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SKW30N60HS 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 (High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation)
.型号:   SKW30N60HS
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描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
文件大小 :   349 K    
页数 : 14 页
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100%
SKW30N60HS
500ns
450ns
2,8µC
Q
rr
,
反向恢复电荷
I
F
=60A
I
F
=30A
2,6µC
2,4µC
2,2µC
2,0µC
1,8µC
1,6µC
1,4µC
1,2µC
I
F
=15A
250A/µs
500A/µs
750A/µs
I
F
=60A
t
rr
,
反向恢复时间
400ns
350ns
300ns
I
F
=15A
250ns
200ns
150ns
100ns
0A/µs
I
F
=30A
250A /μs的500A /μs的750A / μs的
1,0µC
0A/µs
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图21.典型的反向恢复时间
二极管电流的斜率的函数
(V
R
=400V,
T
J
=150°C,
在图E动态测试电路)
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图22.典型的反向恢复电荷
作为二极管电流的函数
(V
R
=400V,
T
J
=150°C,
在图E动态测试电路)
反向恢复电流
反向恢复电流
24A
20A
16A
12A
8A
4A
0A
I
F
=30A
I
F
=60A
di
rr
/ DT ,
秋季二极管峰值速率
-400A/µs
-300A/µs
I
F
=15A
-200A/µs
I
rr
,
-100A/µs
200A /μs的400A /μs的600A /μs的800A / μs的
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图23.典型的反向恢复电流
作为二极管电流的函数
(V
R
=400V,
T
J
=150°C,
在图E动态测试电路)
-0A/µs
200A/µs
400A/µs
600A/µs
800A/µs
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
秋天的图24.典型二极管峰值速率
反向恢复电流的
二极管电流斜率功能
(V
R
=400V,
T
J
=150°C,
在图E动态测试电路)
功率半导体
10
2.2版
九月08
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