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SFH 203 P
SFH 203 PFA
Silizium - PIN- Fotodiode MIT雅适kurzer Schaltzeit
硅PIN光电二极管在非常短的开关时间
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM如下─
里奇·冯· 400纳米双1100纳米（ SFH 203 P）
UND北880海里（ SFH 203 PFA ）
q
Kurze Schaltzeit （典型值5纳秒）
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehäuse
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
q
Schnelle Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
全方位学习
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米（ SFH 203 P）和对
880纳米（ SFH 203 PFA ）
q
切换时间短（通常为5纳秒）
q
5毫米LED封装胶
应用
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
q
光中断
q
光纤传输系统
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 203 P
（ * SFH 217 ）
SFH 203 PFA
（ * SFH 217 F）
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P946
Q62702-P947
半导体集团
1
03.96
feof6644
feo06644
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Löttemperatur （ Lötstelle 2毫米VOM
Gehäuse entfernt贝Lötzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
300
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
50
100
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
V
R
= 5 V,
λ
= 950纳米，
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
Wellenlänge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Fläche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
fläche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberfläche祖Gehäuseober-
fläche
距离前面的芯片到外壳表面
符号
符号
邂逅相遇，
价值
SFH 203 P
SFH 203 PFA
统一性
单位
S
S
λ
s最大
λ
9.5 (≥ 5)
–
850
–
6.2 (≥ 3.6)
900
NA /九
µA
nm
nm
400 ... 1100 750 ... 1100
A
L
×
B
L
×
W
H
1
1
×
1
1
1
×
1
mm
2
mm
×
mm
0.4 ... 0.7
0.4 ... 0.7
mm
半导体集团
2
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
描述
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 20 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Kurzschlußstrom
短路电流
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
符号
符号
ϕ
±
75
1 (≤ 10)
0.62
0.89
邂逅相遇，
价值
SFH 203 P
SFH 203 PFA
±
75
1 (≤ 10)
0.59
0.86
毕业生
度。
nA
/ W
电子
光子
统一性
单位
I
R
S
λ
η
V
O
V
O
350 (≥ 300)
–
–
300 (≥ 250)
mV
mV
I
SC
I
SC
9.3
–
5
–
3.0
5
µA
µA
ns
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
t
r
,
t
f
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 20 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung ，
I
F
= 80 mA时，
E
= 0
正向电压
Kapazität ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Normlicht /标准光A
λ
= 950 nm的
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
检出限
V
F
C
0
TC
V
TC
I
1.3
11
– 2.6
1.3
11
– 2.6
V
pF
毫伏/ K
%/K
0.18
–
–
0.2
2.9
×
10
– 14
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
NEP
2.9
×
10
– 14
D*
3.5
×
10
12
3.5
×
10
12
半导体集团
3
SFH 203 P
SFH 203 PFA
相对光谱灵敏度SFH 203 P
S
REL
=
f
(λ)
相对SPECTR 。灵敏度SFH 203 PFA
S
REL
=
f
(λ)
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
光
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
e
)
SFH 203 PFA
光
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
v
)
SFH 203 P
暗电流
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
方向特性
S
REL
=
f
(ϕ)
电容
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz时，
E
= 0
半导体集团
4
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