MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
HITFET
Ò
II.Generation BTS 118 ð
智能低压侧电源开关
特点
·
逻辑电平输入
·
输入保护( ESD )
·
带有热关断
自动重启
·
过载保护
·
短路保护
·
过压保护
·
电流限制
·
模拟驾驶可能
P-TO252-3-11
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS ( ON)
I
D( NOM )
E
AS
42
100
2.4
2
V
mW
A
J
应用
·
各类阻性,感性和容性负载开关
或线性应用
·
12 V DC应用μC兼容的电源开关
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
Ò
技术。通过嵌入式充分保护
保护功能。
V
bb
M
HITFET
â
当前
局限性
In
销1
Overvoltage-
保护
引脚2和4( TAB )
栅极驱动
单位
OVER-
温度
保护
ESD
超载
保护
短路
保护
3脚
来源
完整的产品系列和其他信息http://www.infineon.com/hitfet
第1页
2004-03-05
BTS 118 ð
最大额定值AT&T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
漏源电压
电源电压为充分短路保护
连续输入电压
1)
连续输入电流
2)
-0.2V
£
V
IN
£
10V
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
5)
T
C
= 85 °C
6cm
2
散热面积,
T
A
= 85 °C
松开单脉冲电感能量
2)
负载突降保护
V
LoadDump2)3)
=
V
A
+
V
S
V
IN
= 0和10 V吨
d
= 400毫秒,
R
I
= 2
W,
R
L
= 6
W,
V
A
= 13.5 V
静电放电
电压
2)
(人体模型)
V
ESD
根据
JEDEC规范
EIA / JESD22 - A114 -B ,第4节
JEDEC湿度
category,J-STD-20-B
IEC气候类型; DIN
EN 60068-1
热阻
结 - 案例:
SMD :结 - 环境
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
4)
1对于输入电压超过这些限制我不得不受到限制。
IN
2not产品出厂测试,设计规定
3
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
4设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB安装不垂直吹出的空气。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
第2页
符号
V
DS
V
BB ( SC )
V
IN
I
IN
价值
42
42
-0.2
2)
... +10
单位
V
mA
自我限制
|
I
IN
|
£
2
T
j
T
英镑
P
合计
-40 ...+150
-55 ... +150
°C
W
21
1.1
E
AS
V
LD
2
58
J
V
2
kV
MSL1
40/150/56
R
thJC
R
thJA
3
115
55
K / W
2004-03-05
BTS 118 ð
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
特征
漏源电压钳
T
j
= - 40 ...+ 150,
I
D
= 10毫安
断态漏电流
T
j
= -40...+85 °C,
V
DS
= 32 V ,
V
IN
= 0 V
T
j
= 150 °C
输入阈值电压
I
D
= 0.6毫安,
T
j
= 25 °C
I
D
= 0.6毫安,
T
j
= 150 °C
在状态输入电流
导通状态电阻
V
IN
= 5 V,
I
D
= 2.2 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 5 V,
I
D
= 2.2 A,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
V
IN
= 10 V,
I
D
= 2.2 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 10 V,
I
D
= 2.2 A,
T
j
= 150 °C
额定负载电流
5)
T
j
< 150℃,
V
IN
= 10 V,
T
A
= 85°C , SMD
1)
额定负载电流
5)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C,
T
j
< 150℃
电流限制(如果活跃
V
DS
>2.5 V)
2)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 200 µs
I
D( LIM )
10
15
20
I
D( ISO )
3.5
5
-
I
D( NOM )
R
DS ( ON)
-
-
2.4
70
130
3.2
100
200
-
A
I
IN(上)
R
DS ( ON)
-
-
90
160
120
240
V
IN(日)
1.3
0.8
-
1.7
-
10
2.2
-
30
µA
mW
I
DSS
-
-
1.5
4
8
12
V
µA
V
DS ( AZ )
42
-
55
V
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1 @ 6平方厘米散热面积
2Device开机到现有的短路(见图确定我
D( LIM ) ) 。如果该设备是在具体条件
和发生短路时,这些值可能会被超过的最大值。 50微秒。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
第3页
2004-03-05
BTS 118 ð
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
动态特性
开启时间
V
IN
到90%
I
D
:
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
40
70
0.4
0.6
100
100
1.5
1.5
V / μs的
µs
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
打开-O FF时间
V
IN
至10%
I
D
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
上压摆率
70至50%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
压摆率关闭
50 %至70%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
保护功能
1)
热过载跳闸温度
热滞
2)
输入电流保护模式
T
j
= 150 °C
松开单脉冲电感能量
2)
I
D
= 2.2 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12 V
E
AS
2
-
-
J
T
jt
DT
jt
I
IN(普罗特)
150
-
-
175
10
100
-
-
300
°C
K
µA
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
逆二极管正向电压
I
F
= 10.9 A,
t
m
= 250 µs,
V
IN
= 0 V,
t
P
= 300 µs
V
SD
-
1.0
1.5
V
1Integrated保护功能,旨在防止在故障情况下破坏IC
在数据手册中描述。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。
保护功能不被设计为连续的重复操作。
2not产品出厂测试,设计规定
第4页
2004-03-05
BTS 118 ð
框图
条款
感性和过压
输出钳位
RL
V
1
IN
HITFET
S
3
D
2
ID
VDS
VBB
Z
D
S
HITFET
VIN
输入电路( ESD保护)
短路行为
栅极驱动器
输入
V
IN
来源/
I
IN
I
D
S
T
j
第5页
2004-03-05
相关元器件产品Datasheet PDF文档

BTS118D_06

Smart Low Side Power Switch
26 INFINEON

BTS120

TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
74 INFINEON

BTS120

TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
93 INFINEON

BTS121A

TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
101 INFINEON

BTS121A

TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
93 INFINEON

BTS121-A

?N-Channel TEMPFET?
暂无信息
21 icpdf_datashe