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TT330N16

更新时间：2024-09-18 18:23:32

品牌：INFINEON

描述：Trigger Device,

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概述
规格参数
数据手册

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TT330N16 概述

Trigger Device, 其他触发装置

TT330N16 规格参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.28
Base Number Matches：	1

TT330N16 数据手册

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modu

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200, 1400

1600

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

1200, 1400

1600

non-repetitive peak forward off-state voltage

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

1300, 1500

1700

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS on-state current

520

T_C= 85°C

I_TAVM

Dauergrenzstrom

330

average on-state current

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

9100

8000

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

414000

320000

A²s

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

Kritische Stromsteilheit

250

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

6. Kennbuchstabe / 6th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800A

v_T

Durchlaßspannung

on-state voltage

max. 1,44

0,8

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

0,6

mΩ

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

max. 200

gate trigger current

Zündspannung

max.

2,0

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

0,2

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_A= 5Ω

Haltestrom

max. 300

max. 1200

µs

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_GK≥=10Ω

I_L

Einraststrom

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_G= 20µs

latching current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

max.

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

3,0

T_vj= 25°C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}, i_TM= 350A

Freiwerdezeit

t_q

v_RM= 100V, V_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20V/µs, -di_T/dt = 10A/µs

5. Kennbuchstabe / 5th letter O

circuit commutated turn-off time

typ.

250

µs

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50Hz, t = 1min

RMS, f = 50Hz, t = 1sec

V_ISOL

3,0

3,6

MOD-E1; R. Jörke

A /99

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02. Dez 99

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modu

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

pro Modul / per module, Θ = 180°sin

pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin

pro Modul / per module, DC

pro Zweig / per arm, DC

Innerer Wärmewiderstand

R_thJC

max. 0,059 °C/W

max. 0,117 °C/W

max. 0,056 °C/W

max. 0,111 °C/W

thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand

pro Modul / per module

pro Zweig / per arm

R_thCK

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

max. 0,020 °C/W

max. 0,040 °C/W

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

135 °C

- 40...+135 °C

- 40...+140 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Seite 3

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Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate

Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate

Innere Isolation

AlN

internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

mounting torque

Toleranz / tolerance ±15%

6 Nm

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque

Toleranz / tolerance +5% / -10%

12 Nm

Gewicht

weight

typ.

800

Kriechstrecke

17 mm

50 m/s²

creepage distance

Schwingfestigkeit

f = 50Hz

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung

mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

MOD-E1; R. Jörke

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02. Dez 99

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modu

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

MOD-E1; R. Jörke

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02. Dez 99

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modu

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Pos. n

[

]

R_thn°C / W

0,0031

0,0009

0,0097

0,0080

0,0259

0,1100

0,0359

0,6100

0,0366

3,0600

[ ]

τ_ns

n_max

−

τ_n

Analytische Funktion:

Z_thJC

1−e

^thnç

n=1

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MOD-E1; R. Jörke

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

150

140

130

120

110

100

60°_rect

120°_rect

180°_sin180°_rect

100

150

200

250

300

350

400

450

500

550

I_TAV[A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T = f(I_TAVM

)

Strombelastbarkeit je Zweig / current load per arm

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angleθ

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

10000

1000

100

1000A

500A

200A

100A

50A

20A

100

- di/dt [Aµs]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q = f(-di/dt)

T_vj= T_{vj max}, v_R≤ 0,5V_RRM, v_RM= 0,8V_RRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i

MOD-E1; R. Jörke

02. Dez 99

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

1,0E+02

1,0E+01

1,0E+00

1,0E-01

1,0E+01

1,0E+02

1,0E+03

1,0E+04

i_GM[mA]

Zündverzug / Gate controlled delay time t = f(i_GM

)

T_vj= 25°C; di_G/dt = i_GM/1µs

a - maximaler Verlauf / limiting characteristic

b - typischer Verlauf / typical characteristic

MOD-E1; R. Jörke

02. Dez 99

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT 330 N 12...16

0,15

0,10

0,05

0,00

60° rect

120° rect

180° rect

180° sin

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z_thJC= f(t)

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angleθ

MOD-E1; R. Jörke

02. Dez 99

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型号	制造商	描述	价格	文档
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