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Silizium - PIN- Fotodiode
硅PIN光电二极管
SFH 206 ķ
Maβe在毫米,德恩非职权安德斯angegeben /尺寸(mm) ,除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1100
q
Kurze Schaltzeit (典型值20 ns的)
q
5毫米Plastikbauform即时通讯的LED Gehäuse
q
奥赫gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
电脑Blitzlichtgeräte
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米
q
短的切换时间(典型值20 ns的)
q
5毫米LED封装胶
q
也可在带
应用
q
电脑控制的闪烁
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
典型值
TYPE
SFH 206 ķ
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P129
半导体集团
1
1998-03-17
feo06647
SFH 206 ķ
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Löttemperatur ( Lötstelle 2毫米VOM
Gehäuse entfernt贝Lötzeit
t
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部(
t
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ,
T
A
= 25
°C
总功耗
符号
符号
邂逅相遇,
价值
– 55 ... + 100
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
32
150
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A,
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit ,
V
R
= 5 V
光谱灵敏度
Wellenlänge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10%冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 %
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Fläche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
fläche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberfläche祖Gehäuseober-
fläche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ,
V
R
= 10 V
暗电流
符号
符号
邂逅相遇,
价值
80 (≥ 50)
850
400 ... 1100
统一性
单位
NA /九
nm
nm
S
λ
s最大
λ
A
L
×
B
L
×
W
H
7.00
2.65
×
2.65
mm
2
mm
×
mm
1.2 ... 1.4
mm
ϕ
±
60
2 (≤ 30)
毕业生
度。
nA
I
R
半导体集团
2
1998-03-17
SFH 206 ķ
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A,
T
= 2856 K) (续)
bezeichnung
描述
Spektrale Fotoempfindlichkeit ,
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ,
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung ,
E
v
= 1000九
开路电压
Kurzschluβstrom ,
E
v
= 1000九
短路电流
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung ,
I
F
= 100毫安,
E
= 0
正向电压
Kapazität ,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时,
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ,
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
检出限
符号
符号
邂逅相遇,
价值
0.62
0.90
365 (≥ 310)
80
20
统一性
单位
/ W
电子
光子
mV
µA
ns
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.18
4.2
×
10
– 14
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
6.3
×
10
12
半导体集团
3
1998-03-17
SFH 206 ķ
相对光谱灵敏度
S
REL
=
f
(λ)
100
OHF00078
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
v
)
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
160
mW
P
合计
140
120
OHF00394
S
REL
%
80
60
100
80
40
60
40
20
20
0
400 500 600 700 800 900nm的1100
λ
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
暗电流
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
电容
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz时,
E
= 0
暗电流
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
方向特性
S
REL
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
4
1998-03-17
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