SGP15N120

在NPT技术的快速IGBT

•

40％下

E

关闭

相比上一代

•

短路承受时间 - 10

µs

•

设计用于：

- 电机控制

- 逆变器

- SMPS

•

NPT -科技提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 并行交换能力

SGP15N120

SGW15N120

C

G

E

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P- TO- 263-3-2 （ D² - PAK ） P- TO- 247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

•

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

TYPE

SGP15N120

SGB15N120

SGW15N120

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

栅极 - 发射极电压

雪崩能量，单脉冲

I

C

= 15A,

V

CC

= 50V,

R

GE

= 25Ω ，开始

T

j

= 25°C

短路承受时间

功耗

T

C

= 25°C

工作结温和存储温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

T

j

,

T

英镑

-

-55...+150

260

°C

1)

V

CE

1200V

I

C

15A

E

关闭

1.5mJ

T

j

150°C

包

TO-220AB

TO-263AB(D2PAK)

TO-247AC

订购代码

Q67040-S4274

Q67040-S4275

Q67040-S4276

符号

V

CE

I

C

价值

1200

30

15

单位

V

A

I

Cpul s

-

V

GE

E

AS

t

SC

P

合计

52

52

±20

85

10

198

V

mJ

µs

W

V

GE

= 15V, 100V≤

V

CC

≤1200V,

T

j

≤

150°C

1)

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

1

Jul-02

功率半导体

SGP15N120

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

热阻，

结 - 环境

SMD版本， PCB上的元件

1)

SGP15N120

SGW15N120

马克斯。值

单位

符号

条件

R

thJC

R

thJA

R

thJA

TO-220AB

TO-247AC

TO-263AB(D2PAK)

0.63

62

40

40

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V ,

I

C

= 10 0 0

µA

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V ,

I

C

= 15 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 60 0

µA

,

V

权证

=

V

摹ê

V

权证

=1200V,V

摹ê

=0V

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

短路集电极电流

2)

符号

条件

价值

分钟。

1200

典型值。

-

马克斯。

-

单位

V

2.5

-

3

-

-

-

3.1

3.7

4

-

-

-

11

3.6

4.3

5

µA

200

800

100

-

1500

120

80

175

-

-

nC

nH

A

nA

S

pF

I

GES

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

I

C（ SC ）

V

权证

=0V,V

摹ê

=20V

V

权证

= 20 V ,

I

C

= 15 A

V

权证

= 25 V ,

V

摹ê

= 0V ,

f=

1 MH ž

V

C C

= 96 0 V,

I

C

=1 5 A

V

摹ê

= 15 V

T O服务 - 22 0A B

TO-247AC

V

摹ê

= 15 V ，T

S·C

≤

5

µs

10 0 V≤

V

C C

≤

12 0 0 V,

T

j

≤

15 0° C

-

-

-

-

-

-

1250

100

65

130

7

13

145

设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区

集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。

2)

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

1)

2

功率半导体

2

Jul-02

SGP15N120

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=2 5

°C

,

V

C C

= 80 0 V,

I

C

= 1 5 A,

V

摹ê

= 15 V /0 V ,

R

G

= 33

Ω,

1)

L

σ

= 1 8 0n的H，

1)

C

σ

= 4 0P ˚F

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

符号

条件

SGP15N120

SGW15N120

价值

分钟。

典型值。

18

23

580

22

1.1

0.8

1.9

马克斯。

24

30

750

29

1.5

1.1

2.6

mJ

单位

ns

开关特性，电感负载，

at

T

j

=150

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=1 5 0° C

V

C C

= 80 0 V,

I

C

= 15 A ,

V

摹ê

= 15 V /0 V ,

R

G

= 33

Ω,

1)

L

σ

= 1 8 0n的H，

1)

C

σ

= 4 0P ˚F

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

38

30

652

31

1.9

1.5

3.4

46

36

780

37

2.3

2.0

4.3

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1)

泄漏电感L

σ

和杂散电容C

σ

由于动态测试电路如图E.

功率半导体

3

Jul-02

SGP15N120

70A

SGP15N120

SGW15N120

t

p

=2

µ

s

15

µ

s

I

c

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

10Hz

T

C

=110°C

100A

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

10A

50

µ

s

T

C

=80°C

200

µ

s

1A

1ms

I

c

DC

0.1A

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率

(T

j

≤

150°C,

D =

0.5,

V

CE

= 800V,

V

GE

= +15V/0V,

R

G

= 33Ω)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤

150°C)

35A

200W

30A

175W

150W

125W

100W

75W

50W

25W

0W

25°C

25A

20A

15A

10A

5A

0A

25°C

50°C

75°C

100°C

125°C

I

C

,

集电极电流

P

合计

,

功耗

50°C

75°C

100°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

150°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≤

15V,

T

j

≤

150°C)

功率半导体

4

Jul-02

SGP15N120

50A

50A

SGP15N120

SGW15N120

40A

40A

I

C

,

集电极电流

15V

30A

13V

11V

20A

9V

7V

10A

I

C

,

集电极电流

V

摹ê

=17V

V

摹ê

=17V

15V

30A

13V

11V

20A

9V

7V

10A

0A

0V

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

0A

0V

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 150°C)

V

CE （ SAT ）

,

集热器

-

发射极饱和电压

50A

6V

40A

5V

I

C

=30A

I

C

,

集电极电流

4V

I

C

=15A

3V

I

C

=7.5A

2V

30A

T

J

=+150°C

20A

T

J

=+25°C

T

J

=-40°C

10A

1V

0A

3V

5V

7V

9V

11V

0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

门

-

发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

= 20V)

T

j

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压作为接头的功能

温度

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

Jul-02