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74LS298  74LS373  74LS30  74LS37  74LS30  74LS32  74LS393  74LS367  74LS373  74LS374  
SKW30N60HS_08 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS_08
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
页数 : 14 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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100%
SKW30N60HS
t
D(关闭)
t,
开关时间
100ns
t,
开关时间
100纳秒
t
D(关闭)
t
f
t
f
t
D(上)
t
r
10ns
0A
10A
20A
30A
40A
50A
10纳秒
t
D(上)
t
r
0Ω
5Ω
10Ω
15Ω
20Ω
25Ω
I
C
,
集电极电流
图9.典型的开关时间为
集电极电流的函数
(感性负载,
T
J
=150°C,
V
CE
=400V, V
GE
=0/15V,
R
G
=11Ω,
在图E动态测试电路)
R
G
,
栅极电阻
图10.典型的开关时间为
门极电阻的作用
(感性负载,
T
J
=150°C,
V
CE
=400V, V
GE
=0/15V,
I
C
=30A,
在图E动态测试电路)
5,5V
t
D(关闭)
V
GE (次) ,
-
EMITT TRSHOLD电压
5,0V
4,5V
4,0V
3,5V
3,0V
2,5V
2,0V
1,5V
1,0V
-50°C
0°C
50°C
100°C
分钟。
150°C
典型值。
马克斯。
t,
开关时间
100ns
t
f
t
r
t
D(上)
10ns
0°C
50°C
100°C
150°C
T
J
,
结温
图11.典型的开关时间为
结温度的函数
(感性负载,
V
CE
=400V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=30A,
R
G
=11Ω,
在图E动态测试电路)
T
J
,
结温
图12.栅极 - 发射极阈值电压为
结温度的函数
(I
C
= 0.7毫安)
功率半导体
7
2.2版
九月08
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