SGP15N120

在NPT技术的快速IGBT

•

40％下

E

关闭

相比上一代

•

短路承受时间 - 10

µs

•

设计用于：

- 电机控制

- 逆变器

- SMPS

•

NPT -科技提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 并行交换能力

SGP15N120

SGW15N120

C

G

E

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P- TO- 263-3-2 （ D² - PAK ） P- TO- 247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

•

完整的产品范围和PSpice的模型：

TYPE

SGP15N120

SGB15N120

SGW15N120

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

栅极 - 发射极电压

雪崩能量，单脉冲

I

C

= 15A,

V

CC

= 50V,

R

GE

= 25Ω ，开始

T

j

= 25°C

短路承受时间

功耗

T

C

= 25°C

工作结温和存储温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

T

j

,

T

英镑

-

-55...+150

260

°C

1)

V

CE

1200V

I

C

15A

E

关闭

1.5mJ

T

j

150°C

包

TO-220AB

TO-263AB(D2PAK)

TO-247AC

订购代码

Q67040-S4274

Q67040-S4275

Q67040-S4276

符号

V

CE

I

C

价值

1200

30

15

单位

V

A

I

Cpul s

-

V

GE

E

AS

t

SC

P

合计

52

52

±20

85

10

198

V

mJ

µs

W

V

GE

= 15V, 100V≤

V

CC

≤1200V,

T

j

≤

150°C

1)

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

1

Jul-02

功率半导体