TD200F13KFL-K [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element;
| 型号： | TD200F13KFL-K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 200 F
28,5
35
5
6
115
80
9
18
18
M8
92
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK Okt. 1996
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
VDSM = VDRM
VRSM = VRRM
800 1000 1100 1200
1300
V
V
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzenspannung
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max
voltage
Rückwärts-Stoßspitzenspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
+ 100
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
410
200
A
A
average on-state current
tc = 85°C
tc = 68°C
261
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
ITSM
7200
A
6400
A
òI2 t-value
òI2 t
260000
205000
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of on-state current VD£67%VDRM, f0=50Hz
IGM=1A, diG/dt=1A/µs
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
200 A/µs
1) 2)
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 67% VDRM
50 50
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
500 500
500 50
6.Kennbuchstabe/6th letter L
1000 500
6.Kennbuchstabe/6th letter M
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 700 A
tvj = tvj max
vT
max. 1,8
1,2
V
V
threshold voltage
slope resistance
VT(TO)
rT
tvj = tvj max
0,75
mW
mA
V
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = tvj max, vD = 6 V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 W
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 W
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max. 250
max. 2,2
max. 10
max. 0,2
max. 250
max. 1
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
mA
V
mA
A
Einraststrom
latching current
IL
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 10 µs
tvj = tvj max
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse
currents
iD, iR
max. 50
mA
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj = 25°C, iGM =1 A, diG/dt =1 A/µs
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.
tgd
max. 1,2
max. 18
µs
µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tq, S:
E:
F:
max. 20
max. 25
3
µs
µs
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Q =180°el. sin: pro Modul/per module RthJC
pro Zweig/per arm
max. 0,065 °C/W
max. 0,13 °C/W
max. 0,062 °C/W
max. 0,124 °C/W
max. 0,02 °C/W
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
pro Zweig/per arm
max. junction temperature
max. 0,04 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
tightening torques
AIN
Anzugsdrehmomente
mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
6
Nm
Nm
elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
12
Gewicht
weight
G
typ. 800
17
g
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
creepage distance
vibration resistance
mm
f = 50 Hz
5 × 9,81 m/s²
Maßbild
outline
8
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.
2)
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V RRM £ 1000 V und DD 241 S bei VRRM ³ 1200 V
For data of the diode refer to DD 242 S at V RRM £ 1000 V and DD 241 S at VRRM ³ 1200 V
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.
TT 200 F, TD 200 F, DT 200 F can also be supplied with common anode or common cathode.
TT 200 F
4
3
10
1 0
t
= 60°C
[kHz]
t
= 60°C
[kHz]
8
C
C
C
C
8
f
f
0
0
£ 0,4
i
0,4
1
1
2
4
TM
[A]
i
TM
4
3
[A]
2
3
3
2
1 0
2
5
8
6
2
1
0,4
0,25
0,1
0 , 0
5
3
3
5
4
2
1 0
8
2
2
6
5
4
3
1 0
TT 200 F4/1
TT 200 F13/4
4
1 0
1 0
t
f
0
= 80°C
[kHz]
t
= 80°C
[kHz]
8
C
8
f
0
i
i
TM
4
TM
£ 0,4
0,05
1
0 ,
4
2
1
[A]
[A]
4
3
2
3
8
6
2
3
10
2
1
0,4
0,25
0,1 0 , 0
5
5
2
3
4
2
1 0
5
8
3
2
6
5
2
4
4
3
10
10
TT 200 F5/2
TT 200 F14/5
1 0
t
f
0
= 100°C
[kHz]
t
= 100°C
[kHz]
8
C
8
f
0
i
i
4
TM
TM
[A]
[A]
4
3
2
3
£ 0,4
0,05
1
2
1 0
0 ,
24
8
6
3
1
4
2
1 0
2
1
0,4
0,25
0,1 0 , 0
5
3
8
5
2
5
2
2
2
6
3
5
4
1 0
3
4
1
2
4
6
10
2
4
6
8 10
2
4
6
10
5
6
8
10
2
3
4
5
6
8
10
8
TT 200 F15/6
TT 200 F6/3
t
+ di /dt [A/µs]
T
[µs]
p
Bild / Fig. 1, 2, 3
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,
Gehäusetemperatur t ;
C
DRM
C
Vorwärts-Sperrspannung V
£ 0,67 V
;
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
DM
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,
q
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
D
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung:
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 500 V/µs
Betrieb mit antiparalleler Diode oder
0
R
und Anstieg auf v
£ 0,67 V
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v
R
£ 50 V.
RM
RRM;
R
RM
dv /dt £ 600 V/µs und Anstieg auf v = 0,67 V
RM RRM
_ _ _ _ _
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten
.
0
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und
R
Anstieg auf V
RM
£ 50 V.
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,
C
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
forward off-state voltage v
£ 0.67 V
,
DM
DRM
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,
q
C,
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
,
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
DM
DRM
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,
q
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.
D
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______
Operation with inverse paralleled diod or
Turn-of losses:
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v
£ 50 V.
R
RM
RM
_ _ _ _ _
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 500V/µs
dv /dt £ 600 V/µs rising up to v
= 0.67 V
.
RRM
0
R
R
and rise up to v
RM
£ 0.67 V
;
RRM
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for
0
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to
R
v
RM
£ 50 V.
i
i
RC-Glied/RC network:
RC-Glied/RC network:
-di /dt
T
.
.
i
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
TM
TM
R
C
R
t
t
C
£ 0,22µF
C
£ 0,33µF
+di/dt
_
T
t
p
C
2
_
1
f0
_
1
f0
T=
T=
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
= 1 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 1 A, t = 1µs
i
i
G
G
a
a
TT 200 F
4
4
1 0
10
± di /dt = 25 A/µs
T
Parameter: Wtot [Ws]
± di /dt = 25 A/µs
T
Parameter: Wtot [Ws]
8
8
10
20
10
6
20
6
4
4
2
i
i
4
2
4
TM
[A]
TM
2
1
1
[A]
0,6
0,6
2
3
0,4
0,4
0,2
0,1
0,2
3
10
1 0
8
6
8
6
0,15
0,1
80
mWs
4
4
60
mWs
60
40
2
2
2
mWs
mWs
40
mWs
2
1 0
1 0
T 195 F11/7
T 318 F11/7
T 290 F14/10
T 408 F14/10
4
4
10
10
± di /dt = 50 A/µs
T
Parameter: Wtot [Ws]
± di /dt = 50 A/µs
T
Parameter: Wtot [Ws]
8
8
10
20
6
10
6
4
4
20
2
i
2
i
TM
4
2
4
TM
1
[A]
1
[A]
0,6
2
0,6
0,4
0,4
3
3
10
10
8
8
6
0,2
0,2
6
0,15
4
4
0,1
0,1
60
mWs
80
2
2
2
40
mWs
mWs
mWs
60
2
10
10
T 195 F14/8
T 318 F14/8
T 290 F15/11
T 408 F15/11
4
4
10
10
± di /dt = 100 A/µs
T
Parameter: Wtot [Ws]
± di /dt = 100 A/µs
T
Parameter: Wtot [Ws]
8
8
4
6
20
10
4
10
6
20
2
i
4
TM
4
i
2
TM
[A]
[A]
2
2
3
1
1
0,6
0,4
0,6
0,4
3
1 0
1 0
8
6
8
6
0,3
0,2
4
4
0,2
0,15
0,1
60
2
2
2
0,12
0,1
mWs
2
10
1 0
40 6 0
100
200
µs
6
1 0
400 600
1
2
4
t
4 0 60
100
200
µs
400 600
1
2
4
t
6
10
ms
m s
T 290 F16/12
T 408 F16/12
w
w
T 195 F13/9
T 318 F13/9
Bild / Fig. 7, 8, 9
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
tot
tot
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
RM
DM
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
£ 50V,
Rückwärts-Sperrspannung v
£ 0,67V
,
RRM
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.
Spannungssteilheit dv /dt £ 600 V/µs.
R
R
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
trapezoidal current pulse for one arm at:
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di /dt,
given rate of rise of on-state current di /dt,
T
T
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
DRM
,
forward off-state voltage v
DM
£ 0,67 V
,
DM
RM
DRM
maximum reverse voltage v
£ 50 V,
maximum reverse voltage v
£ 0.67 V
,
RM
RRM
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 600 V/µs.
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM
TM
-di /dt
di /dt
T
-di /dt
di /dt
T
T
T
t
t
t
t
w
w
RC-Glied/RC network:
.
vDM [V]
RC-Glied/RC network:
.
Steuergenerator/Pulse generator:
= 1 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 1 A, t = 1µs
R[W] ³ 0,02
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
i
G
a
i
C
£ 0,33µF
C
£ 0,33µF
G
a
TT 200 F
4
10kA
6000
10
60 kW
40 kW
20 kW
P
+ P =100kW
T
W
6 Ws
4
=
TT
tot
8
20 Ws
10
10 kW
6 kW
4 kW
i
4
2
T
i
2000
TM
[A]
2
[A]
2 kW
1
1000
1 kW
600 W
400 W
0,6
0,4
600
400
3
10
0,2
8
6
200
100
0,1 Ws
200 W
100 W
60
mWs
4
40
60
40
60 W
40 W
20
mWs
2
20
10
2
10
1
2
4
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1ms
t [µs]
40
6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
t
6
1 0
m s
T 290 F3/13
T 408 F3/13
T 280 F4/14
T 408 F4/14
w
Bild / Fig. 13
Bidl / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen
tot
leistung (P + P ) je Zweig.
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
TT
T
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P + P ).
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal
tot
on-state current pulse for one arm.
TT
T
Lastkreis/load circuit:
RC-Glied/RC network:
i
T
.
vDM [V]
v
v
£ 0,67 V
DRM
R[W] ³ 0,02
DM
RM
i
TM
R
C
£
50 V
C
£ 0,22µF
dv /dt £ 100 V/µs
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
i
= 1 A, t = 1µs
G
a
20
15
100
60
[V]
v
8
t
G
c
gd
b
20
10
6
[µs]
a
4
2
6
4
2
a
b
1
1
0,8
0,6
0,4
0,6
0,4
0,2
0,1
0,2
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
40
600
400
10
20
60 100
mA
200
1
2
4
6
10
A
A
T 195 F17/16
T 290 F17/16
i
i
G
G
T 670 F21/15
Bild / Fig. 15
Bild / Fig. 16
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v = 6V.
Zündverzug/Gate controlled delay time t ,
gd
D
Gate characteristic and peak power dissipation at v = 6V.
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.
a vj
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
D
Parameter:
a
b
c
___________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
[ms]
10
1
0,5
g
___________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
___________________________________________________________
1000
[µAs]
i
TM = 1000 A
500 A
200 A
Q
800
600
400
r
100 A
50 A
20 A
200
0
50
100
150
- di /dt [A/µs]
200
TT 200 F 08...13
T
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)
r
t
= t
, v = 0,5 V , v = 0,8 V
RRM RM RRM
vj
vj max
R
Parameter: Durchlaßstrom I
/
TM
Recovert charge Q = f(di/dt)
r
t
= t
, vR = 0,5 V
, v
RRM RM
= 0,8 V
RRM
vj
vj max
Parameter: on-state current I
TM
TT 200 F
0,16
0,14
[°C/W]
Z
thJC
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0
Q
Q
=60°
120°
180°
=180°
DC
-3
2
-2
0
1
-1
6 10
8
10
6 8
10
4 6 8
2
4
10
2
4 6 810
2
4
6 810
2
4
2
TT 200 F1/17
t [s]
Bild / Fig. 18
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
(th)JC
, junction to case.
Transient thermal impedance per arm Z
(th)JC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
thJC
per arm for DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426
0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06
thn
t
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
相关型号：
TD200F13KFM
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD200F13KSB
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD200F13KSB-K
Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 1300V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD200F13KSC
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD200F13KSM
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
TD20100XXX
Trantalum Chip Capacitors Sintered Anode, Solid Semiconductor Electrolyte, +125℃Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
TD203
TD203Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ETC
TD203028
Phase Control SCR (2800-3600 Amperes Avg 3000-4500 Volts)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
POWEREX
TD203036
Phase Control SCR (2800-3600 Amperes Avg 3000-4500 Volts)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
POWEREX
TD203228
Phase Control SCR (2800-3600 Amperes Avg 3000-4500 Volts)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
POWEREX
TD203236
Phase Control SCR (2800-3600 Amperes Avg 3000-4500 Volts)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
POWEREX
TD203428
Phase Control SCR (2800-3600 Amperes Avg 3000-4500 Volts)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
POWEREX
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