESD-30 代码：	R-PUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	350 A
参考标准：	IEC-747-6	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TD170N12KOFHPSA1 数据手册

通过下载TD170N12KOFHPSA1数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

Key Parameters

V_DRM/ V_RRM

I_TAVM

1200 V – 1800 V

170 A (T_C=85 °C)

5200 A

I_TSM

V_T0

0,95 V

r_T

1,0 mΩ

R_thJC

0,17 K/W

50 mm

Base plate

Weight

800 g

For type designation please refer to actual

short form catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale

Features



Druckkontakt-Technologie für hohe

Zuverlässigkeit



Pressure contact technology for high reliability



Advanced Medium Power Technology (AMPT)

Industrie-Standard-Gehäuse



Advanced Medium Power Technology (AMPT)

Industrial standard package

Elektrisch isolierte Bodenplatte

Electrically insulated base plate

Typische Anwendungen

Typical Applications



Sanftanlasser



Soft starter

Gleichrichter für Antriebsapplikationen

Kurzschließer-Applikationen

Leistungssteller

Rectifier for drives applications

Crowbar applications

Power controllers

Rectifiers for UBS

Battery chargers

Gleichrichter für UPS

Batterieladegleichrichter

Statische Umschalter

Static switches

content of customer DMX code

DMX code

digit

DMX code

digit quantity

serial number

SAP material number

Internal production order number

datecode (production year)

datecode (production week)

1..5

6..12

13..20

21..22

23..24

www.ifbip.com

support@infineon-bip.com

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Date of Publication 2014-04-23

Revision: 3.1

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

TD170N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1600

1400 V

1800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1200

1600

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1300

1700

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

350 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TAVM

170 A

223

T_C= 85°C

T_C= 68°C

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I_TSM

5200 A

4600

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I²t

135000 A²s

106000

A²s

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 747-6

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

150 A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

1000 V/µs

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,65 V

0,95 V

1,0 mΩ

200 mA

2,0 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 600 A

v_T

on-state voltage

max.

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

10 mA

5 mA

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_A= 1Ω

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10Ω

I_L

max. 1200 mA

latching current

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_g= 20µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

max.

50 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

gate controlled delay time

T_vj= 25°C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

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3.1

approved by: ML

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

5.Kennbuchstabe / 5^thletter O

typ.

250 µs

Thermische Eigenschaften

RMS, f = 50 Hz, t = 1min

RMS, f = 50 Hz, t = 1sec

V_ISOL

3,0 kV

3,6 kV

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,085 K/W

0,170 K/W

0,082 K/W

0,164 K/W

thermal resistance, junction to case

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,02 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,04

K/W

125

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

-40...+125 °C

-40...+130 °C

Mechanische Eigenschaften

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 4

page 4

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation

Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)

AlN

internal insulation

Basic insulation (class 1, IEC61140)

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse

mounting torque

Toleranz / Tolerance ± 15%

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque

Toleranz / Tolerance ± 10%

DIN 46 244

12 Nm

Steueranschlüsse

control terminals

A 2,8 x 0,8

typ. 800 g

Gewicht

weight

Kriechstrecke

creepage distance

17 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

f = 50 Hz

file-No.

vibration resistance

E 83335

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

4 5

7 6

4 5

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Revision: 3.1

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Pos. n

R_thn[K/W]

τ_n[s]

0,0661

2,85

0,0552

0,54

0,0291

0,085

0,0097

0,008

0,0039

0,0008

n_max

– t

_n



Z_thJC

R_thn1 - e

Analytische Funktion / Analytical function:



n=1

Erhöhung des Z_{th DC}bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ

ΔZ_{th Θ rec}/ ΔZ_{th Θ sin}

Θ = 180°

0,01162

0,00630

Θ = 120°

0,01916

0,00924

Θ = 90°

0,02517

0,01331

Θ = 60°

0,03524

0,02101

Θ = 30°

0,05565

0,04129

ΔZ_{th Θ rec}

[K/W]

ΔZ_{th Θ sin}

[K/W]

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ Z_{th Θ sin}

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Technische Information /

technical information

Diagramme

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

0,18

0,16

0,14

0,12

0,10

0,08

0,06

0,04

0,02

0,00

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z_thJC= f(t)

Durchgangsverluste

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

100

0,1

i_G[mA]

100

1000

10000

100000

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 12 V

Gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 40W/10ms b - 80W/1ms c - 100W/0,5ms d – 150W/0,1ms

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

500

450

400

350

300

250

180ꢀ rec

180ꢀ sin

120ꢀ rec

90ꢀ rec

60ꢀ rec

Q = 30ꢀ rec

200

150

100

Gehäusetemperatur bei Rechteck

100

150

200

I_TAV[A]

250

300

350

400

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P_TAV= f(I_TAV

)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm

Berechnungsgrundlage P_TAV(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P_TAV(switching losses should be considered separately)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

140

120

100

180ꢀ sin

180ꢀ rec

Q = 30ꢀ rec

60ꢀ rec 90ꢀ rec

120ꢀ rec

100

150

200

I_TAVM[A]

250

300

350

400

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAVM

)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm

Berechnungsgrundlage P_TAV(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P_TAV(switching losses should be considered separately)

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Revision: 3.1

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

1600

0,10

0,12

0,080 0,050

I_D

R_thCA[K/W]

0,15

0,20

1200

800

R-Last

R-load

L-Last

L-load

0,25

0,30

0,40

0,50

0,60

0,80

1,20

400

0,18

100

200

300

I _D[A]

400

500

600

110

T _A[°C]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I_D

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

2000

I_D

R _thCA[K/W]

0,15

0,120 0,080

0,20

0,25

1600

1200

0,35

0,45

800 0,60

0,80

1,10

400

1,60

3,00

110

100

200

300

400

500

600

700

T _A[°C]

I_D[A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I_D

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

800

W1C

R _thCAK/W]

0,12

0,15

0,08

I_RMS

700

600

500

400

300

200

100

0,20

0,25

0,35

0,45

0,60

0,80

1,10

1,60

3,00

110

100

200

300

I _RMS[A]

400

500

600

T_A[°C]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I_RMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

W3C

0,08

0,12

0,15

0,05

R _thCA[K/W]

I_RMS

2000

1500

1000

500

0,20

0,25

0,30

0,35

0,40

0,50

0,70

0,90

1,20

1,80

110

100

200

300

I _RMS[A]

400

500

600

T _A[°C]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I_RMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

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Revision: 3.1

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

10000

i_FM

1000A

500A

200A

100A

50A

1000

20A

100

-di/dt [A/µs]

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i_TM

4.500

4.000

3.500

3.000

2.500

2.000

1.500

1.000

500

T_A= 35 ꢀC

T_A= 45ꢀC

0,01

0,1

t [s]

Grenzstrom / Maximum overload on-state current I_T(OV)M= f(t), v_RM= 0,8 V_RRM

a: Leerlauf / No-load conditions

b: nach Belastung mit I_TAVM/ after load with I_TAVM

T_A= 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling

T_A= 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT170N

Nutzungsbedingungen

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enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls

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Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem

für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei

Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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please contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please

note, that for any such applications we urgently recommend

to perform joint Risk and Quality Assessments;

the conclusion of Quality Agreements;

to establish joint measures of an ongoing product survey,

and that we may make delivery depended on the realization of any such

measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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Revision: 3.1

TD170N12KOFHPSA1 相关器件

型号	制造商	描述	价格	文档
TD170N14KOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 170000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5	获取价格
TD170N14KOF-A	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
TD170N16KOFHPSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5	获取价格
TD170N18KOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
TD170N18KOF-A	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
TD170N18KOF-K	ETC	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|CC\|1.8KV V(RRM)\|170A I(T)	获取价格
TD1720	ETC	电脑主板，显卡，模块电源,低电压大电流供电	获取价格
TD1728	ETC	电脑主板，显卡，模块电源,低电压大电流供电	获取价格
TD175A	TOPSTEK	Topstek Current Transducers	获取价格
TD175N16SOF	INFINEON	Thyristor/Diode 34 mm Eco Block 1600 V, 175 A module for phase control in solder bond technology. If you need additional features or higher performance go to pressure contact technology TD162N16KOF	获取价格