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MAX4220  MAX4220EEE  MAX4220ESD  MAX4218ESD  
SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
页数 : 14 页
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品牌   INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
SKW30N60HS
高速IGBT在NPT技术
C
低30%
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
µs
专为运行超过30千赫
NPT -技术600V应用提供:
- 并行交换能力
- 适度ê
关闭
随温度
- 参数分布非常紧凑
高耐用性,温度稳定的行为
无铅镀铅;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600V
I
C
30
E
关闭
480µJ
T
j
记号
PG-TO-247-3
PG-TO-247-3
G
E
TYPE
SKW30N60HS
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
150℃ K30N60HS
符号
V
CE
I
C
价值
600
41
30
单位
V
A
集电极电流脉冲,
t
p
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
600V,
T
j
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流,
t
p
T
JMAX
栅极 - 发射极电压的静态
瞬态(T
p
<1µs,
D<0.05)
短路承受时间
2)
V
GE
= 15V,
V
CC
600V,
T
j
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
有时间限制的工作结温
t
< 150H
焊接温度, 1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
I
Cpuls
-
I
F
112
112
41
28
I
Fpuls
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
J(下TL )
-
112
±20
±30
10
250
-55...+150
175
260
V
µs
W
°C
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
1
2.2版
九月08
功率半导体
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