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![]() 特点 •隔离测试电压: 2500 VAC RMS • TTL兼容 •高比特率: 1 Mbit / s的 •高共模干扰抗扰性 •带宽为2MHz •集电极开路输出 •外部接线基地可能 •场效应稳定了TRIOS * •美国保险商实验室文件# E52744 描述 该6N135和6N136光耦合器是用 GaAIAs红外发光二极管,光耦合 带有集成光探测器它由 一个光电二极管和一个DIP-高速晶体管 8塑料封装。 信号可以在两个electri-之间传输 美云分离电路达到2频率 兆赫。电路之间的电势差 要被连接不允许超过马克西 妈妈允许的基准电压。 最大额定值 辐射源 反向电压................................................ 0.5 V 正向电流............................................ 25毫安 最大正向电流 (T = 1毫秒,占空比50 % ) ............................ 50毫安 最大正向电流浪涌 (t ≤1 µs, 300脉冲/秒) ....................................... 1 热电阻................................... 700 K / W 总功率耗散(T A ≤70°C) ............... 45毫瓦 探测器 电源电压..................................... -0.5至15 V 输出电压.................................... -0.5至15 V 发射极 - 基极电压......................................... 5 V 输出电流................................................ 0.8毫安 最大输出电流.............................. 16毫安 基极电流................................................ .. 5毫安 热电阻................................... 300 K / W 总功率耗散(T A ≤70°C) ............. 100毫瓦 包 隔离测试电压(发射极之间 符合DIN 40046检测气候, 第2部分11月74 (T = 1分。 ) ............... 2500 VAC RMS 污染度( DIN VDE 0109 ) ......................... 2 爬电距离 ...........................................................≥7 mm 净空 ...........................................................≥7 mm 每漏电起痕指数 DIN IEC112 / VDE 0303第1部分, 根据DIN VDE第Ⅲa 6110 ........................ 175 绝缘电阻 V IO = 500 V ,T A = 25°C ............................... ≥10 12 Ω V IO = 500 V ,T A = 100°C ............................. ≥10 11 Ω 存储温度范围....... -55 ° C至+ 125°C 环境温度范围...... -55 ° C至+ 100°C 焊接温度(最大。 ≤10 秒, 浸焊 ≥0.5 毫米 情况下) .............................................. 260 ℃, *三重奏透明离子盾 6N135 6N136 高速2.5千伏TRIOS® 光电耦合器 尺寸以英寸(毫米) 4 3 2 1 针 一 内径 NC 1 2 3 4 8 7 6 5 阴极 (V CC ) BASE (V B ) 集热器 (V O ) 辐射源 (GND)的 .268 (6.81) .255 (6.48) 阳极 阴极 NC 5 6 7 8 .390 (9.91) .379 (9.63) .045 (1.14) .030 (.76) .150 (3.81) .130 (3.30) 0.305 (典型值) 。 ( 7.75 ) (典型值) 。 .135 (3.43) .115 (2.92) 4° 典型值。 .022 (.56) .018 (.46) .100 (2.54) 典型值。 .040 (1.02) .030 (.76 ) 3°–9° 10° 典型值。 .012 (.30) .008 (.20) 特征 (T A = 0 〜70 ° C除非另有规定ED ,T A = 25°C典型值)。 辐射源 正向电压 击穿电压 反向电流 电容 温度Coeffi- cient ,正向电压 探测器 电源电流 逻辑低 电源电流 逻辑高 输出电压, 输出低 6N135 6N136 输出电流, 输出高 输出电流, 输出高 电流增益 包 耦合电容 输入输出 电流传输比 6N135 6N136 6N135 6N136 5–1 CTR CTR CTR CTR 16 (≥7) 35 (≥19) ≥5 ≥15 % % % I F = 16 mA时, V O =0.4 V, V CC = 4.5 V ,T A =25°C I F = 16 mA时, V O =0.5 V, V CC =4.5 V C IO 0.6 pF F = 1 MHz的 I CCL I CCH 150 0.01 (≤1) µA µA I F = 16 mA时, V O 开放的, V CC =15 V I F = 0 mA时,V O 开放的, V CC =15 V I F = 16毫安, V CC =4.5 V I O = 1.1毫安 I O = 2.4毫安 I F = 0 mA时, V O =V CC =5.5 V I F = 0毫安 V O =V CC =15 V V O = 5 V,I O -3毫安 符号 V F V BR I R C O ∆V F /∆T A 1.6 (≤1.9) ≥5 0.5 (≤10) 125 -1.7 单位 V V µA pF 毫伏/°C的 条件 I F = 16毫安 I R =10 µA V R =5 V V R = 0 V , F = 1兆赫 I F = 16毫安 V OL V OL I CH 0.1 (≤0.4) 0.1 (≤0.4) 3 (≤500) V V nA I CH H FE 0.01 (≤1) 150 µA 本文档是从FrameMaker 4.0.4创建
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