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SGB15N120 在NPT技术的快速IGBT (Fast IGBT in NPT-technology)
.型号:   SGB15N120
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描述: 在NPT技术的快速IGBT
Fast IGBT in NPT-technology
文件大小 :   454 K    
页数 : 12 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
购买 :   
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100%
SGP15N120
在NPT技术的快速IGBT
40%下
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
µs
设计用于:
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供:
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性,温度稳定的行为
- 并行交换能力
SGP15N120
SGW15N120
C
G
E
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 ( D² - PAK ) P- TO- 247-3-1
(TO-263AB)
(TO-247AC)
完整的产品范围和PSpice的模型:
TYPE
SGP15N120
SGB15N120
SGW15N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,
t
p
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
1200V,
T
j
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量,单脉冲
I
C
= 15A,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25Ω ,开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度, 1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
T
j
,
T
英镑
-
-55...+150
260
°C
1)
V
CE
1200V
I
C
15A
E
关闭
1.5mJ
T
j
150°C
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4274
Q67040-S4275
Q67040-S4276
符号
V
CE
I
C
价值
1200
30
15
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
t
SC
P
合计
52
52
±20
85
10
198
V
mJ
µs
W
V
GE
= 15V, 100V≤
V
CC
≤1200V,
T
j
150°C
1)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
1
Jul-02
功率半导体
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