TT215N22KOFHPSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 2 Element, MODULE-7;
| 型号： | TT215N22KOFHPSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 2 Element, MODULE-7 局域网 栅 栅极 |
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
Key Parameters
VDRM / VRRM
ITAVM
1800 – 2200 V
215 A (TC=85 °C)
7000 A
ITSM
VT0
0,95 V
rT
0,92 mΩ
0,124 K/W
50 mm
RthJC
Base plate
Weight
800 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser
Soft starter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Leistungssteller
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Power controllers
Rectifiers for UBS
Battery chargers
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
Static switches
TT
TD
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
5
7
8
2
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1/11
Date of Publication 2014-01-22
Revision: 3.0
Seite/page
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
TT215N
TD215N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1800 V
2000 V
2200 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1800 V
2000 V
2200 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1900 V
2100 V
2300 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
410 A
Dauergrenzstrom
ITAVM
215 A
TC = 85°C
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
7000 A
6300
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
245000 A²s
198000
A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
100 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
max.
1,8 V
Tvj = Tvj max , iT = 800 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
0,95 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
max. 0,92 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
max.
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 12V
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
200 mA
2,0 V
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
max.
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
0,25 V
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω
max.
300 mA
holding current
Einraststrom
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
IL
max. 1200 mA
latching current
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
50 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
HR
date of publication: 2014-01-22
prepared by:
revision:
3.0
approved by: ML
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Date of Publication 2014-01-22
Revision: 3.0
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
300 µs
Thermische Eigenschaften
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
3,0 kV
3,6 kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,065 K/W
0,130 K/W
0,062 K/W
0,124 K/W
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
0,02 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,04
K/W
125
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
AlN
internal insulation
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
12 Nm
Steueranschlüsse
control terminals
A 2,8 x 0,8
typ. 800 g
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
17 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
f = 50 Hz
file-No.
vibration resistance
E 83335
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
1
2
3
1
2
3
4 5
7 6
4 5
TT
TD
4/11
Date of Publication 2014-01-22
Revision: 3.0
Seite/page
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
Rthn [K/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0426
3,06
0,0429
0,61
0,0257
0,11
0,0097
0,008
0,0031
0,0009
nmax
– t
n
ZthJC
Rthn 1 - e
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
0,01007
0,00601
Θ = 120°
0,01655
0,00869
Θ = 90°
0,02161
0,01236
Θ = 60°
0,02981
0,01905
Θ = 30°
0,04541
0,03519
ΔZth Θ rec
[K/W]
ΔZth Θ sin
[K/W]
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Technische Information /
technical information
Diagramme
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
100
10
1
c
b
a
0,1
iG [mA]
10
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms
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Seite/page
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
600
500
400
300
200
DC
180ꢀ rec
180ꢀ sin
120ꢀ rec
90ꢀ rec
60ꢀ rec
Q = 30ꢀ rec
Gehäusetemperatur bei Rechteck
100
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
60
180ꢀ sin
40
DC
Q = 30ꢀ rec
60ꢀ rec
180ꢀ rec
90ꢀ rec 120ꢀ rec
20
0
50
100
150
200
250
ITAVM [A]
300
350
400
450
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
7/11
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
1800
ID
B2
RthCA [K/W]
0,08
0,12
0,16
+
~
R-Last
R-load
L-Last
L-load
0,20
0,24
1200
-
0,32
0,40
0,48
600
0,60
0,80
1,20
1,60
2,40
1,20
0
0
100
200
300
400
500
600
10
30
50
70
90
110
I D [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2500
ID
B6
0,080
0,120
0,16
R thCA [K/W]
+
3~
2000
1500
1000
500
0
0,20
0,24
-
0,32
0,40
0,48
0,60
,
0,80
1,20
1,60
2,40
10
30
50
70
90
110
0
100
200
300
400
500
600
700
800
T A [°C]
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
900
W1C
~
R thCA K/W]
0,08
0,12
0,16
IRMS
0,20
~
600
300
0
0,30
0,40
0,60
0,80
1,20
2,00
10
30
50
70
90
110
0
100
200
300
I RMS [A]
400
500
600
TA [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2500
2000
1500
1000
500
W3C
~
0,12
0,08
~
~
R thCA [K/W]
IRMS
0,16
0,20
~
~
~
0,30
0,40
0,60
0,80
1,20
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
100
200
300
I RMS [A]
400
500
600
T A [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Revision: 3.0
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
10000
iTM
=
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
1000
100
1
-di/dt [A/µs]
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
a
TA = 35 ꢀC
b
TA = 45ꢀC
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
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Revision: 3.0
Seite/page
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
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-
-
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-
-
-
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相关型号：
TT215N24KOFHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 2 Element, MODULE-7
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