TZ530N30KOF [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3000V V(RRM), MODULE-4;
TZ530N30KOF
型号: TZ530N30KOF
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3000V V(RRM), MODULE-4

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
TZ530N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
3000  
3400  
3200 V  
3600 V  
VDRM,VRRM  
3000  
3400  
3200 V  
3600 V  
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak forward off-state voltage  
Tvj = -40°C... Tvj max  
VDSM  
3100  
3500  
3300 V  
3700 V  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VRSM  
1500 A  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
530 A  
955 A  
TC = 85°C  
TC = 30°C  
22.000 A  
20.000 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
ITSM  
2.420.000 A²s  
2.000.000 A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
DIN IEC 747-6  
80 A/µs  
Kritische Stromsteilheit  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
6.Kennbuchstabe / 6th letter C  
6.Kennbuchstabe / 6th letter F  
500 V/µs  
1000 V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
max.  
2,65 V  
1,05 V  
0,49 mΩ  
250 mA  
2 V  
Tvj = Tvj max , iT = 3000 A  
Tvj = Tvj max  
vT  
on-state voltage  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Zündstrom  
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
Nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
V(TO)  
rT  
Tvj = Tvj max  
max.  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
max.  
max.  
Tvj = Tvj max , vD = 6 V  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
10 mA  
5 mA  
0,25 V  
max.  
Haltestrom  
holding current  
Einraststrom  
latching current  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10 Ω  
max.  
500 mA  
IL  
max. 2500 mA  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse current  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
tgd  
max.  
max.  
250 mA  
4 µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
DIN IEC 747-6  
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
C.Drilling  
date of publication: 06.03.03  
prepared by:  
revision:  
1
approved by: J. Novotny  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
1/12  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ530N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Freiwerdezeit  
circuit commutated turn-off time  
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM  
tq  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
5.Kennbuchstabe / 5th letter O  
typ.  
400 µs  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec  
VISOL  
kV  
kV  
3,0  
3,6  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC  
pro Modul / per Module, DC  
max. 0,0450 °C/W  
max. 0,0435 °C/W  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
0,01  
125  
pro Modul / per Module  
max.  
°C/W  
°C  
Übergangs-Wärmewiderstand  
RthCH  
thermal resistance, case to heatsink  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
-40...+125 °C  
-40...+130 °C  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
internal insulation  
AlN  
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse  
mounting torque  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
Steueranschlüsse  
control terminals  
Gewicht  
weight  
Toleranz / Tolerance ± 15%  
M1  
M2  
6
Nm  
Toleranz / Tolerance ± 10%  
DIN 46 244  
18 Nm  
A 2,8 x 0,8  
typ. 2750  
G
g
Kriechstrecke  
36 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
file-No.  
E 83336  
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in  
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging  
technical notes.  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
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A 17/00  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
2
1
4 5  
TZ  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
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A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Pos. n  
Rthn [°C/W]  
τn [s]  
1
2
3
4
5
6
7
0,0011  
0,01  
0,00275  
0,0188  
0,00942  
0,30347  
0,023157  
4,994  
0,00721  
9,98  
nmax  
n
ZthJC  
1 - e– t  
R  
n=1  
Analytische Funktion / Analytical function:  
thn  
Verstärkte Kühlung / Forced cooling  
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink  
Kühlkörper / Heatsink type: KW 70 (4l/min)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
Rthn [°C/W]  
τn [s]  
1
2
0,00035  
13  
3
4
5
6
7
0,00214  
9,89  
0,0245  
31,3  
nmax  
R  
n=1  
1 - e – t  
n
ZthCA  
Analytische Funktion / Analytical function:  
thn  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
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A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
0,050  
Θ=  
60°  
120°  
DC  
0,040  
0,030  
0,020  
0,010  
0,000  
180°  
0°  
0
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
0,050  
0,040  
0,030  
0,020  
0,010  
0,000  
Θ=  
60°  
180°  
0°  
180°  
0
t [s]  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
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A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
2500  
180°  
120°  
2000  
1500  
1000  
500  
0
0°  
180°  
90°  
0
60°  
= 30°  
ITAV [A]  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV  
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
DC  
180°  
180°  
0°  
0
120°  
90°  
60°  
= 30°  
0
0
500  
1000  
1500  
ITAV [A]  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV  
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
6/12  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
140  
120  
100  
80  
0°  
180°  
0
60  
40  
60°  
180°  
90°  
= 30°  
400  
120°  
800  
20  
0
200  
600  
1000  
I
TAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
140  
120  
100  
80  
180°  
0°  
0
60  
40  
180°  
1000  
60°  
90° 120°  
DC  
= 30°  
20  
0
500  
1500  
7/12  
ITAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
5000  
ID  
B2  
0,01  
RthCA [°C/W]  
+
0,015  
R-Last  
R-load  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
~
0,02  
-
L-Last  
L-load  
0,03  
0,04  
0,06  
0,08  
0,10  
0,15  
0,20  
0,30  
0
200  
400  
600  
800  
I D [A]  
1000  
1200  
1400  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
T A [°C]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
ID  
B6  
R thCA [°C/W]  
0,01  
+
3~  
0,015  
0,02  
-
0,025  
0,03  
,
0,04  
0,06  
0,10  
0,15  
0,20  
0,40  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
T
A [°C]  
ID [A]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
8/12  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
3000  
0,01  
W1C  
R thCA [°C/W]  
~
IRMS  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
0,02  
~
0,03  
0,04  
0,06  
0,08  
0,10  
0,15  
0,20  
0,30  
0,40  
0,60  
0
0
500  
1000  
1500  
2000  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
TA [°C]  
I RMS [A]  
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS  
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA  
6000  
W3C  
R thCA [°C/W]  
~
~
~
~
~
0,01  
IRMS  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
0,015  
0,02  
~
0,025  
0,03  
0,04  
0,06  
0,10  
0,15  
0,20  
0,40  
0
500  
1000  
1500  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
T A [°C]  
I RMS [A]  
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS  
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
9/12  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
100  
10  
1
c
b
a
0,1  
10  
iG [mA]  
100  
1000  
10000  
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V  
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :  
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms  
1000  
100  
10  
a
b
1
0,1  
iGM [mA]  
10  
100  
1000  
10000  
10/12  
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)  
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs  
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic  
b - typischer Verlauf / Typical characteristic  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
10000  
iTM = 2000A  
1000A  
500A  
200A  
100A  
50A  
1000  
1
10  
100  
-di/dt [A/µs]  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj = Tvjmax, vR 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM  
14.000  
12.000  
10.000  
8.000  
6.000  
4.000  
2.000  
0
a
Ta = 25 °C  
b
0,01  
0,1  
1
t [s]  
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
a: Leerlauf / No-load conditions  
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM  
TA = 25°C, Wasserkühlung / water cooling  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
11/12  
A 17/00  
Seite/page  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor-Modul  
TZ530N  
Phase Control Thyristor Module  
10.000  
8.000  
6.000  
4.000  
2.000  
0
I TAV (vor)  
0 A  
250 A  
400 A  
520 A  
600 A  
650 A  
=
0,01  
0,1  
1
10  
100  
1000  
10000  
t [s]  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. ) Wasserkühlung / water cooling at TA = 25°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)  
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther  
12/12  
A 17/00  
Seite/page  
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einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
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application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for  
any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  

相关型号:

TZ530N32KOF

Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3200V V(RRM), MODULE-4
INFINEON

TZ530N32KOFHPSA1

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON

TZ530N34KOC

Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3400V V(RRM), MODULE-4
INFINEON

TZ530N34KOF

Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3400V V(RRM), MODULE-4
INFINEON

TZ530N36KOF

Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3600V V(RRM), MODULE-4
INFINEON

TZ530N36KOFHPSA1

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
INFINEON

TZ530N36KOFS01HPSA1

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, MODULE-4
INFINEON
ETC
ETC
ETC
ETC
ETC