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MAX4416EUA  MAX4417EUA  LP3891ET-1.5  LP3874ET-3.3  MAX4414EUA  MAX6463XR46-T  LP3891ESX-1.8  MAX6461  MAX6462  MAX1755  
08090 LDMOS射频功率场效应晶体管90 W, 869-960兆赫 (LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz)
.型号:   08090
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描述: LDMOS射频功率场效应晶体管90 W, 869-960兆赫
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
文件大小 :   205 K    
页数 : 10 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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08090 LDMOS射频功率场效应晶体管90 W, 869-960兆赫 (LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz)
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100%
PTF080901
LDMOS射频功率场效应晶体管
90 W, 869-960兆赫
描述
该PTF080901是90瓦,内部匹配
GOLDMOS
FET意
对EDGE和CDMA应用在860至960 MHz频段。全金
金属确保优良的器件的寿命和可靠性。
特点
宽带内部匹配
典型的边缘表现
- 平均输出功率= 45瓦
- 增益= 18分贝
- 效率= 40%
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝= 120瓦
- 增益= 17分贝
- 英法fi效率= 60 %
集成ESD保护:人体
模型中, 1级(最低)
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 : 1 VSWR @ 28 V ,
90 W( CW)输出功率
EDGE调制频谱性能
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 700 mA时, F = 959.8兆赫
0
55
效率
50
45
40
35
30
400千赫
25
20
600千赫
36
38
40
42
44
46
48
50
15
10
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
调制谱( dB)的
排水Ë FFI效率( % )
PTF080901E
包30248
输出功率(dBm )
PTF080901F
包31248
ESD :
静电放电敏感器件,观察处理注意事项!
射频特性
在T
= 25 ° C除非另有说明
EDGE测量
(不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 700毫安, P
OUT
= 45 W, F = 959.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
符号
EVM ( RMS )
ACPR
ACPR
G
ps
典型值
2.5
–62
–74
18
40
最大
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
η
D
双色测量
(英飞凌测试夹具测试)
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 650毫安,P
OUT
= 90瓦PEP , F = 960 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
数据表
1
符号
G
ps
17
40
典型值
18
42
–32
最大
–29
单位
dB
%
dBc的
2004-04-05
η
D
IMD
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