TT46F08KDL [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 120A I(T)RMS, 45000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element,;


型号：	TT46F08KDL
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier, 120A I(T)RMS, 45000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, 局域网栅栅极
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European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

TT 46 F 08...13

DIN 46244

A 2,8 x 0,8

15,5

14,5

Æ 6

MA2-BE, 24. May 1994

TT 46 F 08...13

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state t_vj= - t_{c op}...t_{vj max}

Spitzensperrspann. and reverse voltages

Maximum rated values

V ¹⁾

V_DRM

800, 1000, 1100

1200, 1300

V_RRM

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off- t_vj= - t_{c op}...t_{vj max}

state voltage

800, 1000, 1100

1200, 1300

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse

t_vj= +25°C...t_{vj max}

V_RSM

900, 1100, 1200

voltage

RMS on-state current

1300, 1400

120

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Dauergrenzstrom

I_TRMSM

I_TAVM

average on-state current

t_c= 85°C

t_c= 48°C

Stoßstrom-Grenzwert

Grenzlastintegral

surge current

I²t-value

t_vj= 25°C, t_p= 10 ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10 ms

t_vj= 25°C, t_p= 10 ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10 ms

I_TSM

1300

1150

8450

6600

I²t

A²s

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state

current

DIN IEC 747-6, f = 50 Hz, v = 10 V

(di_T/dt)_cr

120 A/µs

I_GM= 0,75 A, di_G/dt = 0,75 A/µs

t_vj= t_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe/6th letter B

6.Kennbuchstabe/6th letter C

6.Kennbuchstabe/6th letter L

6.Kennbuchstabe/6th letter M

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state

voltage

(dv_D/dt)_cr

500

1000

3) V/µs

500 V/µs

50 V/µs

500 V/µs

Charakteristische Werte

Durchlaßspannung

Schleusenspannung

Ersatzwiderstand

Characteristic values

on-state voltage

threshold voltage

t_vj= t_{vj max}, i_T= 230 A

t_vj= t_{vj max}

v_T

V_T(TO)

r_T

max. 2,20

1,30

3,4

slope resistance

Zündstrom

Zündspannung

Nicht zündender Steuerstrom

gate trigger current

gate trigger voltage

gate non-trigger current

t_vj= 25 °C, v_D= 12 V

t_vj= t_{vj max}, v_D= 12 V

t_vj= t_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

I_GT

V_GT

I_GD

max. 150 mA

max. 1,4 V

max. 5 mA

max. 2,5 mA

Nicht zündende Steuerspann.

Haltestrom

gate non-trigger voltage

holding current

V_GD

I_H

max. 0,2

max. 250 mA

t_vj= 25 °C, v_D= 12 V, R_A= 5

Einraststrom

latching current

I_L

max. 1000 mA

max. 25 mA

t_vj= 25 °C,v_D= 12 V, R_GK> = 20

i_GM= 0,75 A, di_G/dt = 0,75 A/µs, t = 20

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse

currents

t_vj= t_{vj max}

i_D, i_R

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 747-6, t = 25°C

i_GM= 0,75 A, di_G/dt = 0,75 A/µs

t_vj= t_{vj max}, i_TM= I_TAVM

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

-di_T/dt = 20 A/µs

t_gd

t_q

max. 1,4

µs

Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off

time

5.Kennbuchstabe/5th letter C

5.Kennbuchstabe/5th letter D

5.Kennbuchstabe/5th letter E

5.Kennbuchstabe/5th letter F

RMS, f = 50 Hz, 1 min.

max. 12

max. 15

max. 20

max. 25

2,5

µs

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

R_thJC

Thermische Eigenschaften

Innerer Wärmewiderstand

Thermal properties

thermal resistance, junction

to case

max. 0,26 °C/W

max. 0,52 °C/W

max. 0,25 °C/W

max. 0,50 °C/W

max. 0,08 °C/W

max. 0,16 °C/W

pro Modul/per module, =180° sin

pro Zweig/per arm, =180° sin

pro Modul/per module, DC

pro Zweig/per arm, DC

pro Modul/per module

pro Zweig/per arm

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to

heatsink

R_thCK

Höchstzul.Sperrschichttemp.

Betriebstemperatur

Lagertemperatur

max. junction temperature

operating temperature

storage temperature

t_{vj max}

t_{c op}

t_stg

125

-40...+125

-40...+130

°C

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Innere Isolation

Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung

internal insulation

mounting torque

AlN

Toleranz/tolerance +/- 15%

Toleranz/tolerance +5%/-10%

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque

Gewicht

weight

typ. 180

Kriechstrecke

Schwingfestigkeit

creepage distance

vibration resistance

12,5 mm

50 m/s²

f = 50 Hz

¹⁾1300V auf Anfrage / 1300V on demand

²⁾Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorrausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)

³⁾Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t_q. / Immediatly after circuit commutated turn-off time, see parameters t _q.

320

280

240

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

pro Zweig für DC

I_TM[A]

thJC

per arm for DC

thJC

200

100

Pos. n

[°C/W]

0,0218 0,0426 0,1886

0,000945 0,01 0,31

0,247

1,762

[µAs]

thn

200

[s]

160

Analytische Funktion / Analytical function:

120

max

t _n

(1-e

thn

)

thJC

n=1

200

120

160

-di_T/dt [A/µs]

TT 46 N/1

Bild / Fig. 1

Sperrverzögerungsladung / Recovered Charge Qr = f(di/dt)

= t , v = 0,5 V , v = 0,8 V

vj max

RRM RM

RRM

Parameter: Durchlaßstrom / on-state current I

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