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初步数据
碳化硅肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
无远期恢复

SDP20S30
SDB20S30
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
P-TO220-3.SMD
300
23
2x10
P-TO220-3-1.
V
nC
A
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
耗散功率,单个二极管模式,
T
C
=25°C
工作和存储温度
第1页





TYPE
SDP20S30
SDB20S30
P-TO220-3-1.
订购代码
Q67040-S4419
记号
D20S30
S20S30
1
2
3
P- TO220-3.SMD Q67040 - S4374
最大额定值,在
T
j
= 25℃ ,除非另有说明(每腿)
参数
连续正向电流,
T
C
=100°C
RMS正向电流,
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
符号
I
F
I
疲劳风险管理
价值
10
14
36
45
100
6.5
300
300
65
-55... +175
单位
A
浪涌不重复正向电流,正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
非重复峰值正向电流
t
p
=10µs,
T
C
=25°C
i
2
t
值,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
A²s
V
W
°C
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
2001-09-07
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 的情况下(每站)
SMD版本, PCB上的元件:
P- TO263-3-2 : @分钟。脚印
P- TO263-3-2 : @ 6厘米
2
散热面积
1)
SDP20S30
SDB20S30
分钟。
典型值。
-
-
35
马克斯。
2.3
62
-
K / W
单位
符号
R
thJC
R
thJA
-
-
-
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明(每腿)
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=10A,
T
j
=25°C
I
F
=10A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.5
15
20
1.7
1.9
µA
200
1000
反向电流
V
R
=300V,
T
j
=25°C
V
R
=300V,
T
j
=150°C
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm² (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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2001-09-07
初步数据
电气特性,在
T
j
= 25℃ ,除非另有说明(每腿)
参数
AC特性
总容性充电
1)
V
R
=200V,
I
F
=10A,
di
F
/dt=-200A/µs,
T
j
=150°C
SDP20S30
SDB20S30
分钟。
典型值。
23
不适用
马克斯。
-
-
nC
ns
pF
-
-
-
600
55
40
-
-
-
单位
符号
Q
c
t
rr
C
-
-
开关时间
2)
V
R
=200V,
I
F
=10A,
di
F
/dt=-200A/µs,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=150V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
第3页
2001-09-07
初步数据
1功耗
(每站)
P
合计
=
f
(T
C
)
70
SDP20S30
SDB20S30
2二极管的正向电流
(每站)
I
F
=
f
(T
C
)
参数:
T
j
175 °C
11
W
A
9
8
60
55
50
P
合计
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
I
F
45
7
6
5
4
3
2
1
°C
180
T
C
0
0
20
3典型。正向特性
(每站)
I
F
=
f
(V
F
)
参数:
T
J,T
p
= 350 µs
20
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
(每站)
P
F( AV) = F(我
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/T
32
A
16
W
24
14
P
F( AV )
I
F
12
10
8
6
4
2
0
0.6
20
16
-40°C
25°C
100°C
125°C
150°C
12
8
4
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.2
V
V
F
0
0
2
第4页

40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
d=1
d=0.5
d=0.2
d=0.1
4
6
8
10
12
14
18
A
I
F( AV )
2001-09-07
初步数据
5典型。反向电流与反向电压
(每腿)I
R
= F(V
R
)
10
2
SDP20S30
SDB20S30
6瞬态热阻抗
(每站)
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SDP20S30
µA
K / W
10
1
10
0
10
0
Z
thJC
10
-1
I
R
10
-1
D = 0.50
10
-2
150°C
125°C
100°C
25°C
10
-2
0.20
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
10
-3
10
-4
50
100
150
200
V
V
R
300
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
(每站)C =
F(V
R
)
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
450
8典型。
C
储能
(每站)
E
C
= F(V
R
)
2.5
pF
µJ
350
300
E
C
1
2
3
10
V
V
R
1.5
C
250
200
1
150
100
50
0
0
10
0
0
0.5
10
10
50
100
150
200
V
V
R
300
第5页
2001-09-07
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