特点

•隔离测试电压： 2500 VAC

RMS

• TTL兼容

•高比特率： 1 Mbit / s的

•高共模干扰抗扰性

•带宽为2MHz

•集电极开路输出

•外部接线基地可能

•场效应稳定了TRIOS *

•美国保险商实验室文件＃ E52744

描述

该6N135和6N136光耦合器是用

GaAIAs红外发光二极管，光耦合

带有集成光探测器它由

一个光电二极管和一个DIP-高速晶体管

8塑料封装。

信号可以在两个electri-之间传输

美云分离电路达到2频率

兆赫。电路之间的电势差

要被连接不允许超过马克西

妈妈允许的基准电压。

最大额定值

辐射源

反向电压................................................ 0.5 V

正向电流............................................ 25毫安

最大正向电流

（T = 1毫秒，占空比50 ％ ） ............................ 50毫安

最大正向电流浪涌

(t

≤1 µs,

300脉冲/秒） ....................................... 1

热电阻................................... 700 K / W

总功率耗散（T

A

≤70°C)

............... 45毫瓦

探测器

电源电压..................................... -0.5至15 V

输出电压.................................... -0.5至15 V

发射极 - 基极电压......................................... 5 V

输出电流................................................ 0.8毫安

最大输出电流.............................. 16毫安

基极电流................................................ .. 5毫安

热电阻................................... 300 K / W

总功率耗散（T

A

≤70°C)

............. 100毫瓦

包

隔离测试电压（发射极之间

符合DIN 40046检测气候，

第2部分11月74 （T = 1分。 ） ............... 2500 VAC

RMS

污染度（ DIN VDE 0109 ） ......................... 2

爬电距离

...........................................................≥7

mm

净空

...........................................................≥7

mm

每漏电起痕指数

DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，

根据DIN VDE第Ⅲa 6110 ........................ 175

绝缘电阻

V

IO

= 500 V ，T

A

= 25°C ...............................

≥10

12

Ω

V

IO

= 500 V ，T

A

= 100°C .............................

≥10

11

Ω

存储温度范围....... -55 ° C至+ 125°C

环境温度范围...... -55 ° C至+ 100°C

焊接温度（最大。

≤10

秒，

浸焊

≥0.5

毫米

情况下） .............................................. 260 ℃，

*三重奏透明离子盾

6N135

6N136

高速2.5千伏TRIOS®

光电耦合器

尺寸以英寸（毫米）

4

3

2

1

针

一

内径

NC

1

2

3

4

8

7

6

5

阴极

(V

CC

)

BASE

(V

B

)

集热器

(V

O

)

辐射源

（GND）的

.268 (6.81)

.255 (6.48)

阳极

阴极

NC

5

6

7

8

.390 (9.91)

.379 (9.63)

.045 (1.14)

.030 (.76)

.150 (3.81)

.130 (3.30)

0.305 （典型值） 。

（ 7.75 ） （典型值） 。

.135 (3.43)

.115 (2.92)

4°

典型值。

.022 (.56)

.018 (.46)

.100 (2.54)

典型值。

.040 (1.02)

.030 (.76 )

3°–9°

10°

典型值。

.012 (.30)

.008 (.20)

特征

(T

A

= 0 〜70 ° C除非另有规定ED ，T

A

= 25°C典型值）。

辐射源

正向电压

击穿电压

反向电流

电容

温度Coeffi-

cient ，正向电压

探测器

电源电流

逻辑低

电源电流

逻辑高

输出电压，

输出低

6N135

6N136

输出电流，

输出高

输出电流，

输出高

电流增益

包

耦合电容

输入输出

电流传输比

6N135

6N136

6N135

6N136

5–1

CTR

CTR

CTR

CTR

16 (≥7)

35 (≥19)

≥5

≥15

%

%

%

I

F

= 16 mA时， V

O

=0.4 V,

V

CC

= 4.5 V ，T

A

=25°C

I

F

= 16 mA时， V

O

=0.5 V,

V

CC

=4.5 V

C

IO

0.6

pF

F = 1 MHz的

I

CCL

I

CCH

150

0.01 (≤1)

µA

µA

I

F

= 16 mA时， V

O

开放的，

V

CC

=15 V

I

F

= 0 mA时，V

O

开放的，

V

CC

=15 V

I

F

= 16毫安，

V

CC

=4.5 V

I

O

= 1.1毫安

I

O

= 2.4毫安

I

F

= 0 mA时，

V

O

=V

CC

=5.5 V

I

F

= 0毫安

V

O

=V

CC

=15 V

V

O

= 5 V，I

O

-3毫安

符号

V

F

V

BR

I

R

C

O

∆V

F

/∆T

A

1.6 (≤1.9)

≥5

0.5 (≤10)

125

-1.7

单位

V

V

µA

pF

毫伏/°C的

条件

I

F

= 16毫安

I

R

=10

µA

V

R

=5 V

V

R

= 0 V ， F = 1兆赫

I

F

= 16毫安

V

OL

V

OL

I

CH

0.1 (≤0.4)

0.1 (≤0.4)

3 (≤500)

V

V

nA

I

CH

H

FE

0.01 (≤1)

150

µA

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