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![]() SGP15N120 在NPT技术的快速IGBT • 40%下 E 关闭 相比上一代 • 短路承受时间 - 10 µs • 设计用于: - 电机控制 - 逆变器 - SMPS • NPT -科技提供: - 参数分布非常紧凑 - 高耐用性,温度稳定的行为 - 并行交换能力 SGP15N120 SGW15N120 C G E P-TO-220-3-1 (TO-220AB) P- TO- 263-3-2 ( D² - PAK ) P- TO- 247-3-1 (TO-263AB) (TO-247AC) • 完整的产品范围和PSpice的模型: TYPE SGP15N120 SGB15N120 SGW15N120 最大额定值 参数 集电极 - 发射极电压 DC集电极电流 T C = 25°C T C = 100°C 集电极电流脉冲, t p 受 T JMAX 关闭安全工作区 V CE ≤ 1200V, T j ≤ 150°C 栅极 - 发射极电压 雪崩能量,单脉冲 I C = 15A, V CC = 50V, R GE = 25Ω ,开始 T j = 25°C 短路承受时间 功耗 T C = 25°C 工作结温和存储温度 焊接温度, 1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒 T j , T 英镑 - -55...+150 260 °C 1) V CE 1200V I C 15A E 关闭 1.5mJ T j 150°C 包 TO-220AB TO-263AB(D2PAK) TO-247AC 订购代码 Q67040-S4274 Q67040-S4275 Q67040-S4276 符号 V CE I C 价值 1200 30 15 单位 V A I Cpul s - V GE E AS t SC P 合计 52 52 ±20 85 10 198 V mJ µs W V GE = 15V, 100V≤ V CC ≤1200V, T j ≤ 150°C 1) 允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。 1 Jul-02 功率半导体
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