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A2M1CCP24VDC1.6  A2M1BSQ6VDC1.9D  A2M1CCQ24VDC1.9  A2M1BSQ6VDC1.9DR  A2M1CCP6VDC1.6R  A2M1BSQ6VDC1.6D1  A2M1CCQ12VDC1.6  A2M1CCP12VDC1.6D  A2M1CSP12VDC1.62D  A2M1CSP24VDC1.6  
4N39 照片光耦可控硅 (PHOTO SCR OPTOCOUPLER)
.型号:   4N39
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描述: 照片光耦可控硅
PHOTO SCR OPTOCOUPLER
文件大小 :   25 K    
页数 : 1 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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4N39 照片光耦可控硅 (PHOTO SCR OPTOCOUPLER)
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100%
4N39
照片光耦可控硅
特点
•接通电流(I
FT
) ,5.0 mA典型
•门极触发电流(I
GT
) , 20毫安
•浪涌阳极电流10安培
•阻断电压200 VAC
PK
•门极触发电压(V
GT
),0.6伏
•隔离电压5300 VAC
RMS
•固态可靠性
•标准DIP封装
•美国保险商实验室文件# E52744
描述
的4N39是光学耦合的SCR与GAL-
lium砷化红外发射器和一个硅光
SCR传感器。开关就可以实现,而
维持之间的高度隔离
触发电路和负载电路。的4N39可以使用
在SCR可控硅和固态继电器的应用
其中高阻断电压和低输入电流
灵敏度是必需的。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压.................................... 6.0 V
最大正向电流
(100
µ
S, 1 %占空比) ............................. 1.0
连续正向电流........................ 60毫安
25功耗
°
Ç .......................... 100毫瓦
50线性降额
°
Ç ......................... 2毫瓦/
°
C
探测器
反向栅极电压..................................... 6.0 V
阳极峰值阻断电压....................... 200 V
峰值反向栅极电压............................... 6 V
阳极电流............................................ 300毫安
浪涌电流阳极(100
µ
秒持续时间中) .......... 10 A
浪涌电流门( 5毫秒的时间) ........... 100毫安
功耗, 25
°
C环境.............. 400毫瓦
25线性降额
°
Ç ......................... 8毫瓦/
°
C
隔离测试电压( 1秒) .......... 5300 VAC
RMS
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
A
=25
°
C ...............................
10
12
V
IO
= 500 V ,T
A
=100
°
C .............................
10
11
总包耗散.......................... 450毫瓦
50线性降额
°
Ç ......................... 9毫瓦/
°
C
工作温度................- 55
°
C至+100
°
C
存储温度....................- 55
°
C至+150
°
C
焊接温度( 10秒) ....................... 260
°
C
包装尺寸以英寸(毫米)
脚一ID 。
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
阳极1
阴极2
NC 3
6门
5阳极
4阴极
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° (典型值) 。
0.020 ( 0.051 )分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
特征
(T
A
=25
°
C)
对称
BOL
辐射源
正向电压
反向电流
探测器
正向阻断
电压
反向阻断
电压
分钟。
典型值
.
1.2
最大
.
1.5
10
单位
条件
V
F
I
R
V
DM
V
RM
VTM
I
H
V
µ
A
V
V
I
F
= 20毫安
V
R
=5 V
R
GK
=10 K
T
A
=100
°
C
Id=150
µ
A
200
200
1.2
200
0.6
1.0
通态电压
保持电流
门极触发
电压
正向漏
当前
V
µ
A
V
I
TM
= 300毫安
R
GK
=27 K
V
FX
=50 V
V
FX
=100 V
R
GK
=27 K
R
L
=10 K
R
GK
=10 K
V
RX
=200 V
I
F
=0,
T
A
=100
°
C
R
GK
=27 K
V
RX
=200 V
I
F
=0,
T
A
=100
°
C
V
FX
=50 V
R
GK
=10 K
V
FX
=100 V
R
GK
=27 K
V
GT
I
DM
50
µ
A
反向漏
当前
I
RM
50
µ
A
导通电流0N
I
FT
15
8
电容隔离
tance
5–36
30
14
mA
2
pF
F = 1 MHz的
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