TD330N16KOF_TIM [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier;
| 型号： | TD330N16KOF_TIM |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier |
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
Key Parameters
VDRM / VRRM
1600V
ITAVM
ITSM
330A (TC=85°C)
12500A
VT0
0,8V
rT
0,5mΩ
RthJC
Base plate
0,106K/W
50mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Optional: Thermisches Interface Material (TIM)
bereits aufgetragen
Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser
Soft starter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Leistungssteller
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Power controllers
Rectifiers for UBS
Battery chargers
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
Static switches
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
5
7
8
2
2
TT
TD
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1/11
Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.4
Seite/page
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
TT330N
TD330N
TD330N16KOF_TIM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1400 V
1600 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1200
1300
1400 V
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
VRSM
ITRMSM
ITAVM
ITSM
1500 V
1700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
520 A
330 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
12500 A
10000
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
781250 A²s
500000
A²s
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(diT/dt)cr
250 A/µs
critical rate of rise of on-state current
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
1,28 V
0,8 V
Tvj = Tvj max , iT = 800 A
vT
on-state voltage
max.
max.
max.
max.
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,5 mΩ
200 mA
2 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 12V
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
max.
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
10 mA
5 mA
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
0,2 V
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω
max.
300 mA
holding current
Einraststrom
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
IL
max. 1200 mA
latching current
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
max.
max.
70 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
tgd
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
AG
date of publication: 2016-11-25
prepared by:
revision:
3.4
approved by: MS
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
250 µs
Thermische Eigenschaften
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
3,0 kV
3,6 kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,056 K/W
0,112 K/W
0,053 K/W
0,106 K/W
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
0,02 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,04
K/W
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
0,015 K/W
0,030 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM
thermal resistance, case to heatsink, with TIM
130
°C
Tvj max
Tc op
Tstg
HöcMhstzeuläcsshigeaSpnerirsschcichhtteempeEratiugr enschaften
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
-40...+130 °C
-40...+130 °C
+5…+50 °C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Lagertemperatur mit TIM
storage temperature with TIM
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 4
page 4
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
AlN
internal insulation
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
12 Nm
Steueranschlüsse
control terminals
A 2,8 x 0,8
typ. 800 g
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
17 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83335
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
1
2
3
1
2
3
4 5
7 6
4 5
TT
TD
4/11
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
Rthn [K/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,037
5,4
0,034
0,9
0,024
0,12
0,0088
0,006
0,002
0,0009
nmax
– t
n
ZthJC
Rthn 1 - e
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
0,00923
0,00620
Θ = 120°
0,01520
0,00888
Θ = 90°
0,01966
0,01241
Θ = 60°
0,02643
0,01829
Θ = 30°
0,03830
0,03094
ΔZth Θ rec
[K/W]
ΔZth Θ sin
[K/W]
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Technische Information /
technical information
Diagramme
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
100
10
1
d
c
b
a
0,1
iG [mA]
10
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
600
500
400
300
200
DC
180ꢀ rec
180ꢀ sin
120ꢀ rec
90ꢀ rec
60ꢀ rec
Q = 30ꢀ rec
Gehäusetemperatur bei Rechteck
100
0
0
100
200
300
400
500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
60
180ꢀ sin
40
120ꢀ rec
180ꢀ rec
Q = 30ꢀ rec
90ꢀ rec
60ꢀ rec
DC
20
0
100
200
300
400
500
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
2000
0,10
ID
B2
RthCA [K/W]
+
0,12
0,15
R-Last
R-load
~
1500
1000
500
L-Last
L-load
0,20
-
0,25
0,30
0,40
0,60
0,80
1,00
1,00
1,00
2,00
0
0
250
500
750
10
30
50
70
90
110
I D [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2500
2000
1500
1000
500
ID
B6
R thCA [K/W]
0,12
0,10
0,15
0,20
+
3~
-
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
,
0,80
1,00
1,50
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
200
400
600
ID [A]
800
1000
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
W1C
~
R thCA K/W]
0,12
0,08
0,10
IRMS
800
600
400
200
0
0,15
0,20
~
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
2,00
10
30
50
70
90
110
0
200
400
I RMS [A]
600
800
TA [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
3000
2500
2000
1500
1000
500
W3C
~
R thCA [K/W]
~
~
0,08
0,10
IRMS
0,12
0,15
~
~
~
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
200
400
I RMS [A]
600
800
T A [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
10000
iTM = 1000A
500A
200 A
100 A
50 A
1000
20A
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
a
TA = 35 ꢀC
TA = 45ꢀC
b
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
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-
-
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-
-
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