TZ530N30KOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3000V V(RRM), MODULE-4;型号: | TZ530N30KOF |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 530000mA I(T), 3000V V(RRM), MODULE-4 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
TZ530N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
3000
3400
3200 V
3600 V
VDRM,VRRM
3000
3400
3200 V
3600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
3100
3500
3300 V
3700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1500 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
530 A
955 A
TC = 85°C
TC = 30°C
22.000 A
20.000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
2.420.000 A²s
2.000.000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6
80 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter C
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
500 V/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
2,65 V
1,05 V
0,49 mΩ
250 mA
2 V
Tvj = Tvj max , iT = 3000 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
V(TO)
rT
Tvj = Tvj max
max.
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
max.
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
10 mA
5 mA
0,25 V
max.
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
max.
500 mA
IL
max. 2500 mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
250 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
C.Drilling
date of publication: 06.03.03
prepared by:
revision:
1
approved by: J. Novotny
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ530N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
400 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
3,0
3,6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Modul / per Module, DC
max. 0,0450 °C/W
max. 0,0435 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
0,01
125
pro Modul / per Module
max.
°C/W
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
6
Nm
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
18 Nm
A 2,8 x 0,8
typ. 2750
G
g
Kriechstrecke
36 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
2
1
4 5
TZ
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0011
0,01
0,00275
0,0188
0,00942
0,30347
0,023157
4,994
0,00721
9,98
nmax
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC
1 - e– t
ꢀ R
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KW 70 (4l/min)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
0,00035
13
3
4
5
6
7
0,00214
9,89
0,0245
31,3
nmax
ꢀR
n=1
1 - e – t
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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A 17/00
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
0,050
Θ=
60°
120°
DC
0,040
0,030
0,020
0,010
0,000
180°
0°
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,050
0,040
0,030
0,020
0,010
0,000
Θ=
60°
180°
0°
180°
0
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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A 17/00
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
2500
180°
120°
2000
1500
1000
500
0
0°
180°
90°
0
60°
ꢀ
= 30°
ITAV [A]
0
200
400
600
800
1000
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
3000
2500
2000
1500
1000
500
DC
180°
180°
0°
0
120°
90°
60°
ꢀ
= 30°
0
0
500
1000
1500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
60°
180°
ꢀ
90°
= 30°
400
120°
800
20
0
200
600
1000
I
TAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
ꢀ
180°
1000
60°
90° 120°
DC
= 30°
20
0
500
1500
7/12
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
A 17/00
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
5000
ID
B2
0,01
RthCA [°C/W]
+
0,015
R-Last
R-load
4000
3000
2000
1000
0
~
0,02
-
L-Last
L-load
0,03
0,04
0,06
0,08
0,10
0,15
0,20
0,30
0
200
400
600
800
I D [A]
1000
1200
1400
0
20
40
60
80
100
120
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,01
+
3~
0,015
0,02
-
0,025
0,03
,
0,04
0,06
0,10
0,15
0,20
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
T
A [°C]
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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A 17/00
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
3000
0,01
W1C
R thCA [°C/W]
~
IRMS
2500
2000
1500
1000
500
0,02
~
0,03
0,04
0,06
0,08
0,10
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0
0
500
1000
1500
2000
0
20
40
60
80
100
120
TA [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
6000
W3C
R thCA [°C/W]
~
~
~
~
~
0,01
IRMS
5000
4000
3000
2000
1000
0
0,015
0,02
~
0,025
0,03
0,04
0,06
0,10
0,15
0,20
0,40
0
500
1000
1500
0
20
40
60
80
100
120
T A [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
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A 17/00
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
1000
100
10
a
b
1
0,1
iGM [mA]
10
100
1000
10000
10/12
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
A 17/00
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
10000
iTM = 2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
1000
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
14.000
12.000
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
0
a
Ta = 25 °C
b
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 25°C, Wasserkühlung / water cooling
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
11/12
A 17/00
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TZ530N
Phase Control Thyristor Module
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
0
I TAV (vor)
0 A
250 A
400 A
520 A
600 A
650 A
=
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. ) Wasserkühlung / water cooling at TA = 25°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rüther
12/12
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Nutzungsbedingungen
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- the conclusion of Quality Agreements;
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and that we may make delivery depended on the realization
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相关型号:
TZ530N32KOFHPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
TZ530N36KOFHPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
TZ530N36KOFS01HPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, MODULE-4
INFINEON
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