TD250N18KOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;
| 型号： | TD250N18KOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 局域网 栅 栅极 |
| 文件： | 总13页 (文件大小：414K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
TT250N
TD250N
DT250N
TT250N...-K
TD250N...-A
TD250N...-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1600
1400 V
VDRM,VRRM
1800 V
1200
1600
1400 V
1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1300
1700
1500 V
1900 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
410 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
250 A
261 A
TC = 85°C
TC = 82°C
8000 A
7000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
320000 A²s
245000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
1,5 V
0,8 V
Tvj = Tvj max , iT = 800 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
V(TO)
rT
0,7 mΩ
200 mA
2 V
Tvj = Tvj max
max.
max.
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
10 mA
5 mA
0,2 V
max.
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
max.
300 mA
IL
max. 1200 mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
50 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
C.Drilling
date of publication: 23.09.02
prepared by:
revision:
1
approved by: J. Novotny
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
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Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
250 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
3,0
3,6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,065 °C/W
0,130 °C/W
0,062 °C/W
0,124 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
0,02
0,04
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
125
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
5
Nm
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
12 Nm
A 2,8 x 0,8
typ. 800 g
G
Kriechstrecke
17 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
1
2
3
1
2
3
1
2
3
4 5
7 6
4 5
7 6
TT
TD
DT
1
2
3
1
2
3
1
2
3
5
4 7 6
4 5
5 4
TT-K
TD-A
TD-K
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0031
0,0009
0,0097
0,008
0,0257
0,11
0,0429
0,61
0,0426
3,06
nmax
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC
1 - e– t
ꢀ R
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
0,0174
2
4
5
6
7
1,6
0,0726
30
1400
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,475
458
0,08
40,4
0,015
4,11
nmax
ꢀR
n=1
1 - e – t
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
Θ=
30°
0,160
60°
90°
120°
180°
0,140
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0°
180°
0
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,180
0,160
0,140
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
Θ=
30°
60°
90°
120°
180°
DC
180°
0°
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
350
120°
180°
300
250
200
150
100
50
90°
0°
180°
0
60°
ꢀ
= 30°
0
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
0
50
100
150
200
250
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
DC
400
300
200
100
0
180°
180°
0°
0
120°
90°
60°
ꢀ
= 30°
0
50
100
150
200
250
ITAV [A]
300
350
400
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
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Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
60°
90°
180°
= 30°
100
120°
ꢀ
20
0
50
150
200
250
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
180°
300
DC
90°
60°
120°
= 30°
ꢀ
20
0
50
100
150
200
ITAVM [A]
250
350
400
450
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
7/12
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
1600
ID
B2
0,03
0,02
RthCA [°C/W]
0,04
+
0,05
0,06
0,08
~
1200
800
400
0
R-Last
R-load
-
L-Last
L-load
0,10
0,12
0,15
0,30
0,40
0,60
0
100
200
300
I D [A]
400
500
600
0
20
40
60
80
100
120
T
A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
2000
1500
1000
500
0
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,03
0,02
+
0,04
0,06
3~
-
0,08
0,10
,
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
ID [A]
600
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
8/12
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
W1C
0,06 0,05 0,04
0,08
~
R thCA [°C/W]
0,10
0,12
IRMS
600
400
200
0
0,15
0,20
~
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
0
100
200
300
I RMS [A]
400
500
600
0
20
40
60
80
100
120
TA [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
2000
1500
1000
500
0
W3C
R thCA [°C/W]
~
~
~
~
~
0,03 0,02
IRMS
0,04
~
0,05
0,06
0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0
100
200
300
400
500
600
0
20
40
60
80
100
120
T
A [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
9/12
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
b
a
0,1
iG [mA]
10
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150W/0,1ms
1000
100
10
1
a
b
0,1
iGM [mA]
10
100
1000
10000
10/12
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
10000
iTM = 1000A
500A
200A
100A
50A
1000
20A
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
5.500
5.000
4.500
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
a
TA = 35 °C
b
TA = 45°C
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
11/12
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT250N
Phase Control Thyristor Module
2.500
2.000
1.500
1.000
500
I TAV (vor)
0 A
=
12 A
22 A
32 A
40 A
45 A
0
0,01
0,1
1
10
100
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (45W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
1000
10000
t [s]
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
I TAV (vor)
=
0 A
40 A
65 A
85 A
100 A
110 A
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N)
Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /85
12/12
Seite/page
Nutzungsbedingungen
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相关型号：
TD250N18KOF-A
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD250N18KOF-K
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD250N18KOFHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD251N
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD251N06KOF
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|600V V(RRM)|250A I(T)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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ETC
TD251N06KOF-A
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|600V V(RRM)|250A I(T)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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ETC
TD251N06KOF-K
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|600V V(RRM)|250A I(T)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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ETC
TD251N12KOF
Silicon Controlled Rectifier, 261000mA I(T), 1200V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD251N12KOFS01
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD251N14KOFHPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD251N16KOF
Silicon Controlled Rectifier, 261000mA I(T), 1600V V(RRM)Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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INFINEON
TD251N16KOFHPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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