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SGP15N120
在NPT技术的快速IGBT
40%下
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
µs
设计用于:
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供:
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性,温度稳定的行为
- 并行交换能力
SGP15N120
SGW15N120
C
G
E
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 ( D² - PAK ) P- TO- 247-3-1
(TO-263AB)
(TO-247AC)
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP15N120
SGB15N120
SGW15N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,
t
p
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
1200V,
T
j
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量,单脉冲
I
C
= 15A,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25Ω ,开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度, 1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
T
j
,
T
英镑
-
-55...+150
260
°C
1)
V
CE
1200V
I
C
15A
E
关闭
1.5mJ
T
j
150°C
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4274
Q67040-S4275
Q67040-S4276
符号
V
CE
I
C
价值
1200
30
15
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
t
SC
P
合计
52
52
±20
85
10
198
V
mJ
µs
W
V
GE
= 15V, 100V≤
V
CC
≤1200V,
T
j
150°C
1)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
1
Jul-02
功率半导体
SGP15N120
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻,
结 - 案
热阻,
结 - 环境
SMD版本, PCB上的元件
1)
SGP15N120
SGW15N120
马克斯。值
单位
符号
条件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-220AB
TO-247AC
TO-263AB(D2PAK)
0.63
62
40
40
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
( B R )C (E S)
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 10 0 0
µA
V
CE ( SAT )
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 15 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE (日)
I
CES
I
C
= 60 0
µA
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
=1200V,V
摹ê
=0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
( 0.197英寸)的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
1200
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
2.5
-
3
-
-
-
3.1
3.7
4
-
-
-
11
3.6
4.3
5
µA
200
800
100
-
1500
120
80
175
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
L
E
I
C( SC )
V
权证
=0V,V
摹ê
=20V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 15 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH ž
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=1 5 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
TO-247AC
V
摹ê
= 15 V ,T
S·C
5
µs
10 0 V≤
V
C C
12 0 0 V,
T
j
15 0° C
-
-
-
-
-
-
1250
100
65
130
7
13
145
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米( 1层, 70微米厚)的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
1)
2
功率半导体
2
Jul-02
SGP15N120
开关特性,电感负载,
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=2 5
°C
,
V
C C
= 80 0 V,
I
C
= 1 5 A,
V
摹ê
= 15 V /0 V ,
R
G
= 33
Ω,
1)
L
σ
= 1 8 0n的H,
1)
C
σ
= 4 0P ˚F
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
符号
条件
SGP15N120
SGW15N120
价值
分钟。
典型值。
18
23
580
22
1.1
0.8
1.9
马克斯。
24
30
750
29
1.5
1.1
2.6
mJ
单位
ns
开关特性,电感负载,
at
T
j
=150
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=1 5 0° C
V
C C
= 80 0 V,
I
C
= 15 A ,
V
摹ê
= 15 V /0 V ,
R
G
= 33
Ω,
1)
L
σ
= 1 8 0n的H,
1)
C
σ
= 4 0P ˚F
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
38
30
652
31
1.9
1.5
3.4
46
36
780
37
2.3
2.0
4.3
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
泄漏电感L
σ
和杂散电容C
σ
由于动态测试电路如图E.
功率半导体
3
Jul-02
SGP15N120
70A
SGP15N120
SGW15N120
t
p
=2
µ
s
15
µ
s
I
c
60A
50A
40A
30A
20A
10A
0A
10Hz
T
C
=110°C
100A
I
C
,
集电极电流
I
C
,
集电极电流
10A
50
µ
s
T
C
=80°C
200
µ
s
1A
1ms
I
c
DC
0.1A
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
1V
10V
100V
1000V
f,
开关频率
图1.集电极电流的一个函数
开关频率
(T
j
150°C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 33Ω)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图2.安全工作区
(D
=
0,
T
C
= 25°C,
T
j
150°C)
35A
200W
30A
175W
150W
125W
100W
75W
50W
25W
0W
25°C
25A
20A
15A
10A
5A
0A
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
I
C
,
集电极电流
P
合计
,
功耗
50°C
75°C
100°C
125°C
T
C
,
外壳温度
图3.功耗作为一个函数
外壳温度
(T
j
150°C)
T
C
,
外壳温度
图4.集电极电流的一个函数
外壳温度
(V
GE
15V,
T
j
150°C)
功率半导体
4
Jul-02
SGP15N120
50A
50A
SGP15N120
SGW15N120
40A
40A
I
C
,
集电极电流
15V
30A
13V
11V
20A
9V
7V
10A
I
C
,
集电极电流
V
摹ê
=17V
V
摹ê
=17V
15V
30A
13V
11V
20A
9V
7V
10A
0A
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图5.典型的输出特性
(T
j
= 25°C)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图6.典型的输出特性
(T
j
= 150°C)
V
CE ( SAT )
,
集热器
-
发射极饱和电压
50A
6V
40A
5V
I
C
=30A
I
C
,
集电极电流
4V
I
C
=15A
3V
I
C
=7.5A
2V
30A
T
J
=+150°C
20A
T
J
=+25°C
T
J
=-40°C
10A
1V
0A
3V
5V
7V
9V
11V
0V
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
V
GE
,
-
发射极电压
图7.典型的传输特性
(V
CE
= 20V)
T
j
,
结温
图8.典型的集电极 - 发射极
饱和电压作为接头的功能
温度
(V
GE
= 15V)
功率半导体
5
Jul-02
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