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4N32 光电复合光耦 (PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER)
.型号:   4N32
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描述: 光电复合光耦
PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER
文件大小 :   48 K    
页数 : 2 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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4N32 光电复合光耦 (PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER)
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100%
4N32/4N33
PHOTODARLINGTON
光电耦合器
特点
•非常高的电流传输比, 500 %最小。
•高绝缘电阻, 10
11
典型
•标准塑料DIP封装
•美国保险商实验室文件# E52744
V
VDE认证# 0884 (可与
选项​​1 )
D E
尺寸以英寸(毫米)
脚一ID 。
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
阳极1
阴极2
NC 3
6基地
5收藏家
4发射器
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离器
用砷化镓红外发光二极管和硅
光电复合传感器。开关可
实现了在保持间隔离的高度
驾驶与负载电路之间的重刑。这些光耦
成色剂可以用来代替簧片和汞
继电器具有寿命长,高速的优点
开关和消除磁性连接的视场中。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压........................................ 3 V
连续正向电流......................... 60毫安
25功耗
°
Ç .......................... 100毫瓦
从55线性降额
°
Ç .................... 1.33毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极击穿电压,
BV
首席执行官
.......................................................... 30 V
发射极 - 基极击穿电压,
BV
EBO
............................................................. 8V
集电极 - 基极击穿电压,
BV
CBO
.......................................................... 50 V
Emiter集电极击穿电压,
BV
ECO
............................................................ 5 V
收集器(负载)电流............................... 125毫安
25功耗
°
C环境........... 150毫瓦
25线性降额
°
Ç ...................... 2.0毫瓦/
°
C
总功耗在25
°
C环境............. 250毫瓦
25线性降额
°
Ç ...................... 3.3毫瓦/
°
C
隔离测试电压......................... 5300 VAC
RMS
发射器和检测器之间,
标准气候: 23
°
C/50%RH,
DIN 50014
泄漏通道........................................ 7毫米分钟。
风路................................................ ... 7 mm最小。
隔离性能及其
V
IO
=500 V/25
°
C ......................................
10
12
V
IO
=500 V/100
°
C ....................................
10
11
存储温度...................- 55
°
C至+150
°
C
工作温度...............- 55
°
C至+100
°
C
铅焊接时间在260
°
Ç .................... 10秒。
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° (典型值) 。
0.020 ( 0.051 )分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
电气特性
(T
A
=25
°
C)
参数
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
BV
首席执行官
*
BV
CBO
*
BV
EBO
*
BV
ECO
*
I
首席执行官
H
FE
电流传输比
V
CESAT
耦合电容
启动时间
关闭时间
*表示JEDEC注册的价值观
5–1
500
1.0
1.5
5
100
%
V
pF
µ
s
µ
s
V
CC
=10 V,
I
C
-50毫安
I
F
=200mA,
R
L
=180
I
F
= 10毫安,
V
CE
=10 V
I
C
= 2毫安,
I
F
= 8毫安
30
50
8
5
10
1.0
13K
100
V
V
V
V
nA
I
C
=100
µ
A,I
F
=0
I
C
=100
µ
A,I
F
=0
I
C
=100
µ
A,I
F
=0
I
E
=100
µ
A,I
F
=0
V
CE
= 10 V,I
F
=0
I
C
-0.5毫安
1.25
0.1
25
1.5
100
V
µ
A
pF
I
F
-50毫安
V
R
=3.0 V
V
R
=0 V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
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