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UPD703114GC-XXX-8EU  UPD703111AGM-10-UEU  UPD703111AGM-13-UEU  UPD703111AF1-10-GA3  UPD703107AGJ-XXX-UEN  UPD703114A  UPD703114GCA-XXX-8EU-A  UPD703131AYGJ-XXX-UEN  UPD703131AGJ-XXX-UEN  UPD703111AF1-15-GA3  
Q67040-S4011-A2 SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分) (SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated))
.型号:   Q67040-S4011-A2
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描述: SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分)
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
文件大小 :   124 K    
页数 : 8 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
BUZ 2 S
SPP52N05
SIPMOS
®
功率晶体管
• N沟道
•增强型
•雪崩额定值
• d
v
/d
t
评级
• 175 ° C工作温度
•还可以SMD
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
55 V
I
D
52 A
R
DS (上
)
0.023
订购代码
BUZ 2 S
的TO-220 AB
Q67040-S4011-A2
最大额定值
参数
符号
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
52
37
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
I
Dpuls
208
E
AS
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 52 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 181 µH,
T
j
= 25 °C
mJ
245
I
AR
E
AR
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管D
v
/d
t
I
S
= 52 A,
V
DS
= 40 V ,D
i
F
/d
t
= 200 A / μs的
T
JMAX
= 175 °C
52
12
A
mJ
KV / μs的
d
v
/d
t
6
V
GS
P
合计
门源电压
功耗
T
C
= 25 °C
±
20
120
V
W
半导体集团
1
30/Jan/1998
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