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SKW30N60HS
高速IGBT在NPT技术
C
低30%
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
µs
专为运行超过30千赫
NPT -技术600V应用提供:
- 并行交换能力
- 适度ê
关闭
随温度
- 参数分布非常紧凑
高耐用性,温度稳定的行为
无铅镀铅;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600V
I
C
30
E
关闭
480µJ
T
j
记号
PG-TO-247-3
PG-TO-247-3
G
E
TYPE
SKW30N60HS
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
150℃ K30N60HS
符号
V
CE
I
C
价值
600
41
30
单位
V
A
集电极电流脉冲,
t
p
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
600V,
T
j
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流,
t
p
T
JMAX
栅极 - 发射极电压的静态
瞬态(T
p
<1µs,
D<0.05)
短路承受时间
2)
V
GE
= 15V,
V
CC
600V,
T
j
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
有时间限制的工作结温
t
< 150H
焊接温度, 1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
I
Cpuls
-
I
F
112
112
41
28
I
Fpuls
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
J(下TL )
-
112
±20
±30
10
250
-55...+150
175
260
V
µs
W
°C
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
1
2.2版
九月08
功率半导体
SKW30N60HS
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻,
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻,
结 - 环境
电气特性,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
( B R )C (E S)
V
摹ê
=0 V,
I
C
=500
µA
V
CE ( SAT )
V
摹ê
= 15 V,
I
C
=30A
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
=0 V,
I
F
= 3 0 A
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE (日)
I
CES
I
C
=700
μA ,V
权证
=V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,V
摹ê
= 0 V
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 发射极漏电流
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
( 0.197英寸)的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C( SC )
V
摹ê
=15V,t
S·C
≤1
0
µs
V
C C
60 0V,
T
j
150
°C
-
220
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
L
E
V
权证
=25V,
V
摹ê
=0 V,
f=1MHz
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=30A
V
摹ê
=15V
-
13
nH
-
-
-
-
1500
203
92
141
nC
pF
I
GES
g
fs
V
权证
=0 V,V
摹ê
=20V
V
权证
=20V,
I
C
=30A
-
-
-
-
-
-
-
20
40
3000
100
nA
S
-
3
1.55
1.55
4
2.05
2.05
5
µA
2.8
3.5
3.15
4.00
600
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
40
R
thJCD
1.29
R
thJC
0.5
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
1)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
2
2.2版
九月08
功率半导体
SKW30N60HS
开关特性,电感负载,
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
t
rr
t
S
t
F
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
T
j
= 25°C ,
V
R
= 40 0 V ,
I
F
=30A,
D I
F
/ D T =
1100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
125
20
105
0.82
17
580
µC
A
A / μs的
ns
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
= 25°C ,
V
C C
= 40 0 V,
I
C
=30A,
V
摹ê
= 0 /1 5 V,
R
G
= 1 1Ω
L
σ
2 )
= 6 0nH ,
C
σ
2 )
=40pF
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
20
21
250
25
0.60
0.55
1.15
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2)
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于测试电路如图E.
3
2.2版
九月08
功率半导体
SKW30N60HS
开关特性,电感负载,
at
T
j
=150
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
t
rr
t
S
t
F
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
T
j
= 150
°C
V
R
= 40 0 V ,
I
F
=30A,
D I
F
/ D T =
1250 A / μs的
-
-
-
-
-
-
190
30
160
2.0
24
480
µC
A
A / μs的
ns
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
= 150
°C
V
C C
= 40 0 V,
I
C
=30A,
V
摹ê
= 0 /1 5 V,
R
G
= 1 .8Ω
L
σ
1 )
= 6 0nH ,
C
σ
1)
=40pF
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
T
j
= 150
°C
V
C C
= 40 0 V,
I
C
=30A,
V
摹ê
= 0 /1 5 V,
R
G
= 1 1Ω
L
σ
1 )
= 6 0nH ,
C
σ
1)
=40pF
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
13
122
29
0.78
0.48
1.26
20
19
274
27
0.91
0.70
1.61
mJ
ns
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于测试电路如图E.
4
2.2版
九月08
功率半导体
SKW30N60HS
100A
100A
t
P
=4µs
15µs
I
C
,
集电极电流
80A
I
C
,
集电极电流
T
C
=80°C
10A
50µs
200µs
1ms
60A
T
C
=110°C
40A
I
c
1A
20A
I
c
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
DC
0.1A
1V
0A
10V
100V
1000V
f,
开关频率
图1.集电极电流的一个函数
开关频率
(T
j
150°C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 11Ω)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图2.安全工作区
(D
=
0,
T
C
= 25°C,
T
j
150°C;
V
GE
=15V)
通过键合线的限制
40A
200W
I
C
,
集电极电流
5 0 °C
7 5 °C
1 0 0 °C
1 2 5 °C
功耗
30A
150W
100W
20A
P
合计
,
50W
10A
0W
2 5 °C
0A
25°C
75°C
125°C
T
C
,
外壳温度
图3.功耗作为一个函数
外壳温度
(T
j
150°C)
T
C
,
外壳温度
图4.集电极电流的一个函数
外壳温度
(V
GE
15V,
T
j
150°C)
功率半导体
5
2.2版
九月08
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