MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
TEMPFET
®
BTS 129
特点
q
q
q
q
N沟道
增强型
温度传感器晶闸管特性
漏极引脚电短路的标签
1
2
3
1
G
2
D
3
S
TYPE
BTS 129
V
DS
60 V
I
D
27 A
R
DS ( ON)
0.05
TO-220AB
订购代码
C67078-A5013-A2
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压,
R
GS
= 20 kΩ
栅源电压峰值,非周期性
连续漏电流,
T
C
= 25
°C
ISO漏电流
T
C
= 85
°C,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V
脉冲漏极电流,
短路电流,
符号
60
60
±
20
27
7.5
108
80
1200
75
– 55 ... + 150
E
55/150/56
K / W
1.67
75
°C
W
A
单位
V
V
DS
V
DGR
V
gs
I
D
I
D- ISO
I
ð PULS
I
SC
P
SCmax
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
= 25
°C
T
j
= – 55 ... + 150
°C
短路损耗,
T
j
= – 55 ... + 150
°C
功耗
工作和存储温度范围
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
热阻
芯片案
芯片环境
R
日JC
R
日JA
1
19.02.04
TEMPFET
®
BTS 129
电气特性
at
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0
, I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压
V
GS
=
V
DS
, I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V
, I
D
=17 A
动态特性
正向跨导
V
DS
2
×
I
D
×
R
DS ( ON)最大值
,
I
D
= 17 A
输入电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
60
3.0
3.5
V
V
GS ( TH)
2.5
I
DSS
1
100
10
300
µA
I
GSS
10
2
0.04
100
4
0.05
nA
µA
R
DS ( ON)
g
fs
8.0
13.0
940
500
180
25
60
100
75
18.0
S
pF
700
1250
750
270
40
90
130
95
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
开启时间
t
on
, (
t
on
=
t
D(上)
+
t
r
)
t
D(上)
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A,
R
GS
= 50
t
r
打开-O FF时间
t
关闭
, (
t
关闭
=
t
D(关闭)
+
t
f
)
t
D(关闭)
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A,
R
GS
= 50
t
f
2
19.02.04
TEMPFET
®
BTS 129
电气特性
(续)
at
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
反向二极管
连续源电流
脉冲源电流
二极管正向导通电压
I
F
= 27 A,
V
GS
= 0 V
反向恢复时间
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的,
V
R
= 30 V
反向恢复电荷
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的,
V
R
= 30 V
温度传感器
正向电压
I
的TS (上)
= 10毫安,
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖,
t
p
100
µs
T
j
= – 55 ... + 160
°C
正向电流
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖,
t
p
100
µs
T
j
= – 55 ... + 160
°C
保持电流,
V
的TS (关闭)
= 5 V,
温度开关
V
TS
= 5 V
打开-O FF时间
V
TS
= 5 V,
I
的TS (上)
= 2毫安
典型值。
马克斯。
单位
I
S
I
SM
V
SD
1.3
150
1.0
27
108
A
V
1.8
ns
µC
t
rr
Q
rr
V
的TS (上)
0.7
1.4
0.1
0.2
1.5
10
V
I
的TS (上)
10
600
0.5
0.3
mA
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
H
T
的TS (上)
0.05
0.05
150
°C
µs
0.5
2.5
t
关闭
3
19.02.04
TEMPFET
®
BTS 129
短路保护范例
at
T
j
= – 55 ... + 150
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
1
示例
2
单位
漏源电压
栅源电压
短路电流
短路耗散
响应时间
T
j
= 25
°C,
短路前
V
DS
V
GS
I
SC
P
SC
t
SC (关闭)
15
8.1
80
1200
25
30
5.9
37
1100
25
V
A
W
ms
短路保护
I
SC
=
f
(
V
DS
)
参数
: V
GS
图确定
I
SC
T
j
= – 55 ... + 150
°C
马克斯。栅极电压
V
GS ( SC )
=
f
(
V
DS
)
参数:
T
j
= – 55 ... + 150
°C
4
19.02.04
TEMPFET
®
BTS 129
典型的输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数
: t
p
= 80
µs
BTS 129
SIT00562
安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25
°C
60
Ι
D
A
50
P
合计
= 75W
V
GS
= 20V
10V
9V
8V
7.5V
40
7V
6.5V
30
6V
20
5.5V
5V
4.5V
4V
0
1
2
3
4
V 5
V
DS
10
0
典型值。漏源导通电阻
R
DS ( ON)
=
f
(
I
D
)
参数
: V
GS
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
=
f
(
T
j
)
参数:
I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V (传播)
5
19.02.04
相关元器件产品Datasheet PDF文档

BTS130

TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
92 INFINEON

BTS130

TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
80 INFINEON

BTS130E3045A

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
暂无信息
0 INFINEON

BTS131

TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
41 INFINEON

BTS131

TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
93 INFINEON

BTS132

TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
67 INFINEON