TT81F06KEB-K [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element;
| 型号： | TT81F06KEB-K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 81 F
screwing depth
max. 12
fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
G2
K2
K1
G1
15
25
25
13,3 5
80
94
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK Febr. 1997
TT 81 F, TD 81 F, DT 81 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
VDSM = VDRM
200 400 600 800
V
Spitzensperrspannung
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
ITRMSM
+ 100
180
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
81
A
tc = 62°C
115
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
ITSM
2500
2200
31200
24200
A
A
òi2dt-value
òi2dt
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of on-state current vD £ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
160 A/µs
1)
2)
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50
500
50 V/µs
500 V/µs
50 V/µs
500 V/µs
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 350 A
tvj = tvj max
vT
max. 2,15
V
V
threshold voltage
slope resistance
VT(TO)
rT
1,25
2
tvj = tvj max
mW
mA
V
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max. 150
max. 2
max. 10
max. 0,2
max. 250
max. 1
Zündspannung
tvj = 25 °C, vD = 6 V
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
tvj = tvj max, vD = 6 V
mA
V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 W
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 W
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs
mA
A
Einraststrom
latching current
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tgd
tq
max. 1,4
µs
µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
C: max. 12
D: max. 15
E: max. 20
3
µs
µs
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Innerer Wärmewiderstand
Q =180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max. 0,15 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,03 °C/W
max. 0,142 °C/W
max. 0,284 °C/W
max. 0,03 °C/W
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
pro Zweig/per arm
max. junction temperature
max. 0,06 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische mounting torque
internal insulation
AIN
6
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
M2
Nm
Nm
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
6
Anschlüsse
Gewicht
weight
G
typ. 430
14
g
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
creepage distance
vibration resistance
outline
mm
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s²
1
Maßbild
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
2)
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V RRM £ 800 V und DD 121 S bei VRRM £ 1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V RRM £ 800 V and DD 121 S at VRRM £ 1000 V
TT 81 F, TD 81 F, DT 81 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 81 F, TD 81 F, DT 81 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 81 F
4000
3000
300
t
= 60°C
C
50Hz...1kHz
Parameter: f [kHz]
0
0,4
2
i
200
150
TM
i
TM
1
3
2
6
[A]
1000
[A]
800
600
3
100
80
400
10
3
2
1
0,4
0,25
0,1 50 Hz
6
200
10
60
50
100
80
f
[kHz]
10
0
6
40
60
t
= 60°C
c
30 TT 81 F12/4
300
40 TT 81 F3/1
3
t
= 80°C
C
2
Parameter: f [kHz]
0
i
200
150
TM
10
50Hz...1kHz 50Hz
i
TM
3
0,4
2
[A]
[A]
8
6
3
1
4
2
100
80
6
2
50 Hz
3
2
1
0,4
0,25
0,1
6
10
f
[kHz]
0
10
2
60
50
3
10
8
6
40
6
10
t
= 80°C
c
4
30
3 TT 81 F4/2
3
300 TT 81 F13/5
t
= 100°C
C
2
Parameter: f [kHz]
0
i
200
150
TM
1 0
i
TM
3
[A]
[A]
8
6
f
[kHz]
0
50Hz...1kHz 50Hz
4
100
80
2
0,4
3
2
2
3
2
1
0,25
0,1
50 Hz
0,4
1
6
60
50
6
1 0
8
10
6
40
6
10
2
3
t =100°C
c
4
3
30
5
4 0 60
100
200
µs
6
10
400 600
1
2
4
20
40
+ di /dt [A/µs]
6
8
10
60
80 100
m s
TT81F14/6
T
-
TT 81 F5/3
t
p
Bild / Fig. 1, 2, 3
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,
Gehäusetemperatur t ;
C
DRM
C
Vorwärts-Sperrspannung V
£ 0,67 V
;
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
DM
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,
q
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
D
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung:
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 500 V/µs
Betrieb mit antiparalleler Diode oder
0
R
und Anstieg auf v
£ 0,67 V
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v
R
£ 50 V.
RM
RRM;
R
RM
dv /dt £ 500 V/µs und Anstieg auf v = 0,67 V
RM RRM
_ _ _ _ _
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten
.
0
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und
R
Anstieg auf V
RM
£ 50 V.
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,
C
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
forward off-state voltage v
£ 0.67 V
,
DM
DRM
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,
q
C,
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
,
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
DM
DRM
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,
q
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.
D
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______
Operation with inverse paralleled diod or
Turn-of losses:
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v
£ 50 V.
R
RM
RM
_ _ _ _ _
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 500V/µs
dv /dt £ 500 V/µs rising up to v
= 0.67 V
.
RRM
0
R
R
and rise up to v
RM
£ 0.67 V
;
RRM
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for
0
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to
R
v
RM
£ 50 V.
i
i
RC-Glied/RC network:
RC-Glied/RC network:
-di /dt
T
.
.
v
i
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
DM [V]
TM
TM
R
C
R
t
t
C
£ 0,15µF
C £ 0,22µF
+di/dt
_
T
t
p
C
2
_
1
f0
_
1
f0
T=
T=
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
i
G
G
a
a
TT 81 F
3
2
3
2
± di /dt = 25 A/µs
T
± di /dt = 25 A/µs
T
W
= 10 Ws
W
= 10 Ws
= 10 Ws
= 10 Ws
tot
tot
600mWs 1Ws
400
2
4
6
600mWs
1Ws
400
2
4
6
i
i
TM
TM
200
100
200
100
3
3
10
10
[A]
[A]
8
6
8
6
4
4
60
40
6
4
2
2
2
2
20
10
3
10
10
2,5
8
6
8
6
2 mWs
6 mWs
4
4
3 TT81F9/10
3 TT 81 F6/7
3
3
± di /dt = 50 A/µs
T
± di /dt = 50 A/µs
T
W
= 10 Ws
W
tot
600mWs
2
600mWs
2
1Ws
1Ws
2
4
6
2
4
6
tot
i
i
TM
400
3
400
3
TM
10
10
[A]
[A]
8
6
8
6
200
100
200
4
4
100
60
40
2
2
2
60
20
40
2
10
10
8
6
8
6
10
30mWs
6mWs
4
4
3 TT 81 F7/8
3 TT 81 F10/11
3
3
± di /dt = 100 A/µs
T
± di /dt = 100 A/µs
T
W
= 10 Ws
W
1Ws
2
1Ws
2
4
2
6
tot
2
4
6
tot
600
mWs
600mWs
3
i
i
TM
TM
3 400
10
10
400
[A]
[A]
8
8
6
6
200
200
150
4
4
100
60
100
80
2
2
2
40
2 20
60
10
8
6
10
8
6
50
10
40mWs
6 mWs
4
3
4
3
40
6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
1 0
40 6 0
100
200
µs
6
1 0
400 600
1
2
4
t
ms
ms
TT 81 F8/9
t
TT 81 F11/12
w
w
Bild / Fig. 7, 8, 9
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
tot
tot
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
Rückwärts-Sperrspannung v
£ 50V,
£ 0,67V
,
RRM
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 500 V/µs.
R
R
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
trapezoidal current pulse for one arm at:
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di /dt,
given rate of rise of on-state current di /dt,
T
T
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
DRM
,
forward off-state voltage v
DM
£ 0,67 V
,
DM
RM
DRM
maximum reverse voltage v
£ 50 V,
maximum reverse voltage v
RM
£ 0.67 V
,
RRM
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 500 V/µs.
R
R
i
T
i
T
i
R
C
TM
i
R
C
TM
-di /dt
di /dt
T
T
-di /dt
di /dt
T
T
t
t
w
t
t
w
RC-Glied/RC network:
.
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
RC-Glied/RC network:
.
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
G
a
i
G
a
C
£ 0,22µF
C
£ 0,22µF
TT 81 F
10k
3000
P
+ PT [kW]
6000
1
2
4
6
10
TT
40
W
[Ws]
tot
0 ,
20
i
6
[A]
2000
0 ,
i
TM
1000
T
10
6
4
4
0,2
[A]
1000
0 ,
600
2
1
1
0, 0
600
400
6
400
0, 0
0,6
0,4
4
0, 0
200 2
200
100
0,2
0,1
0, 0
1
6
m W
60
40
100
60
0,06
0,04
s
4
3
m W
s
20
10
0,02
40
30
40
6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
1 0
4
1
2
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1ms
t [µs]
TT 81 F1/13
ms
TT 81 F2/14
t
p
Bild / Fig. 13
Bild / Fig 14
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen
tot
leistung (P + P ) je Zweig.
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
TT
T
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P + P ).
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal
tot
on-state current pulse for one arm.
TT
T
RC-Glied/RC network:
i
Lastkreis/load circuit:
T
.
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
v
v
£ 0,67 V
DRM
i
DM
RM
R
C
TM
C
£ 0,15µF
£
50 V
dv /dt £ 100 V/µs
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
G
a
30
20
100
60
v
t
G
gd
10
8
20
10
c
[V]
b
[µs]
6
a
4
2
6
4
2
1
0,8
0,6
a
1
0,6
0,4
0,4
b
0,2
0,1
0,2
0,1
600
600
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
A
A
i
i
G
T 72 F15 / T102 F/15
T 72 F16 / T 102 F/16
G
Bild / Fig. 15
Bild / Fig. 16
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v = 6V.
Zündverzug/Gate controlled delay time t ,
gd
D
Gate characteristic and peak power dissipation at v = 6V.
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.
a vj
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
D
Parameter:
a
b
c
___________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
[ms]
10
1
0,5
g
___________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
___________________________________________________________
i
TM = 500 A
120
[µAs]
Q
r
100
80
60
40
20
100 A
50 A
20 A
10 A
5 A
150
- di /dt [A/µs]
0
50
100
200
T
TT 81 F 02...08
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)
r
t
= t
vj max
, v = 0,5 V
, v
RRM RM
= 0,8 V
RRM
vj
R
Parameter: Durchlaßstrom I
/
TM
Recovert charge Q = f(di/dt)
r
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
, v
RRM RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
TT 81 F
0,440
0,480
0,440
0,400
[°C/W]
[°C/W]
0
Z
Z
q
0
thJC
thJC
q
0,360
0,320
0,320
0,280
0,280
0,240
0,200
0,160
0,120
q =
0,240
0,200
0,160
0,120
0,080
30°
q =
30°
60°
90°
60°
90°
120°
180°
0,080
0,040
0
120°
180°
0,040
0
DC
-3
2
0
1
1
2
-2
-1
-2
-1
10
0
2
4 6 810
6
10
6 10
8
2
4
6 810
2
4 6 810
6
4
6 10
8
2
3 4 6 8 10
2
3
4
6 810
10
2
4
8
2
4
10
2
3 4
8
2
3
TT 71 F16/19
TT 71 F15.1/18
t [s]
t [s]
Bild / Fig. 18
Bild / Fig. 19
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
(th)JC
,junction to case.
(th)JC
Transient thermal impedance, junction zo case, per arm Z
Transient thermal impedance per arm Z
.
(th)JC
(th)JC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,002
0,028
0,076
0,085
0,095
0,399
0,083
2,68
thn
t
[s]
0,00031 0,00314
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
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