256 ×8位CMOS静态RAM

NMOS兼容

初步DataCMOS IC

PFeatures

q

q

q

SAE 81C52

q

q

q

q

q

256 ×8位的组织

待机模式

兼容的NMOS和CMOS版本

微处理器/微控制器家族

SAB 8086 ， SAB 8051

极低的功耗

数据保存期可达

V

DD

≥

1 V

三种不同的片选输入，两家芯片

选择模式

在待机模式下不增加功耗

如果控制输入是在未定义的潜在

温度范围 - 40 〜110

°C

P-DIP-16-1

P-DSO-20-1

TYPE

SAE 81C52 P

SAE 81C52摹

订购代码

Q67100-H9017

Q67100-H9015

包

P-DIP-16-1

P- DSO ​​- 20-1 （ SMD ）

SAE的81C52是一个CMOS硅栅，静态随机存取存储器（RAM） ，

由8位， 256个字。复用的地址和数据总线接口

直接将8位微处理器/微控制器不需要任何定时或者水平的问题，

例如家庭SAB 8086 ， SAB 8051 。

所有输入和输出完全与NMOS电路兼容，除了CS1 。数据

滞留确保达到

V

DD

≥

1.0伏。 SAE的81C52具有三个不同的输入为2

芯片选择模式中，允许以抑制任一所述的地址/数据线（AD 0 ...公元7）和

控制线（ WR ， RD ， ALE ， CS2 ， CS3 ） ，或只控制线RD ， WR 。

功耗最大5.5

µW

在待机模式下，最大。 16.5毫瓦

操作。在待机模式中，功耗也不会如果控制输入端增加

是未定义的潜力。

半导体集团

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09.94