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FYS-10012DXX  FYS-10012DXX-3  NCS2554  NCS2535DTR2G  NCS2554DTBR2G  FYS-10012FXX-1  FYS-10012EXX-2  NCS2535DTG  FYS-10012DXX-1  FYS-10012EXX-3  
SAE81C52P 256 ×8位CMOS静态RAM NMOS兼容 (256 x 8-Bit Static CMOS RAM NMOS-Compatible)
.型号:   SAE81C52P
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描述: 256 ×8位CMOS静态RAM NMOS兼容
256 x 8-Bit Static CMOS RAM NMOS-Compatible
文件大小 :   288 K    
页数 : 10 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
256 ×8位CMOS静态RAM
NMOS兼容
初步DataCMOS IC
PFeatures
q
q
q
SAE 81C52
q
q
q
q
q
256 ×8位的组织
待机模式
兼容的NMOS和CMOS版本
微处理器/微控制器家族
SAB 8086 , SAB 8051
极低的功耗
数据保存期可达
V
DD
1 V
三种不同的片选输入,两家芯片
选择模式
在待机模式下不增加功耗
如果控制输入是在未定义的潜在
温度范围 - 40 〜110
°C
P-DIP-16-1
P-DSO-20-1
TYPE
SAE 81C52 P
SAE 81C52摹
订购代码
Q67100-H9017
Q67100-H9015
P-DIP-16-1
P- DSO ​​- 20-1 ( SMD )
SAE的81C52是一个CMOS硅栅,静态随机存取存储器(RAM) ,
由8位, 256个字。复用的地址和数据总线接口
直接将8位微处理器/微控制器不需要任何定时或者水平的问题,
例如家庭SAB 8086 , SAB 8051 。
所有输入和输出完全与NMOS电路兼容,除了CS1 。数据
滞留确保达到
V
DD
1.0伏。 SAE的81C52具有三个不同的输入为2
芯片选择模式中,允许以抑制任一所述的地址/数据线(AD 0 ...公元7)和
控制线( WR , RD , ALE , CS2 , CS3 ) ,或只控制线RD , WR 。
功耗最大5.5
µW
在待机模式下,最大。 16.5毫瓦
操作。在待机模式中,功耗也不会如果控制输入端增加
是未定义的潜力。
半导体集团
1
09.94
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