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HYB39S64400CT-8 64兆位同步DRAM (64-MBit Synchronous DRAM)
.型号:   HYB39S64400CT-8
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描述: 64兆位同步DRAM
64-MBit Synchronous DRAM
文件大小 :   399 K    
页数 : 52 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
HYB 39S64400 / 800CT ( L)
64兆位同步DRAM
64兆位同步DRAM
•高性能:
•全页(可选)连续包
周围
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
•多种突发读与写单
手术
•自动和控制预充电
命令
•数据模板的读/写控制( X4,X8 )
•自动刷新( CBR)和自刷新
•挂起模式和掉电模式
• 4096刷新周期/ 64毫秒
•完全同步的时钟上升沿
= 0至70
°C
工作温度
•四家银行通过BA0和放大器的控制; BA1
•可编程CAS延时: 2,3
•可编程的缠绕顺序:顺序
或交织
•可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8
•随机列地址每CLK
( 1 -N规则)
• 3.3 V单
±
0.3 V电源
• LVTTL接口
•塑料包装:
P- TSOPII - 54 400mil宽度( X4,X8 )
• -7.5版本PC133 3-3-3应用
-8版本PC100 2-2-2应用
-7.5
-8
125
8
6
10
6
f
CKMAX
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
133
7.5
5.4
10
6
该HYB 39S64400 / 800CT四个银行同步DRAM的组织为4银行
×
4兆位
×
4
4银行
×
2兆位
×
8分别。这些同步设备实现高速数据
通过采用芯片架构,多个预取位,然后进行同步传输速率
的数据输出到系统时钟。该芯片采用英飞凌先进的0.19制造
µm
64兆位DRAM制程技术。
该装置设计,以符合同步DRAM产品设置的所有JEDEC标准,
在电气上和机械上。所有的控制,地址,数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作四个存储体交错的方式允许随机存取操作发生
在更高的速度可能比标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率可
根据脉冲串长度, CAS等待时间和器件的速度等级。
自动刷新( CBR)和自刷新操作的支持。这些器件的工作,有
采用3.3 V单
±
0.3 V电源供电,在TSOPII封装。
数据手册
1
12.99
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